「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device in which a comparator is used to compare, with a predetermined reference, an electrical change obtained in a state similar to a state in which a memory element has a resistance value of a second state, without changing the resistance value of the memory element from a first state to the second state.例文帳に追加

メモリ素子の抵抗値を第１状態から第２状態に変化させることなく、比較器による、メモリ素子が第２状態の抵抗値をもつ状態と同様の状態で得た電気的変化と、一定基準との比較が可能な半導体メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

The circuit is equipped with the frame memory 3 of a memory capacity depending on the number of bits of the inputted video signal and the number of display cells of the display element 4 as the frame memory 3 for temporarily saving the video signals for one frame component or one field component before outputting the same to the display element 4.例文帳に追加

１フレーム分或いは１フィールド分の映像信号を表示部４への出力前に一時的に保存するためのフレームメモリ３として、入力される映像信号のビット数及び表示部４の表示セル数に依存するメモリ容量のフレームメモリ３を備える。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array constituted by arranging a plurality of memory cells 1, each of which includes an anti-fuse element 11 on which data can be written by destroying a gate insulation film by high voltage.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、ゲート絶縁膜を高電圧で破壊することによりデータ書き込みが可能なアンチヒューズ素子１１を含むメモリセル１を複数個配置して構成されるメモリセルアレイを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the height of upper face of an element isolation insulating film between memory cell transistors is controlled so that the upper face is positioned within the thickness range of a charge storage film in an MONOS type semiconductor memory device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型の半導体記憶装置で、メモリセルトランジスタ間の素子分離絶縁膜の上面の高さが、電荷蓄積膜の厚さの範囲に位置するように制御された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

Each of the memory cell and the redundant memory cell has a memory element disposed in an area in which a bit and a word line intersect each other via an insulator, and the inspection circuit has a plurality of flip-flop circuits and an interface circuit.例文帳に追加

メモリセルと冗長メモリセルの各々は、ビット線とワード線が絶縁体を介して交差する領域に設けられた記憶素子を有し、検査回路は複数のフリップフロップ回路とインターフェース回路を有する。 - 特許庁

In the display device, a CPU drives a display element of a memory display panel by use of a power supplied to an antenna part to display an image according to information stored in a memory on the memory display panel.例文帳に追加

表示装置のＣＰＵは、アンテナ部に供給された電力を用いて記憶性表示パネルの表示素子を駆動し、メモリに記憶されている情報に応じた画像を記憶性表示パネルに表示させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element which can improve a thinning phenomenon of a gate oxide film.例文帳に追加

ゲート酸化膜のシニング現象を改善することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The other end of the sliding shaft 4 is coupled to one end of a shape memory alloy element 18 by a connector 17.例文帳に追加

摺動軸４の他端部は、コネクタ１７により形状記憶合金素子１８の一端に結合されている。 - 特許庁

To provide a random access magnetic memory or logic element with thermally-assisted writing using a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。 - 特許庁

To provide a method for forming the floating gate of a flash memory element in which the space of a floating gate can be ensured.例文帳に追加

フローティングゲートのスペースを確保することが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory element and a magnetic storage device which have lower power consumption and are capable of performing stable writing.例文帳に追加

低消費電力で、安定的な書き込みが可能な磁気記憶素子及び磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a storage element exhibiting superior low current operation and having excellent retention properties, and to provide a memory device.例文帳に追加

低電流動作に優れると共に良好な保持特性を有する記憶素子および記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an erase discharge control method suitable for preventing element destruction of a flash memory during erase discharge.例文帳に追加

フラッシュメモリの消去放電時の素子破壊を防止するのに適した消去放電制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of reducing an interference effect between floating gates.例文帳に追加

フローティングゲート間のインターフェアレンス効果を減少させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

INTERFACE SUBSTRATE, INSPECTION SYSTEM, AND INSPECTING METHOD FOR INSPECTING NONSTANDARD MEMORY ELEMENT IN ACTUAL OPERATING ENVIRONMENT例文帳に追加

非標準メモリ素子を実際の動作環境で検査するためのインタフェース基板、検査システム及び検査方法 - 特許庁

One or more dirty data element stored in the second cache memory is backed up in the nonvolatile storage resource.例文帳に追加

第二のキャッシュメモリに記憶された一以上のダーティデータ要素を不揮発性の記憶資源にバックアップされる。 - 特許庁

An element isolation part is provided between active areas in which the plurality of memory cells and the peripheral circuit part are formed, respectively.例文帳に追加

素子分離部は、複数のメモリセルおよび周辺回路部が形成されるアクティブエリア間に設けられている。 - 特許庁

To obtain good throughput even when accessing discontinuous addresses in a data memory and reading/writing element data.例文帳に追加

データメモリの不連続なアドレスにアクセスして要素データを読み書きする場合であっても、良好なスループットを得る。 - 特許庁

Thereby, interval between each memory element 403 can be narrowed and high recording density can be realized.例文帳に追加

