「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In the nonvolatile memory incorporating a memory element for which data read/write can be executed electrically by a control signal supplied through a plurality of terminals, a switch means is constituted on a connection wire for supplying a predetermined control signal from a memory element control terminal of a connector side connector to the memory element.例文帳に追加

複数の端子を介して供給される制御信号によって電気的にデータの読み出しと書き込みとが実行可能なメモリ素子を搭載した不揮発性メモリにおいて、メモリ側コネクタのメモリ素子制御端子から上記メモリ素子に所定の制御信号を供給する接続線上にスイッチ手段を構成する。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a semiconductor substrate, an element region arranged on an upper part of the semiconductor substrate, an element isolation region arranged between the adjacent element regions, one or more electrically rewritable memory cell transistors arranged in the element region, and two selective transistors holding the memory cell transistor there between arranged in the element region.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に配置された素子領域と、隣接する素子領域の間に配置された素子分離領域と、素子領域に配置された、電気的に書き換え可能な１つ以上のメモリセルトランジスタと、素子領域に配置された、メモリセルトランジスタを挟み込む２つの選択トランジスタとを具備する。 - 特許庁

In the OTP memory having a memory cell array and an inspection circuit, the OTP memory with a low failure rate is provided, by predicting the failure rate of the memory element of the memory cell array from a cumulative frequency distribution of a short circuit rate, with respect to a writing voltage of the memory element included in the inspection circuit, and eliminating a substrate with a high failure rate.例文帳に追加

メモリセルアレイと検査回路を有するＯＴＰメモリにおいて、検査回路が有するメモリ素子の書き込み電圧に対するショート率を累積度数分布から、メモリセルアレイが有するメモリ素子の不良の発生率を予測し、不良の発生率が高い基板を排除することにより、不良の発生率が低いＯＴＰメモリを提供することができる。 - 特許庁

Each memory cell MS1-MS4 is constituted of a TMR element having two TMR element parts connected electrically in series.例文帳に追加

各メモリセルＭＳ１〜ＭＳ４は、電気的に直列接続された２つのＴＭＲ素子部を持つＴＭＲ素子で構成される。 - 特許庁

On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板１０５は、素子分離膜１１０により限定された活性領域１１２を備える。 - 特許庁

One end of the storage capacitive element 104 is connected to a potential supply line 111 through the nonvolatile memory element 102.例文帳に追加

蓄積容量素子１０３の一端は、不揮発性メモリ素子１０２を介して電位供給線１１１に接続されている。 - 特許庁

A memory cell (114) of a data storage device (110) comprises a first magneto resistive element (10) and a second magneto resistive element (20) which are connected in series.例文帳に追加

データ記憶装置(110)のメモリセル(114)は、第１の磁気抵抗素子(10)と第２の磁気抵抗素子(20)を直列接続させたものを含む。 - 特許庁

A display element (LCD display element) 20 of the personal digital assistant system 10 is provided with an image memory section 21 and a display panel 22.例文帳に追加

携帯端末装置１０の表示部（ＬＣＤ表示部）２０は、画像記憶部２１および表示パネル２２を備えている。 - 特許庁

The data of the setting signal in the registers is stored in a holding circuit using a nonvolatile memory element such as an MTJ element.例文帳に追加

ここで、レジスタにおける設定信号のデータをＭＴＪ素子等の不揮発性記憶素子を用いた保持回路で記憶しておく。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, WAFER THEREOF, HEAD GIMBAL, HARD DISC, MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIQUID EJECTION HEAD, PRINTER AND PROCESS FOR PRODUCING FERROELECTRIC FILM例文帳に追加

強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子、液体噴射ヘッド、プリンタ及び強誘電体膜の製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC ELEMENT, NON-VOLATILE FEPROELECTRIC MEMORY ELEMENT, INK JET TYPE RECORDING HEAD AND ITS PRODUCTION AS WELL AS INK JET PRINTER例文帳に追加

強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ - 特許庁

The memory device includes a first memory including a nonvolatile memory element and a second memory (data buffer) for temporarily storing data in verifying operation in which whether or not the data are correctly written into the first memory is verified.例文帳に追加

不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。 - 特許庁

A P-type MOS transistor 21, which is the main component of a memory cell 10, functions as a storage element in the memory cell 10.例文帳に追加

メモリセル１０の主構成部材であるＰ型ＭＯＳトランジスタ２１は、メモリセル１０において記憶素子として機能するものである。 - 特許庁

The transistor 2 is electrically connected to the bit line 4 via the corresponding magnetic memory element 3 in the plurality of magnetic memory elements 3.例文帳に追加

トランジスタ２は、複数の磁気記憶素子３の内の対応した磁気記憶素子３を経由してビット線４に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a recording medium including a ferroelectric film, a non-volatile memory including the recording medium and a data recording/reproducing method of a memory element.例文帳に追加

