「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an improved memory element in which appropriate read-out can be performed in single bit and dual bit structure memory cells and which is operated with reduced power source voltage.例文帳に追加

単一ビットおよびデュアルビット構造メモリセルの適切な読出しを可能にし、かつ減じられた電源電圧で動作する改良されたメモリ素子を提供する。 - 特許庁

The memory comprises memory cells each of which includes a storage element in an area on which a bit line and a word line intersect with each other across an insulator, a column decoder, and a selector including a clocked inverter.例文帳に追加

本発明は、ビット線とワード線が絶縁体を介して交差する領域に記憶素子を含むメモリセルと、カラムデコーダと、クロックドインバータを含むセレクタを有する。 - 特許庁

The memory member 44 is constituted by covering the storage element 44b1, a transmission member, and a base 44b3 provided with a memory antenna 44b2 with exterior members 44a1 and 44a2.例文帳に追加

記憶素子４４ｂ１、送信部材、及び、メモリーアンテナ４４ｂ２の設けられた基体４４ｂ３を外装部材４４ａ１，４４ａ２で覆ってメモリー部材４４を構成する。 - 特許庁

The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ２はメモリトランジスタＴＲ１の上部に設けられ、ゲート電極５ｂが素子形成領域１００の側面のＢ面及びＣ面に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element highly efficiently accumulating and erasing charges and holding the accumulated charges for a long time, and to provide a semiconductor memory device.例文帳に追加

高効率に電荷を蓄積及び消去することができ、かつ蓄積した電荷を長時間保持することができる半導体記憶素子、及び半導体記憶装置を提供する - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory element, capable of providing a nonvolatile memory by a CMOS process of standard logic, and capable of arranging compactly a capacitor to minimize an area.例文帳に追加

標準ロジックのＣＭＯＳプロセスで不揮発性メモリを実現し、キャパシタをコンパクトに配置して面積を最小限にする、不揮発性半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To reduce the offset of an input signal of a sense amplifier 10 in a nonvolatile semiconductor memory device with a memory element which stores data by means of the level change of a resistance value.例文帳に追加

抵抗値のレベル変化によってデータを記憶する記憶素子を備えた不揮発性半導体記憶装置において、センスアンプ１０の入力信号のオフセットを低減させる。 - 特許庁

The magnetic random access memory uses a magnetoresistive effect film composed of a multilayered magnetic film as a memory element or the mechanism for inverting the magnetization as an information writing means.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which prevents plasma charging damage to a memory unit of a resistance change element and damage and mechanical stress caused by processing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

抵抗変化素子の記憶部へのプラズマチャージングダメージや、加工による機械的な応力やダメージを防ぐ不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic memory device based on easy domain wall propagation and the extraordinary Hall effect includes a perpendicular-to-plane magnetic and electrically conductive element (2) that includes a memory node (3).例文帳に追加

容易な磁区壁の拡張と異常ホール効果とに基づく磁気メモリデバイスが面に垂直な磁性かつ導電性の要素（２）を含み、その要素がメモリノード（３）を含んでいる。 - 特許庁

Thus, reading, programing, or erase for a nonvolatile memory element of a twin memory cell can be performed by obtaining a plurality of operation voltages utilizing the power source voltage from the charge pump 11.例文帳に追加

こうして、チャージポンプ１１からの電源電圧を利用して複数の動作電圧を得て、ツインメモリセルの不揮発性メモリ素子に対するリード、プログラム又は消去を可能にする。 - 特許庁

To improve throughput, to eliminate a high temperature acceleration test, and to extend the range of guarantee temperature and guarantee date in a semiconductor memory device provided with a non-volatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子を備えた半導体記憶装置に関し、スループットを向上させ、高温加速試験を省略でき、保証温度や保証年月の範囲を広くすること。 - 特許庁

To read out data at a higher speed than heretofore in a nonvolatile semiconductor memory device with a memory element for storing data by means of the level change of a resistance value.例文帳に追加