こうすることによって、各メモリ素子４０３間の間隔を狭くして、高い記録密度を実現することができる。 - 特許庁

To provide a display device and the like having a pixel with built-in memory circuit incorporating pixel regardless of characteristics of a voltage detection element.例文帳に追加

電圧検知素子の特性によらないメモリ回路内蔵画素を有するディスプレイ装置等を提供する。 - 特許庁

Following the initialization of an internal memory element, a set of a test signal group is generated and processed with a logic block.例文帳に追加

内部記憶要素の初期化に続いて、テスト信号群のセットが論理ブロックによって発生および処理される。 - 特許庁

To provide a display element having excellent memory properties, durability and high contrast of white and black with a simple member construction.例文帳に追加

簡便な部材構成で、メモリー性、耐久性に優れ、かつ白と黒のコントラストが高い表示素子を提供する。 - 特許庁

A single zero-dimensional surface element is stored in a memory about each cell 200 oriented on the surface of the object.例文帳に追加

単一ゼロ次元面エレメントはオブジェクトの面上に定位された各セル２００についてメモリに記憶される。 - 特許庁

Data from a volatile memory element or a device such as a nonvolatile storage device are held in entries in the cache.例文帳に追加

揮発性メモリ素子または不揮発性記憶装置などの装置からのデータが、キャッシュ内のエントリに保持される。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, HEAD-GIMBAL ASSEMBLY, HEAD-ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK DEVICE, MAGNETIC SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、磁気センサおよび磁気メモリ - 特許庁

To improve write quality in verify operation in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体装置において、ベリファイによる書き込み品質の向上を図る。 - 特許庁

To promote low power consumption and high speed of a nonvolatile semiconductor memory device using a resistance change type element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性半導体記憶装置の低消費電力化と高速化を促進する。 - 特許庁

A system is provided, which has a processing element (PE), an input/output (I/O) interface device, and a shared memory.例文帳に追加

処理エレメント（ＰＥ）、入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェースデバイス及び共有メモリを有するシステムが提供される。 - 特許庁

To provide a flash memory to which a self-aligned trench element isolation film is applied, and also to provide a method thereof.例文帳に追加

自己整合されたトレンチ素子分離膜が適用されたフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The writing power source circuit 2 receives the stop signal S2 to stop the supply of a voltage to the memory element 1.例文帳に追加

書き込み用電源回路２は、停止信号Ｓ２を受け取り、メモリ素子１への電圧供給を停止する。 - 特許庁

To provide a 1T/1C type ferroelectric memory having high reliability of read data and long element life.例文帳に追加

読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命が長い１Ｔ／１Ｃ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The emulator 10 consists of a connection element to a keyboard port 32, a microphone 12, a processor 22 and a memory 24.例文帳に追加

キーボード・エミュレータ１０は、キーボード・ポート３２への接続素子、マイクロホン１２、プロセッサ２２およびメモリ２４で構成される。 - 特許庁

A plurality of memory cell transistors MT have active regions Sa thereof separated from each other by an element separating groove 2.例文帳に追加

複数のメモリセルトランジスタＭＴは、活性領域Ｓａが素子分離溝２によって互いに分離している。 - 特許庁

The first or the second memory cells each include a selection transistor connected in parallel and a resistive storage element.例文帳に追加

第一乃至第二のメモリセルの各々は、並列接続される選択トランジスタと抵抗性記憶素子とを有する。 - 特許庁

MICROELECTRONIC STRUCTURE, MULTI-CHIP MODULE, MEMORY CARD INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT例文帳に追加

マイクロ電子構造体、マルチチップモジュール及びそれを含むメモリカードとシステム並びに集積回路素子の製造方法 - 特許庁

The calculated result is held in a center of gravity coordinate memory 3, and a movement destination element judging part 4 is informed of the result.例文帳に追加

計算結果は重心座標メモリ３に保持され、その旨が移動先要素判定部４に通知される。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子の製造方法とトンネル磁気抵抗素子および磁気メモリ装置の製造方法と磁気メモリ装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element which can acquire a charge capacity of a floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極の充電容量を確保することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC MEMORY, AND PIEZO-ELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリおよび圧電素子 - 特許庁

STORAGE NODE INCLUDING FREE MAGNETIC LAYER OF MAGNETIC ANISOTROPY MATERIAL, MAGNETIC MEMORY ELEMENT INCLUDING THE STORAGE NODE, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気異方性物質の自由磁性層を含むストレージノード、これを含む磁気メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, PORTABLE TERMINAL APPARATUS, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 - 特許庁

In the readout data from each element hologram, readout data not stored yet are stored in a memory means.例文帳に追加

そして各要素ホログラムからの読出データについて、まだ記憶されていない読出データを記憶手段に記憶していく。 - 特許庁

When the rolled paper sheet 40 is detached from the printer 31, the printer 31 writes the residual amount on the memory element.例文帳に追加

ロール紙４０をプリンタ３１から取り外す場合、プリンタ３１は、その残量を前記記憶素子に書き込む。 - 特許庁