「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT WITH DOPED PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME例文帳に追加

ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁

A memory cell array MA is configured by arranging memory cells MC composed of serially connected rectifying element Di and variable resistance element VR at intersections between pluralities of bit lines and word lines.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＡは、整流素子Ｄｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを複数のビット線及びワード線の交差部に配置してなる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element comprising a nano dot and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a pad having an shape memory element easily fixable on a pad substrate, comprising a shape memory metal, a hyperelastic element or the like and hardly slipping off.例文帳に追加

形状記憶合金又は超弾性部材等からなる形状記憶部材をパッド素地に固定し易くするとともに、形状記憶部材がずれ難くなるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device with a magnetoresistive element wherein inversion magnetic filed in a memory layer is small, and which consists of a magnetoresistive element of high uniaxial magnetic anisotropy.例文帳に追加

記録層における反転磁界が小さく、かつ、一軸磁気異方性が高い磁気抵抗素子からなる磁気抵抗素子を備える不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, HEAD SLIDER, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCTION DEVICE, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、ヘッドスライダ、磁気情報再生装置および磁気抵抗効果メモリ - 特許庁

METHOD FOR GENERATING MOVEMENT TO SKIN OF ROBOT, ROBOT, AND SHAPE MEMORY ELEMENT NET例文帳に追加

ロボットの表皮に動きを生じさせる方法、ロボット及び形状記憶素子ネット - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT HAVING EXPANDED PLATE LINE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

拡張されたプレートラインを有する強誘電体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MICRO DEVICE, MICRO DEVICE ARRAY, AMPLIFYING CIRCUIT, MEMORY APPARATUS, ANALOG SWITCH AND CURRENT CONTROL ELEMENT例文帳に追加

マイクロデバイス、マイクロデバイスアレー、増幅回路、メモリ装置、アナログスイッチ及び電流制御素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MOS/BIPOLAR COMPOSITE TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加

半導体ＭＯＳ／バイポ—ラ複合トランジスタおよびこれを利用した半導体メモリ素子 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED THEREWITH例文帳に追加

可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置 - 特許庁

The control circuit 21 includes the memory element 23, and the memory element 23 stores therein first information associated with the wavelength of light L1 generated by the laser diode 13.例文帳に追加

制御回路２１はメモリ素子２３を含んでおり、メモリ素子２３はレーザダイオード１３が発生する光Ｌ１の波長に関連づけられた第１の情報を格納する。 - 特許庁

2 BIT WRITABLE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND FABRICATING METHOD例文帳に追加

２ビット書き込み可能な不揮発性メモリ素子、その駆動方法及びその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory element using a cell diode, and its manufacturing method.例文帳に追加

セルダイオードを用いる相変移記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR POLYSILICON PATTERN, DIODE INCLUDING POLYSILICON PATTERN, MULTI-LAYER CROSS POINT RESISTIVE MEMORY ELEMENT INCLUDING POLYSILICON PATTERN, AND MANUFACTURING METHOD FOR DIODE AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ポリシリコンパターンの形成方法、該ポリシリコンパターンを含むダイオード、ポリシリコンパターンを含む多層交差点抵抗性メモリ素子及び、前記ダイオードと前記メモリ素子との製造方法 - 特許庁

To provide a temperature information output device for a semiconductor memory element, performing a temperature compensation process in the semiconductor memory element, using a low power supply voltage.例文帳に追加

低い電源電圧を用いる半導体メモリ素子において、温度補正過程を行う半導体メモリ素子の温度情報出力装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Furthermore, the signal is read from the memory CCD 26 to outside of the image pickup element 10.例文帳に追加

さらに、メモリＣＣＤ２６から撮像素子１０の外部へ信号が読み出される。 - 特許庁

To provide a readout circuit which is suitable to a magnetic memory device using a magneto-resistance element as a memory element, can be made small in circuit scale, and is hardly influenced by parasitic capacity.例文帳に追加

磁気抵抗素子をメモリ素子として用いる磁気メモリ装置に適し、回路規模を小さくでき、かつ、寄生容量の影響を受けにくい読み出し回路を提供する。 - 特許庁

Since writing frequency of the memory element 80 is decreased as compared with the memory element 80, reliability of data is enhanced while limiting the number of rewritable times.例文帳に追加

この結果、記憶素子８０への書込頻度は、ＥＥＰＲＯＭ９０への書込頻度と比べて低くなり、データの信頼性と書き込み許容回数の制限とを満足できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a non-volatile memory element in which a cell size is not increased.例文帳に追加

セルサイズを増加させない不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, NONVOLATILE MEMORY USING IT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリ、ならびにこれらの製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory element that prevents degradation in characteristics due to high temperature annealing after formation of element, and can be applied as a multi-use memory device.例文帳に追加

素子形成後の高温の熱処理による特性劣化を抑制することができ、多用途のメモリデバイスとして適用可能な記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

One memory cell 1 comprises an access transistor 2 and a magnetoresistive element 3.例文帳に追加

１つのメモリセル１は、アクセストランジスタ２と磁気抵抗効果素子３とから構成される。 - 特許庁

MC indicates a memory cell and is composed of a combination of current controlling element Qc and a variable resistor element Rc.例文帳に追加

ＭＣはメモリセルを示し、電流制御素子Ｑｃ及び可変抵抗素子Ｒｃの組み合わせにより構成される。 - 特許庁

LIFT-OFF METHOD, LIFT-OFF DEVICE, TMR ELEMENT PRODUCED BY USING LIFT-OFF METHOD AND MAGNETIC MEMORY UTILIZING TMR ELEMENT例文帳に追加