強誘電膜を含む記録媒体とそれを含む不揮発性メモリ素子、このようなメモリ素子のデータ記録／再生方法を提供する。 - 特許庁

To widely secure the operation timing margin of a memory module which is mounted via a socket etc. on a master substrate and loads a memory element.例文帳に追加

親基板上のソケット等を介して装着される、メモリ素子を搭載したメモリモジュールの動作タイミングマージンを広く確保可能にする。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor memory element, having a high production yield by realizing ferroelectric capacitors which have reduced variations among memory cells.例文帳に追加

メモリセル間ばらつきの少ない強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element assuring especially desired data holding life with all elements by reducing variations in characteristic among the memory elements.例文帳に追加

メモリ素子間の特性ばらつきを少なくし、全ての素子で、特に所望のデータ保持寿命を確保できるメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To realize a reliable semiconductor memory device in which a burden on a variable resistive element is reduced, and a method for rewriting of memory cell.例文帳に追加

可変抵抗素子が受ける負荷が軽減された信頼性の高い半導体記憶装置、及び、メモリセルの書き換え方法を実現する。 - 特許庁

The first node of each memory cell and the second node which is the other end of the variable resistance element of this memory cell are connected to the bit lines different from each other.例文帳に追加

各メモリセルの第１ノードと、このメモリセルの抵抗変化素子の他端である第２ノードとは別々のビット線と接続される。 - 特許庁

This nonvolatile memory is provided with a word line drive circuit 30 which supplies a selection voltage to a selection transistor connected in series with the nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子に直列接続された選択トランジスタに選択電圧を供給するワード線駆動回路３０を備える。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory is provided with memory cells 1 each of which includes a MTJ element 2, and wirings 11 and 12, extending in a Y-axis direction.例文帳に追加

本発明の磁気半導体メモリは、ＭＴＪ素子２を含むメモリセル１と、Ｙ軸方向に延設された配線１１、１２とを具備する。 - 特許庁

The electric fuse memory includes a memory cell MC including a fuse element F and a first transistor TRB, an external terminal PAD, and a second transistor TRA.例文帳に追加

フューズ素子Ｆと第１トランジスタＴＲＢを含むメモリセルＭＣと、外部端子ＰＡＤと、第２トランジスタＴＲＡと、を有する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a current spike flowing across the storage element of a memory cell having an OTS selector during the selection of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルを選択する際に、ＯＴＳセレクタを有するメモリセルの記憶素子を流れる電流スパイクが発生するのを回避させる。 - 特許庁

When no data are left in the memory 18, a photographed image by an image pickup element 14 is written in the memory 18 via an analog/digital converter 16.例文帳に追加

メモリ１８にデータが無い場合、撮像素子１４による撮影画像をＡ／Ｄ変換器１６を介してメモリ１８に書き込む。 - 特許庁

Thereby, a recording device can use commonly the main body case 1 of a tape cartridge incorporating a memory element and the main body case 1 of a tape cartridge of standard specification having no memory element 25.例文帳に追加

これによりメモリ素子を内蔵するテープカートリッジの本体ケース１と、メモリ素子２５を内蔵しない標準仕様のテープカートリッジの本体ケース１とを共通して使用できる。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile semiconductor memory in which the occupation area of a nonvolatile semiconductor memory element is reduced extremely, deterioration in the characteristics of the element due to punch through or the like can be prevented readily, and a source side injecting operation can be effected.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子の専有面積が極めて小さく、パンチスルー等による素子特性低下を防止しやすく、ソースサイド注入動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a clamp circuit for feeding a stable voltage for a memory element, regardless of the operation of a peripheral circuit or a variation of power voltage, and a non-volatile memory element using the circuit.例文帳に追加

周辺回路の動作または電源電圧の変化に関係なく、メモリ素子に安定した電圧を供給するクランプ回路及びこれを用いた不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A first trench for an element isolation region of a memory cell region and a second trench for an element isolation region of a peripheral circuit region of the memory cell are simultaneously formed in the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メモリセル領域の素子分離領域用の第１の溝と、メモリセルの周辺回路領域の素子分離領域用の第２の溝を半導体基板上に同時に形成する。 - 特許庁

A second main face 2b opposite to the terminal formation face 2a of the circuit board 2 is mounted with a memory element 6, and the memory element 6 is sealed with a sealing resin 14.例文帳に追加

回路基板２の端子形成面２ａとは反対側の第２の主面２ｂにはメモリ素子６が実装されており、このメモリ素子６は封止樹脂１４で封止されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

From a pulse waveform when the resistance read pulse is applied, through the cell of the resistive memory element, a descending very-small voltage is measured, and also the resistance of the resistive memory element is measured by the use of the measured very-small voltage.例文帳に追加

