「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high-density nonvolatile semiconductor storage device capable of reducing an element isolation width of a memory cell by reducing the embedding aspect of an element insolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくすることが可能な高密度不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element that is used as a magnetic memory element or the like, has a stable magnetization state, and can stably record information with low current consumption.例文帳に追加

磁気メモリ素子などとして使用され、磁化状態が安定であるとともに情報の記録を低消費電流で安定して行うことができる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

Shape-retaining members X1 and X2 made of a shape memory alloy material are axially attached to the cylindrical unit element, and the cylindrical unit element is held under the bent state.例文帳に追加

筒状ユニット体には軸方向にわたって形状記憶合金材料からなる形状保持部材Ｘ１及びＸ２が取り付けられて湾曲状態に保持される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device like a memory having a capacitative element which reduces an area per one capacitative element without causing a problem in fine work.例文帳に追加

１容量素子当たりの面積を、微細加工に問題を起こすことなく縮小できるようにする容量素子を有するメモリーのような半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving respective resistance when a split gate type memory transistor, a capacity element and another capacity element are mixed on the same chip.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリトランジスタと、容量素子と、他の容量素子と、を同一チップに混載するとき、それぞれの耐圧を向上させることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which stable high speed switching operation for a variable resistance element having resistance property changeable by applying of voltage to the element is performed.例文帳に追加

電圧印加によって抵抗特性の変化する可変抵抗素子に対する安定した高速スイッチング動作可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When substrate/component information is transmitted from a writer/reader 19, The circuit element 11 receives the information, and stores the information in the memory element 12.例文帳に追加

書込・読出装置１９より基板・部品情報が送信されると、無線通信回路素子１１はその情報を受信し、記憶素子１２にその情報を格納する。 - 特許庁

To provide a structure of a temperature-sensitive element which adjusts and heats current supplied to a shape memory alloy spring itself to enable temperature control and a method for manufacturing the element.例文帳に追加

形状記憶合金ばね自体に通じる電流を調整して加熱し、温度制御を可能ならしめる感温素子の構成およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A capacitance element 400 constitutes a memory cell and a first diffusion layer 226 serving as a source and a drain is connected to the capacitance element 400 in a first transistor 200.例文帳に追加

容量素子４００はメモリセルを構成しており、第１トランジスタ２００は、ソース及びドレインとなる第１拡散層２２６が容量素子４００に接続している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element for a spin injection writing system which is stable to heat, and makes low-current magnetization inversion possible, and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

An adder part 4 generates the memory access address of a request for every vector element by adding a leading element address sent from a vector arithmetic part 1 and a distance between elements.例文帳に追加

アダー部４は、ベクトル演算部１から送られてくる先頭要素アドレスと要素間距離との加算によってベクトル要素毎のリクエストのメモリアクセスアドレスを生成する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar-type operation in its predetermined principle of operation and can be used as a memory element, and its manufacturing method.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophoretic display element with which contrast is heightened and further a sufficient memory property is obtained and a method with which the electrophoretic display element is driven.例文帳に追加

コントラストを向上させることができ、さらに十分なメモリ性を得ることができる電気泳動表示素子及び電気泳動表示素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display element which has simple member constitution, can be driven with a low voltage, and has a high display contrast, the display element having excellent memory property.例文帳に追加

本発明の目的は、簡便な部材構成で、低電圧駆動が可能で、表示コントラストが高い表示素子であって、かつメモリー性に優れた表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic element wherein the reversing current can be reduced at inversion of magnetization by the current direct drive and to provide a magnetic memory employing the element.例文帳に追加

電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁性体素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress dispersion on the structure of a memory element and on its characteristics by shortening the incubation time in the formation of a charge storage film which preventing the deterioration in the characteristics of the element.例文帳に追加

メモリ素子特性の低下を防止しながら電荷蓄積膜形成時のインキュベーション時間を低減して、素子の構造上および特性上のバラツキを抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetic element capable of detecting changes in magnetic states for use e.g. as a read sensor in a data transducing head or as a solid-state non-volatile memory element.例文帳に追加

データ変換ヘッドにおける読取センサとして、または固体不揮発性メモリ素子などとして使用するための、磁気状態の変化を検出可能な磁気素子を提供する。 - 特許庁

To make it possible to obtain a magnetoresistance effect element and a magnetic memory having high reliability without element damage, and also capable of operating in low power consumption and in low current writing.例文帳に追加

