「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

Immediately before outputting the operation command, the CPU 17 writes information indicating a reason for cutoff in a memory part 25 comprising a nonvolatile memory element.例文帳に追加

動作指令を出力する直前に、ＣＰＵ１７は遮断理由を示す情報を不揮発性記憶素子からなる記憶部２５に書き込む。 - 特許庁

This digital camera 100' uses a memory card 56 to which a liquid crystal display element 10 constituting a display screen of memory type liquid crystal is stuck.例文帳に追加

メモリ性液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１０を貼着したメモリカード５６を使用するデジタルカメラ１００’。 - 特許庁

To make a flash memory, etc., of multiple bit configuration a basic element and to reduce test cost of a memory card performing an input-output operation of data in one-bit unit.例文帳に追加

多ビット構成のフラッシュメモリ等を基本素子とし、１ビット単位でデータの入出力動作を行うメモリカードの試験コストを低減する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory element and a nonvolatile semiconductor memory device, enabling both miniaturization and multiple value coding.例文帳に追加

微細化と多値化の両立が可能な不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置を提供することを可能にする。 - 特許庁

A net-shaped shape memory element net 1 is formed by connecting a plurality of shape memory elements 14 via a plurality of binding node elements 15.例文帳に追加

複数の形状記憶素子１４を複数の結合用ノード素子１５を介して接続してネット状の形状記憶素子ネット１を形成する。 - 特許庁

The memory address buffer element includes one or more ways that are operable to store one or more of the data segments that may be retrieved from the cache memory.例文帳に追加

メモリアドレスバッファ要素は１以上のウエイを含み、ウエイはキャッシュメモリから抽出された１以上のデータセグメントを格納するように動作する。 - 特許庁

At least one of the memory cells is provided with a three terminal nonvolatile storage element for memorizing the logical state of at least one memory cell.例文帳に追加

メモリセルのうちの少なくとも１つは、少なくとも１つのメモリセルの論理状態を記憶するための３端子不揮発性記憶素子を備える。 - 特許庁

The memory member 44 has a base 44b3, the storage element 44b1 provided to the base 44b3, a transmission member, and a memory antenna 44b2.例文帳に追加

メモリー部材４４は、基体４４ｂ３と、該基体４４ｂ３に設けられた記憶素子４４ｂ１、送信部材、及び、メモリーアンテナ４４ｂ２とを有する。 - 特許庁

A memory cell of a resistance change memory in accordance with one embodiment comprises a resistance change element RW connected in series and a laminated structure C.例文帳に追加

実施形態に係わる抵抗変化メモリのメモリセルは、直列接続される抵抗変化素子ＲＷ及び積層構造Ｃを備える。 - 特許庁

To make it possible to access a control processor and a working memory without interrupting accesses to a computing element and the working memory even when an arithmetic unit is in operating.例文帳に追加

演算装置の動作中であっても演算器とワーキングメモリのアクセスを妨げることなく制御プロセッサとワーキングメモリをアクセス可能とする。 - 特許庁

To provide an algorithm pattern generator for a memory element test and enabling to optimize the constitution of a memory tester that includes address scrambling and data scrambling.例文帳に追加

アドレススクランブリング及びデータスクランブリングを含んでメモリテスタの構成を最適化できるメモリ素子テストのためのアルゴリズムパターン生成器を提供する。 - 特許庁

In a memory 10, on the downstream side of a diversion path 20, a merging path 40 is connected via a memory line array 30 as a functional element array.例文帳に追加

メモリ１０では、分流路２０の下流側に、機能エレメントアレイとしてのメモリ行アレイ３０を介して合流路４０が接続されている。 - 特許庁

A memory cell gate electrode GE of the memory cell MC is formed on an element region 13 of a semiconductor substrate 11 via a gate insulation film 31.例文帳に追加

半導体基板１１の素子領域１３上に、ゲート絶縁膜３１を介して、メモリセルＭＣのメモリセルゲート電極ＧＥが形成されている。 - 特許庁

A memory cell 20 which has a data memory element, a first switch having a first port (A) used for accessing the data memory element during read or write processing and a second switch having a second port (B) used for accessing the data memory element during the read or write processing is provided.例文帳に追加

