「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The plotting circuit of a VDP writes the image element data read from the fixed address area into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

ＶＤＰの描画回路は、固定アドレスエリアから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

The energy supply device includes a diffusion optical fiber equipped with a light emitting part and a memory element in which data are programmed.例文帳に追加

エネルギー供給装置は、光放出部分を備えた拡散光ファイバー、及びデータがプログラムされたメモリ素子を含む。 - 特許庁

To provide a synchronous memory element which can prevent the skew between data and a data strobe signal in a data transmission path.例文帳に追加

データ伝送経路によるデータとデータストローブ信号との間のスキューを防止できる同期式メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To suppress the influence of hydrogen on a capacitor insulation film and provide a finer semiconductor memory element.例文帳に追加

キャパシタ絶縁膜に対する水素の影響を抑制し、より微細な半導体メモリ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To realize a memory element in which parallel transfer of data can be performed as necessary applying a package being same as conventional one.例文帳に追加

従来と同じパッケージを適用しつつ、必要に応じてデータのパラレル転送を可能とするメモリ素子を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor memory element which is capable of making dimensional variations small relative to focal variations.例文帳に追加

フォーカス変動に対する寸法変動を小さくすることが可能な半導体記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the security of the information stored in a nonvolatile memory sealed in a semiconductor element chip.例文帳に追加

半導体素子チップの内部に封止されている不揮発性メモリに記憶されている情報のセキュリティ向上を図る。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which can be easily and highly integrated and has high reliability, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高集積化が容易で、且つ高い信頼性を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a configuration, it becomes possible to lengthen the time that the nonvolatile memory element can maintain the information.例文帳に追加

このような構成とすることにより、不揮発性記憶素子が情報を保持する時間を長くすることが可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a TMR element as a memory cell in which a write-in current at the time of write-in for a memory cell can be outputted accurately and temperature dependencies of write-in margin and read-out margin are eliminated.例文帳に追加

メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてＴＭＲ素子を使用した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An element active area 1 is formed, a pair of memory cells are formed, word lines 2, 2a, 2b... of the memory cell are arranged, and capacitor contact holes 3, 3a are formed in the capacitor part of the memory cell respectively to fill them with contact plugs.例文帳に追加

素子活性領域１が形成され一対のメモリセルが形成され、メモリセルのワード線２，２ａ，２ｂ…が配設され、メモリセルのキャパシタ部に容量用コンタクト孔３，３ａがそれぞれ形成されコンタクトプラグが充填されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus in which it is suppressed that a resistance value of a valuable resistance element included in a memory cell is changed by a voltage pulse applied to the memory cell and defective read-out is caused at the time of read-out of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの読み出し時にメモリセルに印加される電圧パルスによってメモリセルに含まれる可変抵抗素子の抵抗値が変化して読み出し不良に陥るのを抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The write-in control circuit 2106 so controls impression of a write-in pulse that amount of charges held by one out of the first memory function body and the second memory function body of the memory element becomes amount corresponding to value of data of many bits.例文帳に追加

書き込み制御回路２１０６は、メモリ素子の第１のメモリ機能体及び第２のメモリ機能体の一方によって保持される電荷の量が多ビットのデータの値に対応する量となるように、書き込みパルスの印加を制御する。 - 特許庁

To accurately program a reference element for reading the memory state by separating the memory function from the transistor operation function of a gate insulating film, thinning the gate insulating film to suppress the short channel effect without losing the memory function, and facilitating miniaturization.例文帳に追加

メモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、メモリ機能を損なわず、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図り、メモリ状態を読み出すための基準素子を、正確にプログラムする。 - 特許庁

The controller responds to a command which is given from an external part, controls the driving of the light-emitting element, displays a state during a memory access operation and displays the free capacitance of the memory, based on sector management information of the memory.例文帳に追加

コントローラは、外部から与えられるのコマンドに応答して、前記発光素子を駆動制御して、前記メモリアクセス動作中の状態を表示し、また、メモリのセクタ管理情報に基づいてメモリの空き容量の状態を表示する。 - 特許庁

To provide a method for predicting and eliminating an OTP (on time programmable) memory of a high write-failure rate, a method for setting a voltage which is optimal for writing on a memory element, and an OTP memory to which the methods are applicable.例文帳に追加

書き込み不良率の高いＯＴＰメモリを予測し排除する方法、またメモリ素子の書き込みに最適な電圧を設定する方法、そしてそれらの方法を適用しうるＯＴＰメモリを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

This communication terminal device has a connector part connected detachably to host equipment and is constituted by mounting in a housing of ≤3.5 mm in thickness an antenna element, an element for high-frequency signal processing, an element for base-band signal processing, and a memory element for a storage function; and the antenna element is provided integrally with the element which performs the high-frequency signal processing.例文帳に追加

ホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレージ機能用メモリー素子とが厚さ３．５ｍｍ以下の筐体に実装されてなる通信端末装置において、アンテナ素子は、高周波信号処理を行う素子と一体に設けられている。 - 特許庁

A capacitor (C) is provided above or below a memory cell (MC) having a storage element to which storage information is to be written by a current and a selection element connected to the storage element, and storage information is written by a charge accumulated in the capacitor into the storage element.例文帳に追加

電流により記憶情報が書き込まれる記憶素子と、当該記憶素子に接続される選択素子と、を有するメモリセル（ＭＣ）の上方または下方にキャパシタ（Ｃ）を設け、当該キャパシタに蓄積された電荷によって記憶素子に書き込みを行う。 - 特許庁

A communication module having a connector part to be connected detachably to host equipment is constituted by packaging an antenna element, an element for executing high-frequency signal processing, an element for executing base band signal processing, a memory element for the storage function in a casing whose thickness is 3.5 mm and less.例文帳に追加

ホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有する通信モジュールであり、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレージ機能用メモリ素子とが厚さ３．５ｍｍ以下の筐体に実装されている。 - 特許庁

To provide a flash memory element that can store and delete data comprising a number of bits in a single cell and hence has high-density/high-integration memory characteristics.例文帳に追加

本発明は、単一セルに多数のビットのデータを格納及び消去できることにより、高密度／高集積メモリ特性を有するフラッシュメモリ素子を提供するためのものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile storage device capable of forming a memory element with a stable characteristic by a simple method even when a memory cell is finely divided.例文帳に追加

メモリセルが微細化されても、安定した特性を有するメモリ素子を、簡易な方法で形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a memory member which can protect a storage element against the influence of an external load and static electricity, a unit which has the memory member, a process cartridge, and an electrophotographic image forming apparatus.例文帳に追加

記憶素子を外的負荷や静電気の影響から保護することのできるメモリー部材、及びそれを有するユニット、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

The memory array including a magnetic storage element is coated with a dielectric layer, and a ferromagnetic body is arranged inside of this dielectric layer so as to surround a side direction parallel to a wafer surface of the memory array.例文帳に追加

磁気記憶素子を含むメモリアレイを誘電体層で被覆し、この誘電体層の内部に、メモリアレイのウェハ表面に平行な側面方向を囲むように強磁性体を配置する。 - 特許庁

Geometrical variation and change in the phase change material composition otherwise to occur due to memory cell element separation during the dry etching process are reduced for the improvement of reliability in memory cell rewrite frequency.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングによるメモリセル素子の分離に起因した、形状ばらつきおよび相変化材料の組成変化が低減し、メモリセルの書き換え回数信頼性が向上する。 - 特許庁

The semiconductor device uses the organic memory; and the capacitive element included in a peripheral circuit, in which the same material as a layer containing an organic compound used for the organic memory is used as a dielectric.例文帳に追加

有機メモリと、周辺回路に含まれ、有機メモリに用いられる有機化合物を含む層と同じ材料を誘導体とする容量素子を用いることを特徴としている。 - 特許庁

The output of the computing element 13 is written in the memory 14 and used as an object of α-blend operation of image data to be read next from the image memory 11.例文帳に追加

αブレンド演算器１３の出力は演算処理用メモリ１４に書き込まれ、次に画像メモリ１１から読み出される画像データのαブレンド演算の対象として用いられる。 - 特許庁

The memory includes a first bipolar transistor, a first bit line, and a first resistive memory element coupled between a collector of the first bipolar transistor and the first bit line.例文帳に追加

メモリは、第１のバイポーラトランジスタと、第１のビット線と、上記第１のバイポーラトランジスタのコレクタと上記第１のビット線との間に結合されている第１の抵抗メモリ素子とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that suppress an influence of a fixed charge in an interlayer film formed between memory cells on a rectifier element, and further prevent wiring and electrodes from oxidizing.例文帳に追加

メモリセル間に形成される層間膜中の固定電荷による整流素子への影響を抑制でき、さらに配線及び電極の酸化を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a high-integrated non-volatile semiconductor memory device with low power consumption, in which a nonlinear element having sufficient current driving performance and insulation property is provided in a memory cell.例文帳に追加

十分な電流駆動能力と遮断特性を有する非線形素子をメモリセルに備える、低消費電力で高集積の不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To easily form a high performance peripheral transistor by preventing the gate insulating film of a memory cell or the floating gate or inter-layer capacitative film of the memory cell from remaining on the side face of an element isolating insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の側面にメモリセルのゲート絶縁膜またはメモリセルの浮遊ゲートや層間容量膜が残留せず、簡便に高性能な周辺トランジスタを形成できる。 - 特許庁