前記抵抗読み取りパルスを印加した時のパルス波形から前記抵抗メモリ素子のセルを通して、降下する微少電圧と、これを使い、抵抗メモリ素子の抵抗を測定する。 - 特許庁

To make a memory element store information, preventing destruction of the memory element by making the direction of magnetization of a storage layer reverse by applying a write current having less write-in voltages.例文帳に追加

少ない書き込み電圧から成る書き込み電流を印加することによって記憶層の磁化の向きを反転させることで、記憶素子の破壊を防ぎつつ、記憶素子に情報を記憶させる。 - 特許庁

A conductive layer which includes three elements such as an antenna, a memory element and a transistor and functions as the antenna, is provided on the same layer as the conductive layer included in the transistor or the memory element.例文帳に追加

アンテナ、記憶素子及びトランジスタの３つを含み、アンテナとして機能する導電層は、トランジスタ又は記憶素子が含む導電層と同じ層に設けることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the difference of voltage in between the first and the second terminals of the memory element 103 is higher than the breakdown voltage of the transistor 101, and not lower than the voltage necessary for writing in the memory element 103.例文帳に追加

また、記憶素子１０３の第１端子と第２端子の電位差が、トランジスタ１０１の絶縁耐圧より高く、且つ記憶素子１０３の書き込みに必要な電圧以上である。 - 特許庁

In the memory element, transition commands for various modes of the drive circuit are recorded, and the drive circuit reads the transition commands out of the memory element with a simple command and transitions to the various modes.例文帳に追加

メモリ素子には駆動回路の各種モードの遷移コマンドが記録されており、駆動回路は簡易なコマンドでメモリ素子から遷移コマンドを読み出して各種モードへの遷移を実行する。 - 特許庁

Immediately after the end of writing information to the anti-fuse memory element, resistance of the memory element is reduced suddenly, so that an output of a boosting circuit generating writing voltage is reduced suddenly.例文帳に追加

アンチヒューズ型メモリ素子への書き込みが完了した直後、メモリ素子の抵抗が急激に低下するため、書き込み電圧を生成する昇圧回路の出力が急激に低下する。 - 特許庁

The actuator 3 in use may comprise a shape memory resin, a shape memory alloy, a piezoelectric element (electrostriction element), an ion conductive polymer actuator, a conductive polymer actuator, etc.例文帳に追加

アクチュエータ３としては、形状記憶樹脂、形状記憶合金、圧電素子（電歪素子）、イオン伝導性高分子アクチュエータ、導電性高分子アクチュエータなどからなるものを用いることができる。 - 特許庁

To provide an optical waveguide member and an optical memory element which are constituted so that noise images in a reproduction picture are reduced and information recorded in the optical memory element is surely reproduced .例文帳に追加

再生画面におけるノイズ画像が低減され、光メモリ素子に記録されている情報が確実に再生されるようにした光導波路部材及び光メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

These memory cells are provided with a structure, comprising a selecting element, a heating and/or barrier plate layer and a phase change memory element, which are arranged so as to be orthogonal to the intersecting point between the bit line and the word line.例文帳に追加

これらのメモリセルは、ビットラインとワードラインとの交差点に垂直に配置された、選択素子と、加熱及び／又は障壁プレート層と、相変化メモリ素子とを含む構造を備える。 - 特許庁

To provide a blood bag equipped with a memory element such as a radio IC memory (e.g. semiconductor memory such as EPROM or EEPROM) or a flash memory for improving work efficiency without uselessly producing refuse.例文帳に追加

作業効率が向上するとともに、無駄にごみを出さないラジオＩＣメモリー（例えばＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなどの半導体メモリー）またはフラッシュメモリー等の記憶素子を装着した血液バッグを提供すること。 - 特許庁

To provide a memory member having a storage element for storing information and transmitting the information which the storage element stores through an antenna to a device body, and to provide a unit having the memory member and a process cartridge having the memory member.例文帳に追加

情報を記憶するための記憶素子を有し、記憶素子が記憶した情報をアンテナを介して装置本体に伝達することのできるメモリー部材、メモリー部材を有するユニット、及びメモリー部材を有するプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a magnetic memory element MM capable of holding data based on a magnetized state thereof, and a digit line DL and a bit line BL which are capable of changing the magnetized state of the magnetic memory element by a generated magnetic field.例文帳に追加

磁気記憶装置は、磁化状態に基づいたデータを保持可能な磁気記憶素子ＭＭと、発生する磁界により磁気記憶素子の磁化状態を変化させることが可能なディジット線ＤＬおよびビット線ＢＬとを備えている。 - 特許庁

A corresponding picture element extraction portion 24 reads out a projective transformation matrix H from a memory portion 25, determines a reference picture element corresponding to a standard picture element mb and outputs those picture element values to a correlation value operating portion 26.例文帳に追加

対応画素抽出部２４は、記憶部２５から射影変換行列Ｈを読み出して、基準画素ｍ_bに対応する参照画素を決定し、それらの画素値を相関値演算部２６に出力する。 - 特許庁