「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor memory device includes bit lines BLs (first wiring), and a memory cell MC including a phase change element 20 (memory element) and a diode 21 connected in series between the bit lines and word lines WLs (second wiring).例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、ビット線ＢＬｓ（第１の配線）と、ワード線ＷＬｓ（第２の配線）との間に直列接続された相変化素子２０（メモリ素子）及びダイオード２１を含むメモリセルＭＣを備えている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which has a rectifying element and a nonvolatile memory element at an intersection of a first wire and a second wire, the nonvolatile memory device having its height suppressed as compared with a conventional one.例文帳に追加

第１の配線と第２の配線との交差部に整流素子と不揮発性記憶素子を有する不揮発性記憶装置で、従来に比して高さを抑えることができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell includes a resistive memory element pattern between two electrodes, and one of the two electrodes shows a plug configuration which decreases contact area with the resistive memory element pattern.例文帳に追加

本発明の抵抗メモリセルは二つの電極の間にある抵抗メモリ要素パターンを含み、前記二つの電極のうちいずれか一つはプラグ形態を示して前記抵抗メモリ要素パターンとの接触面積が減少する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cells 12 each having a transistor 14 and a capacitor 16, and an element isolation section 22 for executing isolation separation between the memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、トランジスタ１４及びキャパシタ１６を夫々有する複数のメモリセル１２と、メモリセル間を素子分離する素子分離部２２とを具備する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device is provided with a memory cell array MCA including a memory cell having a ferroelectric capacitor as a memory element having first and second electrodes.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、第１電極と第２電極とを有する記憶素子としての強誘電体キャパシタを有するメモリセルを含んだメモリセルアレイＭＣＡを有する。 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT, THE MEMORY CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF ELEMENT, REDUCTION METHOD FOR BIT-LINE CONTROL SWITCHING, AND BIT-LINE SELECTION CONTROLLER FOR REDUCING THE BIT-LINE CONTROL SWITCHING IN THE MEMORY CIRCUIT例文帳に追加

メモリ回路、メモリ回路及び素子の動作方法、ビットライン制御スイッチングの減少方法、メモリ回路におけるビットライン制御スイッチングを減少させるビットライン選択制御器 - 特許庁

This data storage medium is a memory card 56 where a liquid crystal display element 10 constructing a display screen by using memory liquid crystal is attached onto the surface of a housing 57 including a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを内蔵した筺体５７の表面に、メモリ性液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１０を貼着したメモリカード５６。 - 特許庁

To provide a storage controller for controlling a memory address even when adding a memory module having an element configuration different from that of a loaded memory module.例文帳に追加

既に搭載されているメモリモジュールと素子構成において異なるメモリモジュールが増設される場合においてもメモリアドレスを制御可能な記憶制御装置を提供する。 - 特許庁

The memory system comprises a memory element having a first bank and a second bank, and a memory controller having a lead request scheduling queue for storing read requests.例文帳に追加

本発明のメモリシステムは、第１バンクと第２バンクを有したメモリ素子と、リード要請を格納するためのリード要請スケジュ−リングキューを有するメモリコントローラを含む。 - 特許庁

To obtain a memory control circuit controlling dynamically the refreshing interval so that a memory access and refreshing do not conflict while satisfying surely the refreshing conditions of a memory element.例文帳に追加

メモリ素子のリフレッシュ条件を確実に満たしつつ、メモリアクセスとリフレッシュ動作が競合しないようにリフレッシュ間隔を動的に制御するメモリ制御回路を得る。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SONOS MEMORY ELEMENT OF TWIN ONO FORM USING INVERSE SELF-ALIGNMENT SYSTEM例文帳に追加

逆自己整合方式を利用したツインＯＮＯ形態のＳＯＮＯＳメモリ素子製造方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリ - 特許庁

A memory element capable of storing 2 bits is formed in each active region 1102.例文帳に追加

各活性領域１１０２には、２ビット記憶が可能なメモリ素子が形成されている。 - 特許庁

HIGH SPEED NONVOLATILE OPTICAL MEMORY ELEMENT USING PHOTOINDUCTION MAGNETIZATION INVERSION, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING PAIR OF FINS LIMITED IN VOID, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ボイドが限定された一対のフィンを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

A dual bit nonvolatile memory element and its driving method and fabricating method are provided.例文帳に追加

デュアルビット不揮発性メモリ素子、その駆動方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a charge trap layer and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve performance of a semiconductor device including a nonvolatile memory and a capacitative element.例文帳に追加

