「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic random access memory element is made from a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ要素が第一磁気トンネル接合及び第二磁気トンネル接合から構成されている。 - 特許庁

To provide a phase change memory element connected to the edge part of a thin film electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜電極に周囲で接続した相変化メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for enhancing data writing and retention to a magnetic memory element.例文帳に追加

磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法を提供する。 - 特許庁

The video data that is held in the second-memory element is output to a source line through a buffer.例文帳に追加

そして、第２メモリ素子に保持されている映像データはバッファを介してソース線に出力される。 - 特許庁

Each of a plurality of unit logic circuits is provided with a processor element 101 and a memory device 102.例文帳に追加

複数の単位論理回路の各々は、プロセッサエレメント１０１及びメモリ装置１０２を具備している。 - 特許庁

To provide a memory element, whose thermal stability can be improved without increasing a write current.例文帳に追加

書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

The switch element has a pointer table 122 capable of storing data read/write memory location addresses.例文帳に追加

スイッチ素子は、さらにデータを読み書きするためのメモリ位置のアドレスを記憶可能なポインタテーブル１２２を有する。 - 特許庁

A voice element, etc., of a used language is transferred beforehand from the DVD-ROM 1 to the memory card 2.例文帳に追加

使用する言語の音声素片などを、ＤＶＤ−ＲＯＭ１からメモリカード２に転送しておく。 - 特許庁

To increase heat generation efficiency while reducing damage to a recording layer at the time of manufacture of a nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の製造時における記録層へのダメージを低減しつつ、発熱効率を高める。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element in which a cell size can be prevented from increasing, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

セル大きさの増大を防止できる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A portable terminal 36 reads the media information of the memory element, and transmits it to the control computer 21.例文帳に追加

一方、携帯端末３６は、前記記憶素子のメディア情報を読み取り、管理コンピュータ２１に送信する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element for preventing an occurrence of a residue of a gate etching.例文帳に追加

ゲートエッチングの残余物の発生を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To write multi-valued data at high speed in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体装置において、多値データの書き込みを高速に行う。 - 特許庁

To provide a magnetic memory element which achieves functions of writing and reading information by using metal lines.例文帳に追加

メタルラインを利用し、情報の書き込みと読み取りとの機能を具現した磁気メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To achieve an addressing operation for addressing a memory element inside a cross-point diode array and to realize a sensing circuit.例文帳に追加

交点ダイオードメモリアレイ内のメモリエレメントにアクセスするためのアドレス指定及びセンシング回路の実現。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which can prevent an etching residue on side walls of an element isolation insulating film when a floating gate electrode is formed.例文帳に追加

浮遊ゲート電極形成時に素子分離絶縁膜の側壁に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

To make both high performance and low power consumption compatible with each other by using a DDR (Double-Data-Rate) type memory element.例文帳に追加

ＤＤＲタイプのメモリ素子を使用して、高いパフォーマンスと低消費電力化を両立する。 - 特許庁

A nonvolatile memory 15 is a recording means for recording the calculated positions of pixel defects of the image sensing element.例文帳に追加

不揮発性メモリ１５は、算出された撮像素子の画素欠陥位置を記録する記録手段である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element in which Sb, Ga, or Bi is doped, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-bit and multi-level non-volatile memory element and its operation method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

マルチビット及びマルチレベル不揮発性メモリ素子、その動作方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for designing a low power leakage monitor element, a memory cell being the same as a cell in an actual array is used.例文帳に追加

低電力リーク・モニタ素子を設計する方法は、実アレイ内のセルと同一のメモリ・セルを使用する。 - 特許庁

DRIVE METHOD OF NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT PROVIDED WITH IT例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の駆動方法、半導体記憶装置及びそれを備えてなる液晶表示装置 - 特許庁

To reduce the probability of an operator making an error in determination and suppress the probability of a memory element reaching the end of its life.例文帳に追加

オペレータが判断を誤る確率を低減し、記憶素子が寿命に到達する確率を抑える。 - 特許庁

The apparatus is further provided with an external memory element mounting part 21 arranged near the operation/display part and capable of mounting the external memory element 20 so as to be connected with the control part, and the control part is configured so as to execute control or display using information stored in the mounted external memory element.例文帳に追加

操作・表示部の近傍に配置され、制御部と接続されるように外部記憶素子２０を装着可能な外部記憶素子装着部２１を更に備え、制御部は、装着された外部記憶素子に記憶された情報を用いて制御あるいは表示を行うことが可能なように構成される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a chemical reaction of a silicon substrate with a ferroelectric element is suppressed.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体との間の化学反応が抑制された強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of raising a quality of a tunnel oxide film.例文帳に追加

