「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The data of the number of elements and the position coordinates of each element are inputted, and held in an element position coordinate memory 1, and the center of gravity coordinates of each element are calculated by a center of gravity calculating part 2.例文帳に追加

要素の数と各要素の位置座標のデータが入力され要素位置座標メモリ１に保持され、各要素の重心座標が重心演算部２により計算される。 - 特許庁

To provide a resistance change element with less amount of leak (and resultant short-circuit) even when a resistance changing layer is formed thin, and also to provide a method for manufacturing the same element and a resistance change memory using the same element.例文帳に追加

抵抗変化層を薄くしてもリーク（およびそれに伴うショート）が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor memory element comprises a switching element and the storage node connected to the switching element while the storage node has the lower electrode, the data storage layer, and the upper electrode.例文帳に追加

下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element which improves the program speed of a memory cell, while preventing the program disturb of the memory cell adjacent to a line selecting transistor and a source selecting transistor.例文帳に追加

ライン選択トランジスタとソース選択トランジスタに隣接したメモリセルのプログラムディスターブを防止しつつ、メモリセルのプログラム速度を向上させることができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

When the program 26 accesses an address inside the overlay memory 23, an overlay memory controller 24 responds to it and performs an operation so as to inhibit the transfer of the address to the other memory element by the response.例文帳に追加

プログラム２６がオーバーレイ・メモリ２３内のアドレスにアクセスする時、オーバーレイ・メモリ・コントローラ２４がこれに応答し、この応答によって他のメモリ要素へのアドレスの転送を禁止するように動作する。 - 特許庁

A dedicated controlling element 23 then transfers and saves the various data once saved in the volatile memory 21 from the volatile memory 21 to a flash memory 22 under power supply from a capacitor 7 (S320).例文帳に追加

そして、その揮発性メモリ２１に一旦保存された各種データを、専用制御素子２３が、コンデンサ７からの電力供給により揮発性メモリ２１からフラッシュメモリ２２へ転送して保存させる（Ｓ３２０）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the capacity between a resistive element and a substrate in a peripheral circuit of a semiconductor device, especially a non-volatile semiconductor memory, such as a flash memory.例文帳に追加

半導体装置、特にフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの周辺回路部において抵抗素子と基板との容量を小さくすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The first electronic switch (206) of the intermesh memory element is electrically connected to an input (210) of the memory component, and a second electronic switch (232) is electrically connected to an output (254) of the memory component.例文帳に追加

インターメッシュ・メモリ素子の第１の電子スイッチ（２０６）はメモリ・コンポーネントの入力（２１０）に電気的に接続され、第２の電子スイッチ（２３２）はそのメモリ・コンポーネントの出力（２５４）に電気的に接続される。 - 特許庁

The N-th row image data inputted from the data interface 12 are inputted to a neighborhood computing element 142 (diagram 2), also written in the delay memory 141 (diagram 2) and stored in the image memory 15 through an image memory interface 13.例文帳に追加

データインターフェイス12から入力されたN行目の画像データが近傍演算器142(図２)に入力されるとともに、遅延メモリ141(図２)に書き込まれ、画像メモリインターフェイス13を介して画像メモリ15に記憶される。 - 特許庁

To provide a convenient memory element, in which a memory that has a very-wide I/O width and a plurality of buffer memories that have a wide I/O width similar to that of the memory are connected on a chip, to be used in a higher performance network system.例文帳に追加

非常に幅の広いI/O幅をもったメモリとそれにチップ上で同じく広いI/O幅をもつ複数のバッファメモリを接続し、より高性能なネットワークシステムで使う便利なメモリ素子を提供する。 - 特許庁

A process processing circuit 4 processes an image signal from an image pickup element 2, a memory control section 5 records the processed signal to a frame memory 6 and reproduces/displays the recorded signal on a monitor display section 10 via a video memory 9.例文帳に追加

撮像素子２からの画像信号をプロセス処理回路４で処理し、メモリ制御部５によりフレームメモリ６に記録し、またビデオメモリ９を介してモニタ表示部１０に再生表示する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、抵抗変化素子Ｒ及びショットキーダイオードＳＢＤが直列に接続されたメモリ素子ＭＣを複数有する複数のメモリストリングＭＳを備える。 - 特許庁

In a memory element 1 laminated with a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance changing layer 22, and an ion source layer 21 including moving atoms.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０は抵抗変化層２２と、可動原子を含むイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flush memory element by utilizing a self-alignment non-exposure pattern formation process.例文帳に追加

自己整列無露光パターン形成プロセスを利用してフラッシュメモリ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device including a resistive element and a stacked-gate type memory cell transistor on a substrate.例文帳に追加

基板上の抵抗素子およびスタックド・ゲート型のメモリセルトランジスタを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

Also, the first conductive layer and the second conductive layer of the memory element are formed using different materials.例文帳に追加

なお、メモリ素子の第１の導電層と第２の導電層とは異なる材料で形成されている。 - 特許庁

In the read operation, there is no need to make the channel current flow according to the threshold voltage of the nonvolatile memory element.例文帳に追加