上記課題は、データ記憶素子と、読み出し又は書き込み処理中に前記データ記憶素子をアクセスする為に用いられる第一のポート（Ａ）を有する第一のスイッチと、読み出し又は書き込み処理中に前記データ記憶素子をアクセスする為に用いられる第二のポート（Ｂ）を有する第二のスイッチとを有するメモリセル２０により解決される。 - 特許庁

To make an output result of a differential amplifier at the finish of the manufacture coincide with the output result of the state not being cut off as a fuse element, even when a nonvolatile memory element is used in place of the fuse element and the differential amplifier is used for the amplification of holding data of the nonvolatile memory element.例文帳に追加

ヒューズ素子に代わる不揮発性メモリ素子を用い、該不揮発性メモリ素子の保持データの増幅に差動増幅器を用いる場合であっても、ヒューズ素子として切断されない状態の出力結果と、製造終了時における差動増幅器の出力結果とが一致するようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide thin film capable of easily giving fine crystals, provide a method for producing a memory element or a piezoelectric element using the thin film production method and provide an oxide thin film, a memory element and a piezoelectric element produced by these methods.例文帳に追加

容易に微結晶を得ることができる酸化物薄膜の製造方法を提供すること、これを利用したメモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法を提供すること、並びにこれらの方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子を提供すること。 - 特許庁

A vector instruction issuing part sorts a plurality of elements comprising the vector data to an element group and controls to start the tranferring the element group with all element out of the plurality of element groups read from the main memory by the memory access control part from the load buffer to the vector processing part.例文帳に追加

ベクトル命令発行部は、ベクトルデータを構成する複数の要素を複数の要素群に分け、複数の要素群のうちで全ての要素がメモリアクセス制御部によりメインメモリから読み出された要素群に対して、ロードバッファからベクトル処理部への転送を開始するように制御する。 - 特許庁

A shoulder pad 18 having a shape memory element 16 therein is produced by fixing the shape memory element 16 on a soft element 14 attachable to the pad substrate so as to form a pad-forming element 10 and attaching the pad-forming part 10 on the pad substrate.例文帳に追加

形状記憶部材１６を、パッド素地へ取り付け可能な柔軟部材１４に固定してパッド形成部品１０を構成し、このパッド形成部品１０をパッド素地に取り付けることによって、形状記憶部材１６を内蔵する肩パッド１８を製造できるようにした。 - 特許庁

A memory cell is constituted by connecting a transistor in parallel or series to an organic element having an organic compound layer, and each memory cell is connected in series or parallel to constitute a NAND memory or a NOR memory.例文帳に追加

有機化合物層を有する有機素子にトランジスタを並列または直列に接続したメモリセルを構成し、そのメモリセルを直列または並列に接続することによって、ＮＡＮＤ型メモリまたはＮＯＲ型メモリを構成する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、可変抵抗素子１９及びダイオードＤを有し、かつピラー状の第１及び第２のメモリセルと、第１のメモリセル及び第２のメモリセル間に設けられ、かつボイド２１を有する絶縁層２０とを含む。 - 特許庁

An information processing apparatus 400 comprises a processor 410, a main memory 420 and a network 430 and includes, in an instruction set, a memory access instruction to enable a plurality of element data items designated by an instruction, among element data stored in the main memory 420, to be accessed with one instruction.例文帳に追加

情報処理装置４００は、プロセッサ４１０、主記憶４２０、ネットワーク４３０を備え、主記憶４２０に記憶された要素データのうち、命令で指定された複数の要素データを１命令でアクセスできるメモリアクセス命令を命令セットに含む。 - 特許庁

To provide a game machine which can store display image data and voice data, which is arranged in different memory elements heretofore, in the same memory element within a memory element case for improving convenience when change to other game machines is made.例文帳に追加