抵抗値のレベル変化によってデータを記憶する記憶素子を備えた不揮発性半導体記憶装置において、従来よりも高速のデータ読出を可能にする。 - 特許庁

A memory element 1 includes a memory thin film made of a metal oxide for storing information by a change in reversible electric resistance formed on a conductive substrate.例文帳に追加

メモリ素子１は、導電性基板上に形成された、可逆的な電気抵抗の変化によって情報を記憶する金属酸化物からなるメモリ薄膜を備える。 - 特許庁

To provide a micro device applicable to, for example, an amplifying circuit having a memory function, a memory apparatus or an analog switch, etc. by using an electron emission element.例文帳に追加

電子放出素子を使用して、例えばメモリ機能を有する増幅回路やメモリ装置あるいはアナログスイッチ等に応用することができマイクロデバイスを提供する。 - 特許庁

An image, which is obtained by development having reproducibility using an imaging element having a designated image reading function, is recorded on a frame memory and then read from the frame memory.例文帳に追加

本発明は、指定画素読み出し機能を有する撮像素子を用いて再現性のある現象を撮影した画像をフレームメモリに記録して、該フレームメモリから画像を読み出す。 - 特許庁

The activated memory device includes a component element that is turned on to create an ODT control signal for controlling an ODT circuit of a deactivated memory device.例文帳に追加

活性化されたメモリ装置は、非活性化されたメモリ装置のＯＤＴ回路を制御するＯＤＴ制御信号を生成するためにターンオンされる構成要素を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which forms a double profile at an upper corner of an active region, when an element isolation film is formed of steps of manufacturing the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ製造工程のうち素子分離膜を形成する際に活性領域の上部角に二重プロファイルを形成するフラッシュメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The computing element 33 of a data line driving circuit 13 compensates image data DT using correction data Δh1-Δhm of correction data memory 31 and outputs them to a line memory 34.例文帳に追加

データ線駆動回路１３の演算器３３は、画像データＤＴを補正データメモリ３１の補正データΔｈ１〜Δｈｍを用いて補正してラインメモリ３４に出力する。 - 特許庁

To provide a display medium which makes memory property possible; a display element using the same which has the memory property, high resolution and enable full color display; and a display method.例文帳に追加

メモリー性を可能とする表記媒体、それを用いた、メモリー性を有し、高解像度であり、フルカラー表示が可能な表示素子及び表示方法を提供する。 - 特許庁

And, in a vertical fly-back interval, each element of the row to be corrected is driven for correction based on the data stored in the correction data memory 115 and the image data memory 116.例文帳に追加

そして、垂直帰線期間において、補正データメモリ１１５と画像データメモリ１１６に格納されたデータに基づいて補正対象行の各素子の補正駆動を行う。 - 特許庁

To provide a flash memory element and an erasing method of a flash memory cell using the same which allow the erasing of a cell block unit and a page unit to be performed.例文帳に追加

セルブロック単位の消去及びページ単位の消去を行うことが可能なフラッシュメモリ素子及びこれを用いたフラッシュメモリセルの消去方法を提供する。 - 特許庁

To finely adjust a phase of a clock according to a use condition in a memory module on which a memory element group operating synchronously with a clock signal is mounted.例文帳に追加

クロック信号に同期して動作するメモリ素子群を搭載するメモリモジュールにおいて、その使用条件に応じてクロックの位相を微調整することができるようにする。 - 特許庁

A decoder circuit 1 is installed in each of the memory cells and is connected via a word line WL to the other terminal of the ferroelectric capacitive element 2 composing the memory cells.例文帳に追加

デコーダ回路１は、複数のメモリセル毎に設置され、メモリセルを構成する強誘電体容量素子２の他方の端子にワード線ＷＬを介して接続される。 - 特許庁

When the N-th row image data are written in the memory 141 (diagram 2), the (N-1)-th row image data are read from the memory 141 (diagram 2) and inputted to the element 142 (diagram 2).例文帳に追加

遅延メモリ141(図２)にN行目の画像データが書き込まれると、遅延メモリ141(図２)から(N-1)行目の画像データが読み出されて近傍演算器142(図２)に入力される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which control voltage for a control gate line selection switching element is made low voltage by analyzing read-operation for a twin memory cell.例文帳に追加

