「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an electronic element which has large storage capacity and write and read speed, and whose manufacturing cost is low, and whose size is as compact as a semiconductor memory.例文帳に追加

大記憶容量と読み書き速度とを有し、製造コストが安く、半導体メモリ並みにコンパクトである電子素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor nonvolatile memory cell which includes a charge storage layer and has high current efficiency, and to provide a semiconductor nonvolatile memory which facilitates integration of the semiconductor nonvolatile memory cell and a peripheral element and has high yield and reliability.例文帳に追加

電荷蓄積層を具備しかつ高い電流効率を有する半導体不揮発性メモリセルと、その半導体不揮発性メモリセルと周辺素子との集積化を容易にした、歩留り及び信頼性の高い半導体不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device high in reliability and having a small-size nonvolatile memory, by suppressing extreme field concentration on an active layer surface in a channel region and realize a minute semiconductor memory element.例文帳に追加

チャネル領域における活性層表面での極端な電界集中を抑え、かつ微細な半導体記憶素子を実現することで、信頼性が高く小型の不揮発性メモリを有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resistance value of a resistor array 7 is set by control from a memory block 10 provided with a memory cell array composed of a read only memory element electrically writable only once to which the information of the resistance value to be an optimum offset voltage is written.例文帳に追加

最適なオフセット電圧となる抵抗値の情報を書き込んだ電気的に一度だけ書き込み可能な読み出し専用のメモリ素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック１０からの制御により抵抗アレイ７の抵抗値を設定する。 - 特許庁

To accurately program a reference element for reading a memory state in a short period of time by separating the memory function from the transistor operation function of a gate insulating film, thinning the gate insulating film to suppress the short channel effect without losing the memory function, and facilitating miniaturization.例文帳に追加

メモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、メモリ機能を損なわず、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図り、メモリ状態を読み出すための基準素子を、短時間で正確にプログラムする。 - 特許庁

Such a constituted lamination memory can reduce a size by making a loading of a fuse element and the relief control circuit on the memory core chips MC unnecessary and can reduce the number of the bonding signals between the chips between the memory core chips MC and the fuse chips HC.例文帳に追加

このように構成された積層メモリは、メモリコアチップＭＣにヒューズ素子や救済制御回路を搭載不要としてサイズを縮小でき、メモリコアチップＭＣとヒューズチップＨＣの間のチップ間接合信号数を削減することができる。 - 特許庁

To provide an easily manufactuable ferroelectric memory element wherein the nondestructive read of information is made possible, and the rewrite of the information is made unnecessary, and the problem of the fatigue of polarization and the deterioration of a memory holding property can be solved, too, and further, its memory cell can be miniaturized too.例文帳に追加

製造が容易で、且つ情報の非破壊読み出しが可能で、情報の再度の書き込みが必要なく、分極疲労やメモリ保持劣化等の問題点も解消でき、メモリセルも小さくできる強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

Each of a plurality of memory cells 100 included in the cell array 101 has a switching element and a capacitative element in which supply, holding and discharge of charge are controlled by the switching element.例文帳に追加

さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of preventing reaction with an insulating layer surrounding a variable resistive element by improving the heat-insulation performance of the variable resistive element, and capable of suppressing the occurrence of leakage from an adjoining variable resistive element.例文帳に追加

抵抗変化素子の保温性能を高め、抵抗変化素子の周囲の絶縁層との反応を防止するとともに、隣接する抵抗変化素子との間でのリークの発生を抑制することができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

A third semiconductor element 140 functioning as a memory element is provided adjacent to a side of a wiring board, at a side opposite to the electrode 132 for current output of the second semiconductor element 130 and the bonding wire 134.例文帳に追加

メモリ素子として機能する第３の半導体素子１４０は、第２の半導体素子１３０の電流出力用電極１３２およびボンディングワイヤ１３４とは反対側の配線基板の辺に近接して設けられている。 - 特許庁

To provide a display element inspection method for measuring the display characteristic of flexible display element (for example, a liquid crystal display element holding a liquid crystal having memory property between a pair of film substrates) with the display state maintained.例文帳に追加

可撓性を有する表示素子（例えば、一対のフィルム基板間にメモリー性を有する液晶を挟持した液晶表示素子）を、表示状態を維持したままで、その表示特性を測定する表示素子検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection method for display element for measuring the display characteristic of a flexible display element (e.g. a liquid crystal display element comprising a liquid crystal having memory property nipped between a pair of film bases) while keeping the display condition.例文帳に追加

可撓性を有する表示素子（例えば、一対のフィルム基板間にメモリー性を有する液晶を挟持した液晶表示素子）を、表示状態を維持したままで、その表示特性を測定する表示素子検査方法を提供する。 - 特許庁