読み出し動作では、不揮発性記憶素子の閾値電圧に応じてチャネル電流を流す必要はない。 - 特許庁

A tunnel magnetic resistance effect element including a ferrimagnetic material in a ferromagnetic recording layer is applied to a memory cell.例文帳に追加

強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。 - 特許庁

Whereby, the memory element which has a characteristic of bipolar switching of multi-level in accordance with a size can be easily provided.例文帳に追加

これにより、サイズによってマルチレベルのバイポーラスイッチング特性を有するメモリ素子を容易に提供できる。 - 特許庁

HIGH RELIABILITY TRIPLE REDUNDANT MEMORY ELEMENT WITH INTEGRATED TESTABILITY AND VOTING STRUCTURE ON EACH LATCH例文帳に追加

テスト機能と各ラッチに対する投票構造が組み込まれた高信頼性３重冗長メモリ素子 - 特許庁

To perform signal processing and encoding of the output of an imaging element without using a large-capacity and high-speed memory.例文帳に追加

大容量で高速メモリを使用せずに、撮像素子の出力を信号処理および符号化する。 - 特許庁

To improve stability of data writing operation in a semiconductor device provided with a variable resistance memory element.例文帳に追加

可変抵抗型メモリ素子を備えた半導体装置におけるデータ書き込み動作の安定性向上。 - 特許庁

To provide an electrochromic compound having an excellent memory property and a color stability with time, and a display element.例文帳に追加

メモリー性、経時発色安定性に優れるエレクトロクロミック化合物、および表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element capable of inducing polarization and magnetization with an electric field and controlling the intensity and direction thereof.例文帳に追加

電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。 - 特許庁

QUANTUM DOT FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND OPTICAL SENSOR USING SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT USING THEM例文帳に追加

量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路 - 特許庁

To provide an electrochromic compound and to improve memory performance of a reflective display element using the compound.例文帳に追加

エレクトロクロミック化合物およびこれらを使用した反射型表示素子のメモリ性能を向上させること。 - 特許庁

The above-described storage element is used for a storage device such as a register and a cache memory that the signal processing circuit has.例文帳に追加

上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 - 特許庁

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

To provide a large-capacity and inexpensive memory cell array of a nonvolatile variable-resistance element excelling in current controllability.例文帳に追加

電流制御性に優れ、大容量で安価な不揮発性可変抵抗素子のメモリセルアレイを実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory comprising a low-voltage transistor having a sufficient element isolation characteristics.例文帳に追加

十分な素子分離特性を備えた低電圧トランジスタを持つフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the image element data read out of the automatic transfer area written into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

そして、自動転送エリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

The lower-order element is stored to a restoration frame memory for use in only the inverse prediction operation (118).例文帳に追加

一方、下位の要素は逆予測動作においてのみ用いるため復元フレームメモリに格納する（１１８）。 - 特許庁

Thus, the element isolation region for the memory cell region and the one for the peripheral circuit region can be formed.例文帳に追加

このことにより、メモリセル領域用と周辺回路領域用の素子分離領域が形成できる。 - 特許庁

A memory 38 or other circuit element is mounted in the service module 14 for the communication with the defibrillator.例文帳に追加

メモリ(38)又は他の回路要素が細動除去器と通信するために供給モジュール(14)に設けられる。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH TWO-BIT OPERATED TWO TRANSISTORS AND ITS DRIVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

２ビット作動の２トランジスタを備えた不揮発性メモリ素子並びにその駆動方法及び製造方法 - 特許庁

The memory element 13 and the like are sealed by a sealing resin layer 6 formed on the wiring board 2.例文帳に追加

メモリ素子１３等は配線基板２上に形成された封止樹脂層６で封止されている。 - 特許庁

The image element data read out of the automatic transfer area are written and stored into a frame buffer memory.例文帳に追加

そして、自動転送エリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

The rewritable non-volatile memory cell 1 has a selection transistor 10 and a data storage element 20.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセル１は、選択トランジスタ１０とデータ記憶素子２０とを備えている。 - 特許庁

The first phase change memory element includes a first phase change material having a first crystallization temperature.例文帳に追加

前記１相変化メモリ要素は第１結晶化温度を有する第１相変化物質を備える。 - 特許庁

FORMING METHOD OF ALUMINUM OXIDE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF CHARGE TRAP MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a variable resistance element driving method permitting realization of stable multi-value memory actions.例文帳に追加

安定した多値記憶動作を実現することができる抵抗変化素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element that sufficiently reduces a failure rate and power consumption.例文帳に追加

故障率及び消費電力を充分に小さくすることができる不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical disk (optical memory element) which has high recording density and wherein complicated reproduction processing is not needed.例文帳に追加

記録密度が高く、かつ、複雑な再生処理が不要な光ディスク（光メモリ素子）を提供する。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell comprising two selection transistors and one resistive storage element.例文帳に追加

２つの選択トランジスタと１つの抵抗性記憶素子から成るメモリセルのレイアウト面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a structure which enables efficient replacement of a defect element.例文帳に追加

不良要素の効率良い置き換えを可能にする構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