ツインメモリセルへのリード動作を解析することで、コントロールゲート線選択スイッチング素子への制御電圧を低電圧化した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A hydrogen leak pass layer and a hydrogen trap layer are connected to an electrode provided in the capacitor, in a semiconductor memory element employing the ferroelectric thin film as a memory capacitor.例文帳に追加

強誘電体薄膜をメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中に設ける電極に水素リークパス層と水素トラップ層を接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device wherein data of many bits (at least two bits) can be stored in at least one side of two memory function bodies included in a memory element.例文帳に追加

メモリ素子に含まれる２つのメモリ機能体の少なくとも一方に多ビット（２以上のビット）のデータを記憶することを可能にする半導体記憶装を提供する。 - 特許庁

A signal voltage Vs is applied to a memory capacitance Cm via the first TFT element 1 and the memory capacitance Cm is charged till it reaches the signal voltage Vs.例文帳に追加

信号電圧Ｖｓが第１のＴＦＴ素子１を介してメモリ容量Ｃｍに印加されて、メモリ容量Ｃｍは信号電圧Ｖｓに達するまで充電される。 - 特許庁

When a memory module element is not incorporated, a chip resistor of 0 Ω is inserted in the chip resistance socket 6b, and a signal inputted to the memory module is inputted to the load circuit.例文帳に追加

もし、メモリ素子が搭載されない場合は、チップ抵抗ソケット６ｂに０Ωのチップ抵抗を挿入して、メモリモジュールに入力された信号は負荷回路に向かう。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

The imaging element module includes a MOS type imaging element 22 for imaging a subject image, a memory 25 for storing picked-up image data of the imaging element 22 with a digital signal, and a compressing means 27 for compressing the picked-up image data read from the memory 25 and outputting the compressed picked-up image data to the outside.例文帳に追加

被写体画像を撮像するＭＯＳ型の撮像素子２２と、撮像素子２２の撮像画像データをデジタル信号で記憶するメモリ２５と、メモリ２５から読み出した撮像画像データを圧縮して外部に出力する圧縮手段２７とを撮像素子モジュールに設ける。 - 特許庁

The storage device with a variable resistance memory element includes: a first memory element that includes a first variable resistance layer 3 and a first electrode 4; and a second memory element that includes a second variable resistance layer 2 whose thickness is different from that of the first variable resistance layer 3, and a second electrode 4.例文帳に追加

抵抗変化型のメモリ素子を有して構成された記憶装置を、第１の抵抗変化層３及び第１の電極４を含む第１のメモリ素子と、第２の抵抗変化層２及び第２の電極４を含み、第２の抵抗変化層２の厚さが第１の抵抗変化層３とは異なる、第２のメモリ素子とを含んで構成する。 - 特許庁

The memory card is provided with: a memory 102 for storing data; a driver 108 for modulating the data stored in the memory 102; a transmission element 107b for transmitting the modulated data to a receiving element 17b installed in external body apparatus 10; and an IC chip in which the driver 108 and the transmission element 107b are formed.例文帳に追加

本発明の一態様に係るメモリカードは、データが格納されたメモリ１０２と、メモリ１０２に格納されたデータを変調するドライバ１０８と、外部の本体機器１０に設けられた受信素子１７ｂに対し、前記変調されたデータを送信する送信素子１０７ｂと、ドライバ１０８と送信素子１０７ｂとが形成されたＩＣチップと、を備えたものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10, a memory element 12 formed on the semiconductor substrate 10, an interlayer insulating layer 26 formed at the upper part of the memory element 12, a light shielding layer 28 formed in overlap with the memory element 12 at the upper part of the interlayer insulating layer 26, and a reflection preventing layer 32 formed in the part lower than the light shielding layer 28.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されたメモリ素子１２と、メモリ素子１２の上方に形成された層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６の上方に、メモリ素子１２とオーバーラップして形成された遮光層２８と、遮光層２８よりも下方に形成された反射防止層３２と、を含む。 - 特許庁