The disk drive system includes a processing element which executes various operations and a hard disk controller having a buffer which provides an interface for the memory device such as a random access memory or the like.例文帳に追加

ディスク駆動システムが種々の動作を実行する処理要素及びランダムアクセスメモリ等のメモリ装置に対するインターフェースを与えるバッファを具備するハードディスク制御器を有している。 - 特許庁

A a first scan component detection result memory 111 and a code bit memory 112 are provided as memories used by a digital signal processing circuit that can perform high-speed processing for each element unit.例文帳に追加

高速処理可能なデジタル信号処理回路が使用するメモリとして、各要素単位毎に、最初のスキャン成分検出結果メモリ１１１と、符号ビットメモリ１１２とを設ける。 - 特許庁

To avoid the deterioration of characteristics of a memory cell and the occurrence of malfunctions in a NOR flash memory, where the periodicity of element regions and metal wirings is kept.例文帳に追加

本発明は、素子領域および金属配線の周期性を保つようにしたＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルの特性の悪化および動作不良の発生を回避できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of changing the direction of a current of a variable resistive element, and executing erasing (resetting) in a memory cell string unit, and its data erasing method.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流の向きを変えることができ、メモリセル列単位で消去（リセット）することができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

A resistive element R of a phase change memory has a laminated structure comprising a lower electrode 121, a piezoelectric material layer 122, a barrier layer 123, a memory layer 124, and upper electrode 125.例文帳に追加

相変化メモリの抵抗素子Ｒは、下部電極１２１、圧電材料層１２２、バリア層１２３、記憶層１２４および上部電極１２５の積層構造で構成されている。 - 特許庁

A load circuit having a resistor 3 and a capacitor 4 is branched from a signal line connecting a part at which a signal is inputted to a memory module and a memory element (DRAM2a), and a branch line is set.例文帳に追加

メモリモジュールに信号が入力される部位とメモリ素子（ＤＲＡＭ２ａ）を接続する信号線から抵抗３、コンデンサ４を有する負荷回路を分岐して分岐線を設置する。 - 特許庁

An output S100 from a working memory 100 and an output S101 from a working memory 101 are directly inputted to a computing element 102 without writing these data in a register and an operation result S102 is obtained.例文帳に追加

ワーキングメモリ１００の出力Ｓ１００と、ワーキングメモリ１０１の出力Ｓ１０１とをレジスタに書き込むことなく直接演算器１０２に入力し、演算結果を行う。 - 特許庁

The memory array is advantageously configured so as to eliminate the need for a pass gate being operatively coupled to a corresponding nonvolatile storage element in the at least one memory cell.例文帳に追加

都合のよいことに、メモリアレイは、少なくとも１つのメモリセルの対応する不揮発性記憶素子に動作できるように結合しているパスゲートを使用しないですむように構成されている。 - 特許庁

The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).例文帳に追加

メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁

A fuse element corresponding to a memory cell column being redundancy-replaced among fuse elements Fcs11-Fcs24 is cut off, supply of a ground potential for a replaced normal memory cell column is stopped.例文帳に追加

ヒューズ素子Ｆcｓ１１〜Ｆcｓ２４のうち、冗長置換をされるメモリセル列に対応するヒューズ素子は切断され、置換される正規メモリセル列への接地電位の供給が停止される。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.例文帳に追加

素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁

When the N-th row image data are written in the memory 15, the (N-2)-th image data are read from the memory 15 and inputted to the element 142 (diagram 2) through the interface 13.例文帳に追加

画像メモリ15にN行目の画像データが書き込まれると、画像メモリ15から(N-2)行目の画像データが読出され、画像メモリインターフェイス13を介して近傍演算器142(図２)に入力される。 - 特許庁

To provide a memory element having a large memory window and a high reliability at low cost by performing high speed write and erase operations at a relatively low voltage and suppressing rewriting degradation.例文帳に追加

高速な書込み及び消去動作を比較的低電圧で行い、かつ書換え劣化を抑えることで、メモリウインドウが大きく信頼性の高いメモリ素子を、低コストで提供する。 - 特許庁

One or more dirty data element of a plurality of dirty data store in a first cache memory in a first control module is copied to a second cache memory in a second control module.例文帳に追加

第一のコントロールモジュール内の第一のキャッシュメモリに記憶されている複数のダーティデータ要素のうちの一以上のダーティデータ要素を、第二のコントロールモジュール内の第二のキャッシュメモリにコピーする。 - 特許庁