「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive printed board where memory data can be erased by irradiation with ultraviolet rays and a semiconductor element equipped with a built-in memory element whose memory data can be erased by irradiation with ultraviolet rays is mounted in a flip chip mounting manner keeping it high in reliability.例文帳に追加

紫外線照射により記憶情報を消去可能な記憶素子を内蔵する半導体素子を、高い信頼性でフリップチップ実装することができ、紫外線照射により記憶情報の消去が可能な低コストのプリント基板を提供する。 - 特許庁

When the plurality of groups of element data is transferred from a main memory 120 to the local memory 150 of a graphic accelerator in a data transfer controller, an including area which encloses the element data is calculated through the use of collective transfer information on the main memory 120 by an including area calculating part 181.例文帳に追加

メインメモリ１２０からグラフィックアクセラレータのローカルメモリ１５０に複数組の要素データを転送するにあたり、包括領域算出部１８１はメインメモリ１２０上の一括転送情報を用いて要素データを囲む包括領域を算出する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of stably detecting current of a memory cell of readout object in the nonvolatile memory adopting a diode as a selection element of the memory cells which are laminated so as to share word lines and bit lines.例文帳に追加

ワード線とビット線を共有するようにして積層化されたメモリセルの選択素子としてダイオードを採用する不揮発性メモリにおいて、読み出し対象のメモリセルの電流を安定的に検出することを可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To easily confirm whether a write property setting element 14 is in a write prevention state or a writable state while a memory card storage case 20 stores a semiconductor memory card 10, in the memory card storage case 20 storing a plurality of semiconductor memory cards 10.例文帳に追加

複数の半導体メモリカード１０を収納するメモリカード収納ケース２０に関し、半導体メモリカード１０を収納した状態で、当該書込可否設定子１４が書込防止状態か書込可能状態かの確認が容易に行える。 - 特許庁

A nonvolatile memory element is provided with a first memory section provided with a first storage node capable of storing data by a first method, and a second memory section provided with a second storage node capable of storing data by a second method different from that of the first memory section.例文帳に追加

第１方式でデータを保存できる第１ストレージノードを備えている第１メモリ部と、第１メモリ部とは異なる第２方式でデータを保存できる第２ストレージノードを備えている第２メモリ部とを備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

Further, in each operation, partial matrix elements of the element matrix and the arrangement matrix are read out from the first local memory and stored in the second local memory, and in each reading, an element corresponding to the matrix element read out from the arrangement matrix in the second partial vector is multiplied by the matrix element read out from the element matrix and the operation result is outputted.例文帳に追加

また、その演算毎に、第１局所メモリから要素行列および配置行列の一部の行列要素を読み出して第２の局所メモリに格納し、その読み出し毎に、第２部分ベクトルのうち配置行列から読み出した行列要素に対応する要素を、要素行列から読み出した行列要素に乗じ、演算結果を出力する。 - 特許庁

ORGANIC METAL COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SOLUTION COMPOSITION COMPRISING THE ORGANIC METAL COMPLEX, LIQUID CRYSTAL RAW MATERIAL, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT, AND NON-DESTRUCTIVE READABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

有機金属錯体、その製造方法、該有機金属錯体溶液組成物、液晶素材、および、液晶素子、ならびに、非破壊読み出し可能メモリー素子 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a structure in which an MTJ element hardly deteriorates in a manufacturing step even if the MTJ element is miniaturized.例文帳に追加

ＭＴＪ素子が微細化されても、製造工程においてＭＴＪ素子が劣化され難い構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which solves cross talk problems and to provide its manufacturing method, in relation to a passive matrix element constituted of a memory element and a thin film transistor.例文帳に追加

記憶素子と薄膜トランジスタで構成されたパッシブマトリクス型素子において、クロストークを解決する半導体装置およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

In a non-volatile memory cell element of the present invention and a method of forming such an element, at least one edge of an electric charge trap film is recessed.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子及びそのような素子を形成する方法において、電荷トラップ膜の少なくとも一つのエッジがリセスされる。 - 特許庁

To provide an erasing method of stored information in a flash memory element that degradation of a program characteristic of an element at the time of erasing stored information can be prevented.例文帳に追加

記憶情報消去時の素子のプログラム特性低下を防止できる、フラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of writing continuous data over a plurality of row addresses while using a one-write type SRAM element for a storage element.例文帳に追加

記憶素子に１ライト型SRAM素子を用いながら、複数のロウアドレスにまたがる連続データの書き込みを可能とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An operating condition of each of dot elements forming a line head is checked by each element and information about an operable or inoperable condition of each dot element is stored in a memory.例文帳に追加

ラインヘッドを構成する各ドット素子の動作状態を１素子ずつチェックしてドット素子毎に動作可または動作不可の情報を記憶する。 - 特許庁

The deformation mechanism 17 is composed of a thermal element 35 composed of a shape-memory alloy, and an energizing member 39 for applying the bias force to the thermal element 35.例文帳に追加