他の遊技機に変更するに当たっての利便性の向上を図り、今まで別々の記憶素子に配されていた表示画像データと音声データとを、記憶素子ケース内の同じ記憶素子に記憶させておくことができる遊技機を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory, and its fabricating method, in which deterioration of the characteristics is suppressed even if a semiconductor memory element of microsize is fabricated in the plane of a semiconductor substrate and recording operation of 2 bits per unit memory element is ensured.例文帳に追加

半導体基板面内における半導体記憶素子のサイズの微細化を行っても、特性の劣化が少なく、かつ、単位記憶素子あたり２ビットの記録の動作が可能な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device, a memory device control method and a data processing system which realize reduction in the number of times of erasure of a flash memory without largely reducing the memory capacity of the flash memory, then, efficient update of the data of the flash memory, and consequently realize reduction in a deterioration in a storage element and quickening of data access.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリ容量を大きく減少させることなく、フラッシュメモリの消去回数を減らし、フラッシュメモリのデータの更新を効率的に行い、記憶素子の劣化を低減するとともに、データのアクセスを高速に行なうことができるメモリ装置、メモリ装置の制御方法およびデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

Thus, the liquid crystal display element 10 is also initialized as the flash memory is initialized and, then, when picture data are stored in the flash memory, the thumbnail picture of the picture data is displayed on the display element 10.例文帳に追加

フラッシュメモリが初期化処理されるに伴って液晶表示素子１０も初期化処理され、フラッシュメモリに画像データが記憶されるとそのサムネイル画像が液晶表示素子１０に表示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises both a memory element for erasing data (rewritable) and a memory element the data of which are desired not be erased (for redundant data), in an IC chip where EPROM is mounted.例文帳に追加

ＥＰＲＯＭを搭載するＩＣチップにおいて、データを消去するメモリ素子（書換え可能な）とデータを消去したくないメモリ素子（データ冗長用）を同時に有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide inexpensive print articles, e.g. an ink ribbon sheet set, equipped with a memory element storing inherent information for discriminating between a standard article and a nonstandard article under such a state as the memory element cannot be reused easily.例文帳に追加

規格品／非規格品を判別するための固有情報が記憶された記憶素子を容易に再利用できない状態で具備したインクリボンシートセットなどの印刷用品を安価に提供する。 - 特許庁

When the three switches for transfer are turned on for a gate-line selection period for the m-th line, the m-th line video data that is held in the first-memory element is transferred to and held in the second-memory element.例文帳に追加

そして、第ｍ行のゲート線選択期間で３つの転送用スイッチがオン状態なると、第１メモリ素子で保持されている第ｍ行の映像データが第２メモリ素子に転送され、保持される。 - 特許庁

This memory element is the non-volatile memory element in which erasing is basically possible and maintenance of information is possible even in a non-power state, and high operational speed and high integration degree are realized.例文帳に追加

本発明のメモリ素子は、基本的に消去が可能であり無電源状態でも情報の維持が可能な不揮発性メモリ素子であって、速い動作速度、高い集積度の具現が可能である。 - 特許庁

The memory part 1 is provided with a line memory for a buffer, which corrects sub-scanning-direction displacement between the odd-numbered dot exposure element and the even-numbered dot exposure element, when the exposure elements are arranged in the staggered pattern.例文帳に追加

奇数ドットメモリ部１には、露光素子を千鳥配列型とした場合の、奇数ドット露光素子と偶数ドット露光素子の副走査方向ずれ分を補正するバッファ用のラインメモリを設ける。 - 特許庁

To provide a device in which an operation of a logic element is performed similarly to write and read operations to a memory cell by a spin torque magnetization inversion process and the operation speeds of both the memory and the logic element are almost equal.例文帳に追加

ピントルク磁化反転過程によるメモリセルへの書き込み、読み出し動作と同様にして、論理素子の演算を行い、メモリ、論理素子いずれの動作速度もほぼ等しい装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package capable of preventing leakage of information stored in a magnetic memory element, by making it difficult to read information memorized in the magnetic memory element using an unauthorized means.例文帳に追加

磁気メモリ素子に記憶された情報を不正な手段で読み出すことを困難にして、磁気メモリ素子に記憶された情報が漏洩することを抑制できる半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape.例文帳に追加