In this flash memory element, a drain junction power supply terminal line and the ground terminal line are connected with connection terminals which are not contiguous to each other at the joint of the internal circuit of the flash memory element and an SDA input buffer.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子は、フラッシュメモリ素子の内部回路とＳＤＡ入力バッファとの接続部において、ドレイン接合電源端子ラインと接地端子ラインとが互いに隣接しない接続端子に接続される。 - 特許庁

The control circuits 3, 4 reversibly change the resistance value of each memory element at least between a first value and a second value by controlling the value and an application time of a voltage applied to the memory element without changing the polarity of the voltage.例文帳に追加

制御回路３，４は、メモリ素子に印加される電圧の極性を変えずに、電圧の大きさと印加時間とを制御することにより、メモリ素子の抵抗値を少なくとも第一値と第二値との間で可逆変化させる。 - 特許庁

To provide the non-volatile semiconductor memory device of low cost and high density reduced in the element separate width of a memory cell and improved in work controllability by reducing the embedding aspect of an element separate insulating film and a producing method therefor.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくするとともに加工制御性に優れた、低コスト高密度の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a memory element 16 having a structure in which an insulating film 17 and a metal film or a metallic compound film 19 are stacked; and a transistor having a gate structure with the same stacked structure as the memory element 16.例文帳に追加

半導体装置を、絶縁膜１７と金属膜又は金属化合物膜１９とを積層した構造を有するメモリ素子１６と、メモリ素子１６と同一の積層構造を有するゲート構造を持つトランジスタとを備えるものとする。 - 特許庁

To provide an ink tank with an excellent ink storage efficiency which can obtain external dimensions and ink storage volume equal to those of an ink tank without a loaded memory element, even in a highly functional ink tank with a loaded memory element.例文帳に追加

記憶素子を搭載した高機能なインクタンクにおいても、記憶素子を搭載しないインクタンクと同等の外形サイズおよびインクの収納容積を得ることができるインク収納効率に優れたインクタンクの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element in which an MTJ structure of the nonvolatile memory element can be patterned without causing a short circuit nor a current leak and without damaging the MTJ structure.例文帳に追加

短絡や電流リークを生じさせること無く、しかも、ＭＴＪ構造にダメージを生じさせること無く、不揮発性メモリ素子におけるＭＴＪ構造のパターニングを行い得る不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To effectively suppress a change of a threshold value for a nonvolatile semiconductor memory element during holding data by effectively suppressing charge emission from the upper insulating layer of the nonvolatile semiconductor memory element when holding the data.例文帳に追加

本発明は、データ保持時の不揮発性半導体記憶素子の上部絶縁層からの電荷の放出を効果的に抑制し、不揮発性半導体記憶素子のデータ保持中の閾値変化を効果的に抑制することを目的とする。 - 特許庁

The sense amplifier 10 includes: transistors 29, 30 for applying constant voltages to the memory element; load transistors 61, 62 for converting currents flowing through the memory element; and a differential amplifier circuit 41 for detecting the potential difference of nodes N27, N28.例文帳に追加

センスアンプ１０は、記憶素子に定電圧を印加するためのトランジスタ２９，３０と、記憶素子を流れる電流を電圧に変換するための負荷６１，６２と、ノードＮ２７，Ｎ２８の電位差を検出する差動増幅回路４１とを含む。 - 特許庁

The storage cell for the memory element and the phase change type memory element have a first phase change substance pattern 107a', and a high resistance phase change substance pattern 109a' formed on the first phase change substance pattern 107a'.例文帳に追加

記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子は、第１相変化物質パターン１０７ａ’と、第１相変化物質パターン１０７ａ’上に形成された高抵抗相変化物質パターン１０９ａ’とを備える。 - 特許庁

To improve the operation reliability in a semiconductor module by preventing a signal flowing to the bonding wire of one semiconductor element from becoming noise of a memory element in the semiconductor module having a plurality of semiconductor elements and memory elements.例文帳に追加

複数の半導体素子とメモリ素子とを有する半導体モジュールにおいて、一方の半導体素子のボンディングワイヤを流れる信号がメモリ素子のノイズとなることを抑制し、半導体モジュールの動作信頼性を向上させる。 - 特許庁