The priority modification block triggers modification of priority at the occurrence of events such as receiving of interrupt by the processing element, or time-put or the like of memory request issued by the processing element.例文帳に追加

優先度修正ブロックは処理要素によるインタラプトの受取り又は処理要素によって提出されたメモリ要求のタイムアウト等のイベントの発生によって優先度の修正をトリガする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can avoid an occurrence of a damage in an information storage layer and an occurrence of film peeling in an element structure, and further simplify a manufacturing process.例文帳に追加

情報記憶層への損傷の発生、素子構造における膜剥がれの発生を回避することができ、しかも、製造工程を簡素化し得る不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

When it is determined that the real bit line to be connected to a real memory cell is easily short-circuited to an adjacent circuit element, the dummy bit line is connected to a voltage line to be supplied to the circuit element.例文帳に追加

リアルメモリセルに接続されるリアルビット線が、隣接する回路要素とショートしやすいことが判明した場合、ダミービット線は、その回路要素に供給される電圧線に接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor which allows a special antioxidation layer to be not required, to be thin in thickness of an element, and to be simple in its structure, and also provide its manufacturing method, and a ferroelectric memory element.例文帳に追加

別途の酸化防止層を必要とせず、素子の厚さを薄くでき、かつ、その構造が簡単な強誘電体キャパシタ、その製造方法および強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistive element capable of relaxing a restriction on an electrode material and easily being produced, and a nonvolatile semiconductor memory device having the variable resistive element.例文帳に追加

電極材料に対する制約が緩和され、製造プロセス上容易な可変抵抗素子、及び、当該可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The controller (116) receives data stored in a buffer memory (302), specifies a basic element address (308) in a heater array from that data, and determines the jet pulse rate of a heater element (117) in the heater array.例文帳に追加

コントローラ(116)は、バッファメモリ(302)に格納されているデータを受け取り、該データからヒータアレイにおける基本要素アドレス(308)を特定し、及び該ヒータアレイ内のヒータ要素(117)の発射パルスレートを決定する。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

Of vector elements contained in this continuous area, a one having the last element number is set as a terminal element number, and a memory is accessed based on an address shown thereby to read information.例文帳に追加

その連続領域に含まれるベクトル要素のうち、要素番号が最後のものが末尾要素番号として設定され、示されるアドレスに基づいてメモリがアクセスされ、情報が読み出される。 - 特許庁

Each of a plurality of memory cells arranged in a matrix includes a resistance variable element and a selection transistor in which one side of the source or drain is connected to one end of the resistance variable element.例文帳に追加

マトリックス状に配置された複数のメモリセルの各々は、抵抗変化素子と、抵抗変化素子の一端にソース、ドレインの一方が接続された選択トランジスタとを有する。 - 特許庁

To acquire a semiconductor device having an MTJ element capable of purposely shifting variations in switching current of a memory element of an MRAM at the time of manufacturing, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＭＲＡＭのメモリ素子のスイッチング電流の製造時のバラツキを意図的に一方方向にシフトさせるができるＭＴＪ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolation insulating film 7 embedded in the semiconductor substrate 1, cell section gate insulating films 2 isolated by the element isolation insulating film 7, and first conductive layers 3.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜７と、素子分離絶縁膜７により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To surely control conduction and non-conduction states of a semiconductor device including a memory cell storing data in a floating body, without provision of an active element serving as a trigger element.例文帳に追加

フローティングボディにデータを記憶するメモリセルを備えた半導体装置において、トリガ素子となる能動素子を設けなくともメモリセルの導通、非導通状態を確実に制御する。 - 特許庁

Later, a writing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element an intended writing state is applied to a variable resistive element of the memory cell to be written.例文帳に追加

その後、書き込み動作対象のメモリセルの可変抵抗素子に対して、可変抵抗素子の抵抗状態を所望の書き込み状態とするための書き込み電圧パルスを印加する。 - 特許庁

At least one of the control element (25) and the memory storage element (23) is protected against the contamination from at least one of the first, second and third electrodes (35, 39, and 43).例文帳に追加

制御素子（２５）およびメモリ記憶素子（２３）の少なくとも一方は、第１、第２および第３の電極（３５，３９，４３）のうちの少なくとも１つによる汚染から保護される。 - 特許庁

To perform a processing for complementing the data of a failed element by the data of other element at high rate without increasing memory access in an image data transformation circuit performing raster column transformation of image.例文帳に追加