不揮発性メモリおよび容量素子を有する半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT CONNECTED TO EDGE PART OF THIN FILM ELECTRODE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

薄膜電極に周囲で接続した相変化メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

MULTI-BIT MAGNETIC MEMORY ELEMENT USING SPIN POLARIZATION CURRENT, ITS MANUFACTURE AND DRIVING METHOD例文帳に追加

スピン分極電流を利用したマルチビット磁気メモリ素子とその製造及び駆動方法 - 特許庁

On writing the data in, a negative potential is fed to the second terminal of the memory element 103.例文帳に追加

データ書き込み時において、記憶素子１０３の第２端子には負電位が与えられる。 - 特許庁

NONVOLATILE CARBON NANOTUBE MEMORY ELEMENT USING MULTIPLE WALL CARBON NANOTUBE, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

多重壁炭素ナノチューブを利用した不揮発性炭素ナノチューブメモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SPATIAL LIGHT MODULATOR USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器 - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory element with high reliability while reducing a writing current.例文帳に追加

書込み電流を低減しつつ、信頼性の高い磁気抵抗記憶素子を提供する。 - 特許庁

A fuse memory element 300 is used to store control data of the electronic volume in this process.例文帳に追加

その際の電子ボリュームの制御データを保存するためにヒューズメモリ素子３００を用いる。 - 特許庁

A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistive element.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され可変抵抗素子を有する。 - 特許庁

A plurality of entries associated with a plurality of data segments may be stored in the memory address buffer element.例文帳に追加

複数のデータセグメントに関連する複数のエントリはメモリアドレスバッファ要素に格納される。 - 特許庁

The magnetic memory cell is used as equipped with transistors TR1, TR2 and a magnetic resistance element group 2.例文帳に追加

トランジスタＴＲ１、ＴＲ２と磁気抵抗素子群２とを具備する磁気メモリセルを用いる。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a programmable memory element has a reference layer and a storage layer.例文帳に追加

さまざまな実施例によれば、プログラム可能メモリ素子は、基準層と記憶層とを有する。 - 特許庁

To improve the usage efficiency of a memory for recording moving element information before and after an accident happens.例文帳に追加

事故発生前後の移動体情報を記録するメモリの使用効率が良くない。 - 特許庁

Each memory cell (114, 414) is connected across the controlled current path of a corresponding shunt element.例文帳に追加

各メモリセル(114,414)は、対応するシャント素子(120,420)の被制御電流経路の両端に接続される。 - 特許庁

To provide a charge trap floating gate memory element comprising a plurality of asymmetric tunnel barriers.例文帳に追加

非対称な複数のトンネル障壁を有する電荷トラップ浮遊ゲートメモリ素子を提供する。 - 特許庁

SINGLE-TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is widely applicable to semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

広く半導体集積回路装置に適用可能な不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

There are provided the semiconductor device and an electronic system using the phase change memory element.例文帳に追加

前記相変化記憶素子を用いる半導体素子及び電子システムが提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a phase change memory element covered with an oxygen barrier film.例文帳に追加

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

RF ELECTROMAGNETIC FIELD HEATING TYPE DIODE FOR THERMALLY SUPPORTING SWITCHING OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気メモリ素子の切替えを熱的に支援するためのＲＦ電磁界加熱式ダイオード - 特許庁

To provide overlay printing that does not reduce a printing speed and to reduce the quantity of a memory element.例文帳に追加

印刷速度を落とすことのないオーバレイ印刷と、メモリ素子の物量の削減。 - 特許庁

The other end of the shape memory alloy element 18 is fixed to a fixing socket 19.例文帳に追加

形状記憶合金素子１８の他端は、固定用ソケット１９に固定されている。 - 特許庁

To provide a flash memory element which can read out the other sector during programming/erasing.例文帳に追加

プログラム／消去中に他のセクタを読み出すことのできるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory element containing a local SONOS structure.例文帳に追加

局部的ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, an element of data holding unit is included, and the data holding unit includes a plurality of memory cells.例文帳に追加

またデータ保持手段の要素を有し、データの保持手段は複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which is small in area for an element and reduced in read error.例文帳に追加

素子面積が小さく、誤読み出しの少ない強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To enable stable operation by forming flat a TMR element of a magnetic memory device.例文帳に追加

磁気メモリ装置のＴＭＲ素子を平坦に形成して安定した動作を可能にする。 - 特許庁

An image memory 4 stores a plurality of images photographed by a photographing element, while composing them.例文帳に追加

画像メモリ４は撮像素子により撮像された複数の画像を合成して記憶する。 - 特許庁