変形機構１７は、形状記憶合金よりなる熱応動素子３５と、その熱応動素子３５にバイアス力を付与する付勢部材３９とより構成する。 - 特許庁

To realize a nonvolatile semiconductor memory comprising a high performance high breakdown voltage element for controlling the write/erase voltage and a high performance logic element.例文帳に追加

高性能の書込・消去電圧制御用高耐圧型素子と高性能のロジック素子とを備えた不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

When a readout signal is transmitted, the wireless communication circuit element 11 having received the signal reads out the information from the memory element 12, and transmits the information to the writer/reader 19.例文帳に追加

読み出し信号が送信されると、受信した無線通信回路素子１１は記憶素子１２より情報を読み出し、書込・読出装置１９に送信する。 - 特許庁

A flow of a field assist current is substantially applied adjacent the magnetic memory element during continued application of the write current to induce a magnetic field upon the element.例文帳に追加

フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。 - 特許庁

To provide a memory capable of simplifying structure by permitting information recording to a storage element without the need for changing the polarity of a current supplied to the storage element.例文帳に追加

記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。 - 特許庁

OXIDE MATERIAL, MAGNETOOPTICAL DEVICE, FARADAY ROTATION COEFFICIENT CONTROLLING METHOD, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, RESIDUAL MAGNETIZATION CONTROLLING METHOD, AND COERCIVE FORCE CONTROLLING METHOD例文帳に追加

酸化物材料、光磁気デバイス、ファラデー回転係数制御方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ素子、残留磁化制御方法及び保持力制御方法 - 特許庁

The lower portion includes the tree entry point, and is stored in a memory element with a faster access time than the upper portion including the terminating element of the decision tree.例文帳に追加

低位部分は、ツリーの入口点を含み、決定ツリーの終端エレメントを含む上位部分よりもアクセス時間が高速なメモリ・エレメントに記憶される。 - 特許庁

To disclose a technology for achieving a programmable nonvolatile logic switch (register) element by utilizing a resistive storage element in particular about a nonvolatile memory device.例文帳に追加

本発明は不揮発性メモリ装置に関し、特に抵抗記憶素子を利用してプログラマブル不揮発性ロジックスイッチメモリ（レジスタ）素子を実現する技術を開示する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.例文帳に追加

素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To permit a plurality of times of writing by using a memory element having an FUSE element or the like and permitting only one writing and to reduce a circuit size.例文帳に追加

ＦＵＳＥ素子等を有する１回だけ書き込みが可能な記憶素子を用いて複数回の書き込みを可能にするとともに、回路規模を低減する。 - 特許庁

To provide a memory element, a memory device, and a reading method, each of which is applicable to data reading from a nonvolatile optical memory element, since a nonvolatile optical memory element in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor causes such a problem that in a case where magnetization of the ferromagnetic body is read by light, magneto-optical response becomes very small when the ferromagnetic body is small in volume.例文帳に追加

半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of enhancing a reliability of the flash memory element to which a shallow trench isolation (STI) process is applied and capable of being miniaturized.例文帳に追加

本発明は、シャロートレンチアイソレーション(shallow trench isolation：ＳＴＩ)工程が適用されるフラッシュメモリ素子の信頼性を向上させ且つ縮小化を図ることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To identify a plurality of laminated memory chips without increasing the number of processes by using a high resistance element in a multichip package which uses a resistance change type memory element for a cell.例文帳に追加

本発明は、抵抗変化型メモリ素子をセルに用いたマルチチップパッケージにおいて、高抵抗素子を利用することにより、工程数の増加を必要とすることなく、積層された複数のメモリチップを識別できるようにする。 - 特許庁

To provide a memory element wherein recorded information is hardly lost even by light irradiation for reading recording, and also to provide an image processing method by which initialization, recording and erasure of memory element are made.例文帳に追加

本発明は、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子及び該メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel ferrocene-containing conductive polymer able to enhance action characteristics when used as a material of the organic active layer of an organic memory element, the organic memory element and a method for producing the same.例文帳に追加

有機メモリ素子の有機活性層の素材として使用するときに動作特性を向上させることが可能な新規のフェロセン含有伝導性高分子、これを用いる有機メモリ素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an optical memory element in which recorded information is not lost even by irradiation with record readout light, with respect to a photon-mode optical memory element using a photochromic compound as a recording material.例文帳に追加

本発明は、フォトクロミック化合物を記録材料として用いたフォトンモードの光メモリ素子に関し、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われない光メモリ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To increase the capacitance of a capacitor per unit area of a capacitor element and reduce the area of the capacitor element in a non-volatile semiconductor memory device including an MONOS type memory cell.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＮＯＳ型のメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、キャパシタ素子の単位面積当たりのキャパシタ容量を増加させ、キャパシタ素子の面積を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加