トンネル酸化膜のクォリティーを向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING SELECTING TRANSISTOR STRUCTURE AND SONOS CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

選択トランジスタ構造及びＳＯＮＯＳセル構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

EVALUATION ELEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING THE SAME, WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CELL AND CHIP例文帳に追加

不揮発性メモリセル用の評価素子及びこれを含む半導体チップ、ウェハ、及び、これらの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DISCRIMINATING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT BY INADEQUATE SUBTHRESHOLD VALUE GRADIENT OR WEAK TRANSCONDUCTANCE例文帳に追加

不十分な副しきい値勾配または弱いトランスコンダクタンスによって不揮発性メモリ素子を識別する方法 - 特許庁

The data can be scanned out from the triple redundant latch by using the third settable memory element.例文帳に追加

第３の設定可能メモリ要素を使用すると、三重冗長ラッチからデータをスキャンアウトさせることができる。 - 特許庁

A pixel circuit 20 includes TFTs 122, 124, 126, 128, a memory circuit 30, and a liquid crystal element 150.例文帳に追加

画素回路２０は、ＴＦＴ１２２、１２４、１２６、１２８と、メモリ回路３０と、液晶素子１５０とを含む。 - 特許庁

An element resulting from the received packet is recorded in a buffer memory (6) composed of a FIFO mode.例文帳に追加

受信したパケットから得た要素は、先入れ先出しモードで構成されるバッファメモリ（６）に記録される。 - 特許庁

An issue system 100 of a direct memory access request command uses a streaming ID from a processing element.例文帳に追加

プロセッシングエレメントからのストリーミングＩＤを用いたダイレクトメモリアクセスリクエストコマンドの発行システム１００である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC CAPACITOR ELEMENT FOR FERROELECTRIC MEMORY INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

強誘電体メモリ集積回路用の強誘電体キャパシタ素子の製造方法及び強誘電体キャパシタ - 特許庁

MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH ONE TRANSISTOR AND ONE RESISTOR AS DATA STORAGE MEANS, AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

１つのトランジスタとデータ貯蔵手段として１つの抵抗体を備えるメモリ素子及びその駆動法 - 特許庁

The memory cell MC includes a first reluctance element 100 having a resistance switched between first and second values.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、抵抗値が第１値と第２値の間で切り換わる第１磁気抵抗素子１００を含む。 - 特許庁

The tunnel negative resistance element is used for a single-electron transistor, a single-electron pump, a single-electron memory, etc.例文帳に追加

このトンネル負性抵抗素子を単電子トランジスタ、単電子ポンプ、単電子メモリなどとして用いる。 - 特許庁

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FERROELECTRIC FILM例文帳に追加

強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子及び強誘電体膜の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is excellent in its characteristic as a memory element and can be manufactured easily.例文帳に追加

メモリ素子としての特性に優れ、かつ容易に製造することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical disk (optical memory element) capable of accurately performing reproduction without needing complicated reproduction processing.例文帳に追加

複雑な再生処理を必要とせず、正確に再生可能な光ディスク（光メモリ素子）を提供する。 - 特許庁

To provide a 2 bit writable nonvolatile memory element and its driving method and fabricating method.例文帳に追加

２ビット書き込み可能な不揮発性メモリ素子、その駆動方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

NONCONTACT TYPE DATA CARRIER WITH FUNCTION OF DETECTING TEMPERATURE CHANGE, AND TEMPERATURE CHANGE MEMORY TYPE BIMETAL SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアおよび温度変化記憶型のバイメタルスイッチング素子 - 特許庁

The array T is treated as a pushdown memory with top as a pointer to the uppermost element. 例文帳に追加

この配列Ｔは、先頭を最上位の要素へのポインタとして持つプッシュダウン記憶として扱われる。 - コンピューター用語辞典

The second syndrome/computing circuit 13 provides a memory element 13bn for storing progress through the syndrome/ computing, reads out the corresponding data out of the memory element 13bn to compute the syndrome every time when the corrected line data of PI sequence is inputted, and updates the prior data stored in the memory element 13bn with its value.例文帳に追加

第２のシンドローム計算回路１３は、シンドロームの計算途中経過を記憶する記憶素子１３ｂｎを備え、訂正済みのＰＩ系列ラインデータが入力されるたびに、記憶素子１３ｂｎから対応するデータを読出してシンドロームを演算し、その値を記憶素子１３ｂｎに記憶されている古いデータに上書きする。 - 特許庁

To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