リフトオフ法、リフトオフ装置、このリフトオフ法を用いて作成したＴＭＲ素子、および、このＴＭＲ素子を利用した磁気メモリ - 特許庁

The MTJ element 81 of a first memory element is formed on a local interconnection 7 above a digit line 5.例文帳に追加

ディジット線５の上方において、ローカル配線７上に第１の記憶素子であるＭＴＪ素子８１が形成される。 - 特許庁

The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＲｒｅｆのＭＲ比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のＭＲ比の半分に設定されている。 - 特許庁

SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT COMPRISING QUANTUM POINT BETWEEN GATE ELECTRODE AND SINGLE ELECTRONIC STORAGE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The pixel selecting switching element 103 is connected to a memory capacitance 104 and a liquid crystal-write switching element 105.例文帳に追加

画素選択スイッチ素子１０３は、メモリ容量１０４および液晶書き込みスイッチ素子１０５に接続されている。 - 特許庁

The cluster includes a first magneto-resistance effect element MTJ1 as a magnetic oscillation element, and a second magneto-resistance effect element MTJ2 as a memory cell.例文帳に追加

本発明の例に係わるクラスターは、磁性発振素子としての第一磁気抵抗効果素子MTJ１と、メモリセルとしての第二磁気抵抗効果素子MTJ２とを備える。 - 特許庁

To provide a high-performance switching element and a memory element having element characteristics controlled by intentionally forming and eliminating an interface level.例文帳に追加

界面準位を意図的に形成−消滅させることにより素子特性を制御した構成の、高性能なスイッチング素子やメモリ素子を提供する。 - 特許庁

This imaging device is equipped with the electronic flash 3, an imaging element 101, a memory 124 which stores image data obtained by the imaging element, and a light emitting element 9.例文帳に追加

ストロボ３と、撮像素子１０１と、該撮像素子により得られた画像データを格納するためのメモリ１２４と、発光素子９とを備える撮像装置。 - 特許庁

A first non-volatile memory (MLC-NAND memory) 102 and a second non-volatile memory element (SLC-NAND memory) 103 whose characteristics are different are connected to a common data bus and an address bus.例文帳に追加

共通のデータバス及びアドレスバスに、特性の異なる第１の不揮発メモリ（ＭＬＣ−ＮＡＮＤメモリ）１０２と第２の不揮発性メモリ素子（ＳＬＣ−ＮＡＮＤメモし）１０３が接続されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having stable element characteristics, and also a method of forming an STI (Shallow Trench Isolation) insulating film in the memory.例文帳に追加

安定した素子特性を有する不揮発性半導体メモリとそのＳＴＩ絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element the reliability of which can be improved by preventing deterioration and destruction of a gate oxide film of a memory transistor for a long period of time.例文帳に追加

メモリートランジスタのゲート酸化膜の劣化および破壊を長期に渡り防止でき、信頼性を向上できること。 - 特許庁

When a redundant relieving signal RS is inputted, a spare memory cell SC of the semiconductor memory element MEM is accessed.例文帳に追加

半導体記憶素子ＭＥＭは、冗長救済信号ＲＳが入力された場合に、スペアのメモリセルＳＣがアクセスされる。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor memory having improved flatness of a top surface of a contact plug located under a memory element.例文帳に追加

記憶素子の下にあるコンタクトプラグの上面の平坦性を改善し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an IC memory card capable of surely preventing writing errors and erasure errors to/from an IC memory element, with a simple structure.例文帳に追加

ＩＣメモリー素子に対する誤書き込み、誤消去を簡単な構造で確実に防止できるＩＣメモリーカードを提供する。 - 特許庁

To reduce current consumption in the case of having a sense amplifier circuit, especially a nonvolatile memory as a memory element, in a semiconductor integrated device.例文帳に追加

半導体集積装置に於けるセンスアンプ回路、特に不揮発性メモリをメモリ素子に持つ場合の消費電流を低減する。 - 特許庁

ENANTIOTROPIC PRESENTATION METHOD OF COLOR MEMORY OPTICAL COLOR CHANGE FUNCTION OF ACCESSORY ELEMENT, AND ENANTIOTROPIC COLOR MEMORY OPTICAL COLOR CHANGE ACCESSORY例文帳に追加

アクセサリー要素の色彩記憶性光変色機能の互変的発現方法、及び互変的色彩記憶性光変色性アクセサリー - 特許庁

A memory cell 10 includes a programmable resistance element GST, is connected through a bit line BL0, and constitutes the memory cell string 11a.例文帳に追加

メモリセル１０は、プログラム可能な抵抗素子ＧＳＴを含み、ビット線ＢＬ０で接続され、メモリセル列１１ａを構成する。 - 特許庁

In a typical computer system, a processor and an input-output element are connected to a main memory sub-system including a basic memory.例文帳に追加

典型的なコンピュータ・システムでは、プロセッサおよび入出力素子は、基本メモリを含む主メモリ・サブシステムに接続されている。 - 特許庁

To provide a method for heating a diode near a magnetic memory element without always applying voltage that is higher than a breakdown voltage in the diode in a magnetic memory structure.例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造において、従来とは異なる態様でメモリ素子の近くにあるダイオードを加熱すること - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element for preventing drain disturbance and the over-erase of an NOR type flash memory, and to provide its operation method.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリのドレイン外乱と過消去を防止する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