高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To form a nonvolatile memory element which is provided with a floating gate electrode and a high withstand voltage transistor which is provided with a thick gate insulating film over one substrate without increasing a driving voltage of the nonvolatile memory element.例文帳に追加

フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor which can completely prevent hydrogen from being diffused to a ferroelectric thin film or a high-dielectric thin film and which comprises an easily workable hydrogen barrier layer, to provide a memory element and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

強誘電体または高誘電体薄膜へ水素の拡散を完全に防止することができ、且つ加工しやすい水素バリア層を有するキャパシタとメモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the charges stored in the charge accumulating layer of the nonvolatile memory element are released by applying the potentials to a source terminal, drain terminal and control gate of the nonvolatile memory element which releases the charges.例文帳に追加

そして、不揮発性メモリ素子における電荷蓄積層に格納された電荷の放出を、電荷を放出する不揮発性メモリ素子のソース端子、ドレイン端子、及び制御ゲートに電位を印加することにより行う。 - 特許庁

In the operating method of erasing in a charge trap memory element, erasing is performed by applying composite pulses containing DC pulses and DC perturbation pulses in a charge trap memory element.例文帳に追加

電荷トラップ型メモリ素子に消去動作を行う作動方法において、電荷トラップメモリ素子にＤＣパルスとＤＣ摂動パルスとを含む複合パルスを印加して消去を行う電荷トラップ型メモリ素子の作動方法である。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic memory device has a process for forming the magnetoresistive element 12 used as a memory cell, and a process for forming an SiN protection insulating film 39 for covering the magnetoresistive element 12.例文帳に追加

本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To properly keep the working accuracy of an element in a logic region, and to prevent a junction leakage in the element separation insulating film of a memory region, concerning a semiconductor device mounting the memory region and the logic region by mixture.例文帳に追加

メモリ領域とロジック領域とが混載された半導体装置において、ロジック領域における素子の加工精度を良好に保つとともに、メモリ領域の素子分離絶縁膜部分での接合リークを防ぐ。 - 特許庁

An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.例文帳に追加

導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory uses a magnetoresistive effect element 41 having a vertical magnetization film as a memory element, employs a ferrimagnetic body where rare earth element magnetization is dominant in the vertical magnetization film and has a compensation temperature between a room temperature and a Curie point.例文帳に追加

メモリ素子として垂直磁化膜を有する磁気抵抗効果素子４１を用い、垂直磁化膜に希土類元素磁化が優勢なフェリ磁性体を用い、室温とキュリー温度の間に補償温度を有する不揮発磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

The cache memory system is provided with a 1st auxiliary storage element 42 for storing 1st information extracted from much information stored in a lower memory element 48 to be referred to by a central control part 40 and a 2nd auxiliary storage element 44 for storing 2nd information including the 1st information.例文帳に追加

中央制御部40が参照する下位メモリ素子48に記憶された大量の情報から取り出される第１情報が格納される第１補助記憶素子42、及び第１情報が含まれる第２情報が格納される第２補助記憶素子44を用意する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the depth of an element isolation region is adjusted for each of different element formation regions such as a contact region, selective gate region, and memory cell region, for easy embedding of an insulating film for each element isolation region, resulting in improved reliability in electrical characteristics of element isolation regions.例文帳に追加

コンタクト領域、選択ゲート領域及びメモリセル領域等の異なる素子形成領域毎に素子分離領域の深さを調整して、素子分離領域毎に絶縁膜の埋め込みを容易にし、各素子分離領域の電気的特性の信頼性を向上する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A synthetic element selection part 14 retrieves a synthetic element from an element dictionary in a memory 7 for a speech data dictionary on the basis of synthetic units obtained by dividing a phoneme series from a meter generation part 13.例文帳に追加

合成素片選択部１４は、韻律生成部１３からの音韻系列を分割した合成単位に基づいて、音声データ辞書用メモリ７の素片辞書から合成素片を検索する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

An output value based on a signal from a light receiving element 11 is stored in a storage memory 28 as an initial value while a light emitting element 10, the light receiving element 11 and a smoke density detection chamber are in a clean condition.例文帳に追加

発光素子１０、受光素子１１および煙濃度検出室が清浄状態で、受光素子１１からの信号に基づく出力値を、初期値として格納用メモリ２８に格納する。 - 特許庁

A write/erase unit of a nonvolatile semiconductor storage device supplies a first electric pulse during data write or erase, the first electric pulse having an electric energy to an extent that an physical state of a memory element of the selected memory cell does not transit and accumulating charges relative to a rectifying element of the selected memory cell.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の書き込み／消去部は、データの書き込み又は消去の際、選択メモリセルのメモリ素子の物理状態が遷移しない範囲内の電気エネルギーを有し、選択メモリセルの整流素子に対して電荷を蓄積させる第１の電気パルスを供給する。 - 特許庁