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。 - 特許庁

To provide a flash memory element capable of forming to fine a dielectric film contact hole for formation by utilizing existing exposure facilities without requiring any expensive exposure facilities, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.例文帳に追加

高額な露光装備を要せずとも、既存の露光設備を利用することによって誘電体膜コンタクトホールを微細化して形成することができるフラッシュメモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method and system for measuring the resistance of a resistive memory element, in order to measure the resistance of the resistive memory element, first, a data write pulse is applied, and then a resistance read pulse is applied.例文帳に追加

抵抗メモリ素子の抵抗測定方法及び抵抗測定システムにおいて、前記抵抗メモリ素子の抵抗測定のために、まず、データ書き込みパルスを印加した後、抵抗読み取りパルスを印加する。 - 特許庁

To reduce power consumption of a nonvolatile memory device which has a selection element such as a diode or the like on metal wiring, and is constituted by stacking storage elements such as a phase change memory and the like on the selection element.例文帳に追加

金属配線上にダイオード等の選択素子を有し、選択素子上に相変化メモリ等の記憶素子を積層することにより構成される不揮発性記憶装置の消費電力を低減する。 - 特許庁

Since an excess area B for (32 MB-29.1 MB)/29.1 MB=0.10, i.e., 10% substitution, can be formed in each flash memory element, rewriting more than the rewritable frequency of each conventional flash memory element can be attained.例文帳に追加

そのため、各フラッシュメモリ素子毎に、（３２ＭＢ−２９．１ＭＢ）／２９．１ＭＢ＝０．１０、即ち１０％の代替用の余剰領域Ｂを設けることができ、従来のフラッシュメモリ素子の書換可能回数以上の書換が可能となる。 - 特許庁

By using the heated diode 410, temperature is increased in the selected magnetic memory element 100, and the switching of a magnetic state in the magnetic memory element can be thermally supported when a write current is added.例文帳に追加

加熱されたダイオード(410)を用いて、選択された磁気メモリ素子(100)の温度を上げて、書込み電流を加える際に磁気メモリ素子の磁気的な状態を切り替えるのを熱により支援することができる。 - 特許庁

In writing information in an RF-ID element, a memory is generally checked, and only a medium incorporated with an RF-ID element whose all memory areas normally function is normally issued.例文帳に追加

ＲＦ−ＩＤ素子へ情報を書き込む場合に、メモリ全般のチェックを行い、メモリが全領域共正常に機能するＲＦ−ＩＤ素子が内蔵された媒体のみ正常に発行する様にした。 - 特許庁

Thereby, it is made possible to prevent degradation of performance of a phase-change memory element, and also materialize a phase-change memory element optimized for at least either one of high integration and power consumption reduction.例文帳に追加

これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 - 特許庁

An insulating layer 150 enclosing a resistive memory element 130 and an insulating layer 160 enclosing a conductive line 180 connected to the resistive memory element have different stresses, hardness, porosity degrees, dielectric constants or heat conductivities.例文帳に追加

抵抗メモリ要素１３０を包む絶縁膜１５０と抵抗メモリ要素に連結される配線１８０を包む絶縁膜１６０が異なる応力、硬度、多孔率、誘電率、または熱伝導率を示す。 - 特許庁

To provide an optical memory element in which recorded information is not lost even by irradiation with record readout light, with respect to a photon mode optical memory element using a photochromic compound as a recording material.例文帳に追加

フォトクロミック化合物を記録材料として用いたフォトンモードの光メモリ素子に関し、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われない光メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a load due to coupling capacitance between the wiring and an element signal can be uniformed when wiring crossing over a memory cell array element signal.例文帳に追加

メモリセルアレイ要素信号上を横断する配線を行う場合に、この配線と要素信号との間の結合容量による負荷を均一にすることのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element having a pair of fins formed to define a void and capable of reducing failures in a read operation and also improving a short-channel effect, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

ボイドの限定された一対のフィンを有する、読み取り動作の障害を減らし、短チャンネル効果を改善させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