画像のラスタ・カラム変換を行う画像データ変換回路において、メモリアクセスを増加させることなく、故障素子データを他の素子データに補完する処理を高速に行う事を実現する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element of which the magnetization direction is stable in the film surface perpendicular direction, and the magnetic resistance change rate is controlled, and also to provide a magnetic memory using the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element, which is excellent in a control of the coercive forces of its ferromagnetic layers, a miniaturization, stability, recording density and the like, has a high rate of change of magnetic reluctance and is useful for a magnetic memory element or the like.例文帳に追加

強磁性層の保磁力の調整、小型化、安定性、記録密度等に優れ、高い磁気抵抗変化率を有する磁気メモリ素子等に有用な磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

In the memory part 16, achieved data, wherein a shape parameter showing the geometrical features of an element to be heated, annealing temperature and electrical characteristics of the element to be heated are associated, is stored.例文帳に追加

記憶部１６は、加熱対象の素子の形状的な特徴を示す形状パラメータとアニール温度と加熱対象の素子の電気的特性とを関連付けた実績データを記憶する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THIN FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, FERROELECTRIC ELEMENT, INK-JET RECORDING HEAD, INK-JET PRINTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体メモリ素子、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 - 特許庁

The semiconductor device arranged on the inflow side of the cooling flow path 22 may be a memory element, and the semiconductor device arranged on the outflow side of the cooling flow path 22 may be a logic element.例文帳に追加

冷却流路２２の流入側に配置される半導体素子はメモリ素子であり、冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子はロジック素子であるようにしてもよい。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element, having a high polarized moment and a high Curie temperature in the thin-film thickness area of not more than 50 nm and to provide an electronic unit provided with the element.例文帳に追加

５０ｎｍ以下の薄い膜厚領域において、高い分極モーメント及び高いキュリー温度を有する強誘電体メモリ素子及びこの素子を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

An electromagnetic element such as a magnetic memory element 100 comprises a means 104 for structuring, attenuating or removing the stray magnetic field in a boundary part which generates offset in magnetic resistance response.例文帳に追加

磁気メモリ素子１００のような電気磁気素子は、磁気抵抗応答においてオフセットを生じる境界部での漂遊磁界を構造化、減衰または除去するための手段１０４を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel mounted inspection board for semiconductor memory element and inspection method capable of improving the reliability of a mounting inspection process for inspecting a semiconductor element in an actually operating environment.例文帳に追加

半導体素子を実際動作環境で検査する実装検査工程の信頼性が向上する半導体メモリ素子用の並列実装検査基板および検査方法を提供する。 - 特許庁

The element provided with type information that indicates reference to the attached file is added with information that indicates a storage area in the memory, in which the attached file linked to the element is stored.例文帳に追加

ここで、添付ファイルの参照を示す型情報が付与された要素には、当該要素にリンクされている添付ファイルの上記メモリにおける格納場所を示す情報が付加される。 - 特許庁

The cutting blade detecting mechanism of the cutting device is provided with a received light amount memory means for storing an amount of light received by a light receiving element 72 receiving light emitted out of a light emitting element 56.例文帳に追加

切削装置の切削ブレード検出機構は、発光素子５６が出射した光を受光素子７２が受光した光量を記憶する受光量記憶手段を有している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance material element memory capable of applying a large magnetic field even though the current flowed in the upper electrode and the lower electrode is small for applying the magnetic field in close proximity to the magnetoresistance material element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に近接して磁界を印加する上部電極および下部電極に流す電流が小さくても、大きな磁界が印加できる磁気抵抗素子メモリを実現する。 - 特許庁

To provide a capacitor for a semiconductor element and its manufacturing method which can manufacture the capacitor proper to a highly integrated memory element by using the TaON dielectric film of high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率のＴａＯＮ誘電体膜を利用して高集積メモリ素子に適したキャパシタを製造できる半導体素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also stored in the memory are expressions that provide mathematical relationships between the heating element dimensional values, the heating element electrical values, the ink characteristics, and the amplitude and duration of the optimum energy pluse.例文帳に追加

加熱要素の大きさの値、加熱要素の電気的数値、インクの特性及び最適名エネルギーパルスの大きさと時間との間の数学的名関係を与える数式もメモリに記憶される。 - 特許庁

The memory element 13 is arranged on the wiring board 2 through a dummy element 16 so that its end projects from the end of the wiring board 2 and positioned above the tilting part 7.例文帳に追加

メモリ素子１３はその端部が配線基板２の端部から突出して傾斜部７の上方に位置するように、ダミー素子１６を介して配線基板２上に配置されている。 - 特許庁

In response to a signal indicative of the first information received from the memory element 23, the control circuit 21 controls the current control circuit 17 so as to delay the start of driving the thermoelectric element 15.例文帳に追加

制御回路２１は、メモリ素子２３から受ける第１の情報を示す信号に応答して電流制御回路１７を制御して熱電素子１５の駆動の開始を遅らせる。 - 特許庁