低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性が高い磁気抵抗効果素子および磁気メモリを得ることを可能にする。 - 特許庁

To draw graphic forms at light speed with a small memory capacity, even when a drawing element and a clip element are mixed or the graphic forms having many overlapping parts.例文帳に追加

描画要素とクリップ要素が混在したり、重なりが多い図形を描画したりする場合でも少ないメモリ容量で高速に描画を行なえるようにする。 - 特許庁

To provide a switch element, magnetoregistance effect element, and memory device using carbon nanotubes, the deterioration of whose characteristics due to their miniaturization is prevented by a simple structure.例文帳に追加

素子の小型化による特性の劣化が簡略な構造により防止された、カーボンナノチューブを用いたスイッチ素子、磁気抵抗効果素子およびメモリ素子を提供する。 - 特許庁

SOLGEL SOLUTION FOR FORMING FERROELECTRIC FILM, METHOD OF MANUFACTURING SOLGEL SOLUTION FOR FORMING FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND PYROELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液、強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液の製造方法、強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子および焦電素子 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of integrating an MFMIS structure having a lower electrode with an integrated circuit, a semiconductor sensor and a semiconductor memory element.例文帳に追加

下部電極を有するＭＦＭＩＳ構造と集積回路を一体化することができる半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

A logic value equivalent to a high or a low is written in the reference memory element 50 and the amount of a current which can be made to flow by the element 50 is detected by a current detecting circuit 20.例文帳に追加

参照メモリ素子５０にはハイまたはロウに相当する論理値を書き込み、参照メモリ素子５０が流せる電流量は検流回路２０により検知する。 - 特許庁

A memory cell MC consisting of an access transistor ATr and a memory element ME electrically connected between a pair of source and drain regions of the access transistor ATr, includes a plurality of memory cell blocks MB sharing a source and drain region between adjacent memory cells MC and connected in series.例文帳に追加

アクセストランジスタＡＴｒと、アクセストランジスタＡＴｒの一対のソース・ドレイン領域間に電気的に接続された記憶素子ＭＥとからなるメモリセルＭＣが、隣接するメモリセルＭＣ間でソース・ドレイン領域を共有して複数個直列に接続されて構成されるメモリセルブロックＭＢを備えている。 - 特許庁

To provide a convenient, high capacity and low power consumption nonvolatile memory element by employing a stack structure of nonvolatile memory elements and arranging a recording material on the side face of the stack structure, and to provide a nonvolatile memory circuit, a nonvolatile memory card and a recorder employing them.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を積層構造とし、かつ、積層構造の側面に記録材料を配設することにより、大容量、低消費電力であり、かつ、利便性に優れた不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カード、及び、それらを用いた記録装置を提供することにある。 - 特許庁

In a magnetic memory device having a memory cell array 2 provided with a plurality of memory cells 60 having a magneto resistive element 61, the device is provided with a refresh control section reading information stored in the memory cell and performing refresh operation rewriting the information immediately after the information is read out.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子６１を有する記憶セル６０を複数個備えた記憶セルアレイ２を有する磁気記憶装置において、記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えている。 - 特許庁

A dirty data element to be backed up in the nonvolatile storage resource from the first cache memory is a dirty data element other than the one or more dirty data element having finished with copying of the plurality of dirty data elements.例文帳に追加

第一のキャッシュメモリから不揮発性の記憶資源にバックアップするダーティデータ要素は、複数のダーティデータ要素のうちのコピーが完了した上記一以上のダーティデータ要素以外のダーティデータ要素である。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a high-precision capacitance element without implementing an additional step of manufacturing the capacitance element for a semiconductor device having a nonvolatile memory cell and the capacitance element formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に不揮発性メモリセルと容量素子とを形成する半導体装置において、容量素子を製造する追加工程を実施することなく、高精度な容量素子を製造できる技術を提供する。 - 特許庁

The recording part 10 is constituted of a spatial modulation element 20 and a driving device 22 and the spatial modulation part 20 is constituted of a liquid crystal display element layer 36 having a memory property and an organic photoelectric conductive switching element layer 34.例文帳に追加

記録部１０は空間変調素子２０と駆動装置２２とから構成され、空間変調素子２０はメモリ性のある液晶表示素子層３６と有機光電導スイッチング素子層３４とから構成されている。 - 特許庁

To prevent the surface of a semiconductor substrate projecting in a logic element formation region from being overetched in a manufacturing method for a semiconductor storage where a MONOS type memory element and a MOS type logic element are mixedly mounted.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリ素子とＭＯＳ型のロジック素子とを混載する半導体記憶装置の製造方法において、ロジック素子形成領域に出する半導体基板の表面がオーバエッチングされないようにする。 - 特許庁

A writing power source circuit 2 supplies a voltage Vg and a voltage Vpp higher than this to the gate electrode of a MONOS element to write data in a memory element 1 constituted of the MONOS element.例文帳に追加

書き込み用電源回路２は、ＭＯＮＯＳ素子よりなるメモリ素子１に対して、そのＭＯＮＯＳ素子のゲート電極に印加する電圧Ｖｇおよびそれよりも高い電圧Ｖｐｐを供給し、データの書き込みを行う。 - 特許庁

The electric element is constituted by providing: a pair of electrodes; and plural carbon nanotubes which present a three-dimensional network structure arranged between the pair of electrodes, wherein this electric element is utilized as a memory element or the like.例文帳に追加

一対の電極と、前記一対の電極間に配置されてなる３次元ネットワーク構造を呈する複数のカーボンナノチューブとを具えるようにして電気素子を構成し、この電気素子をメモリ素子等として利用する。 - 特許庁

The element arrives at a tapered part before the element is sufficiently solidified, radially contracted or enlarged while being cooled to impart a residual stress necessary for the shape memory properties, and its outer diameter is fixed at a parallel part of the element.例文帳に追加

管状体は十分に固化する前に、テーパ部に達し、冷却されながら縮径または拡径されることにより、形状記憶性に必要な残留応力が付与され、更に平行部で、外径が固定される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a contact plug of a semiconductor element in which a source/drain contact plug, such as a NAND flash memory is formed.例文帳に追加

ナンドフラッシュメモリ等のソース/ドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子のコンタクトプラグ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can easily be manufactured, can be driven with low power, and can operate fast.例文帳に追加

簡単に製造することができ、低電力での駆動と高速動作が可能な不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To easily set a memory band width of each PE (Processor Element) at high speed by grouping the plurality of PEs.例文帳に追加

複数のＰＥをグループ化することで、高速かつ簡単に各ＰＥのメモリ帯域幅を設定することを可能とする。 - 特許庁

To prevent a writing error by maximizing an operation window in a free magnetic structure of a magnetoresistive element which is used as a cell of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。 - 特許庁

Data may be scanned into and out of the second settable memory element.例文帳に追加

第２の設定可能メモリ素子にデータを読み込ませたり、第２の設定可能メモリ素子からデータを読み出したりすることもできる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory of a small size which incorporates an anti-fuse element, with high operation reliability.例文帳に追加

アンチヒューズ素子を内蔵し動作信頼性が高い小型の不揮発性半導体メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory element which has one transistor and one resistor as a data storage means, and its driving method.例文帳に追加

１つのトランジスタとデータ貯蔵手段として１つの抵抗体を備えるメモリ素子及びその駆動法を提供する。 - 特許庁

A processing unit, a main program stored at the main memory, and processing units of the server 2 may act as each of the element.例文帳に追加

処理ユニット，メインメモリに格納されるメインプログラム，及びサーバ２の処理ユニットは，それぞれ構成要素となってもよい。 - 特許庁

The image picked up in an image pickup element 3 is compressed after a prescribed processing and recorded in a device 14 as a memory card.例文帳に追加

撮像素子３で撮像した画像は所定の処理後、圧縮されてメモリカードとしてのデバイス１４に記録される。 - 特許庁

TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAME例文帳に追加

トランジスタ、及び、同トランジスタの製造方法、及び、不揮発性記憶素子、及び、同記不揮発性記憶素子を備えた半導体装置 - 特許庁

When both the nodes are in a zone defined by the same scan-enabled memory element, this feedback is in violation of the standard.例文帳に追加

両ノードが同じスキャン可能なメモリ要素によって定義されるゾーンにある場合、このフィードバックは基準違反である。 - 特許庁

The shape memory alloy 18 contracts at a low temperature and pulls up the element 8 and mounting member 17.例文帳に追加

形状記憶合金１８は低温時に収縮して温度制御機素８と取付部材１７を上方に引き上げる。 - 特許庁