「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a resistance element in which a plurality of resistance values are obtained in a predetermined layout area.例文帳に追加

所定のレイアウト面積内において複数の抵抗値が得られる抵抗素子を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that allows improving the data retention characteristics of a variable resistance element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

可変抵抗素子のデータ保持特性を向上させることのできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly durable display element having memory properties, capable of performing color display, and having high contrast.例文帳に追加

本発明は、メモリー性を有し、カラー表示が可能で、コントラストが良好であり、高耐久性である表示素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having element regions which are parallelized with minimum processing size widths and capable of suppressing resistance of a contact.例文帳に追加

最小加工寸法幅で並列され、コンタクトの抵抗抑制が可能な素子領域を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To rewrite data by FN tunnel current from entire surface of channel in a data writing and erasing element in a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。 - 特許庁

The plurality of the memory elements are each an element in which a first conductive layer, an organic compound layer and a second conductive layer are sequentially laminated.例文帳に追加

複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層が順に積層された素子である。 - 特許庁

To provide a multivalent memory element which uses the ionic crystal containing kalium or natrium as positive ion and OH radical as negative ion.例文帳に追加

カリウムあるいはナトリウムを陽イオンとして含み、ＯＨ基を陰イオンとして含むイオン結晶を使った多値メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A picture element after conversion is stored in a picture memory 18 in a main scanning direction enlargement processing and a main scanning direction reduction processing.例文帳に追加

加えて、主走査方向拡大処理及び主走査方向縮小処理において、変換後の画素を画像メモリ１８に記憶する。 - 特許庁

In the optical memory head reproducing device, a plurality of surface emitting semiconductor laser elements are arranged in a matrix state in a laser element substrate part.例文帳に追加

光メモリヘッド再生装置において、レーザ素子基板部には、複数の表面発光半導体レーザ素子が行列に配列されている。 - 特許庁

To provide an information memory element which is less in power consumption, is longer in information holding time, and has high matching with a semiconductor process.例文帳に追加

低消費電力で且つ情報保持間が長く、半導体プロセスとの整合性が高い情報記憶素子を実現できるようにする。 - 特許庁

FERROMAGNETIC NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT, ITS INFORMATION REPRODUCING METHOD, MEMORY CHIP USING IT, AND PORTABLE INFORMATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加

強磁性体不揮発性記憶素子およびその情報再生方法ならびにそれを用いたメモリチップおよび携帯型情報処理装置 - 特許庁

CAPACITANCE INSULATION FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, CAPACITIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

容量絶縁膜及びその製造方法、容量素子及びその製造方法並びに半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

To realize a lamination type optical memory element having an excellent light introduction characteristic and to provide a method for manufacturing having high productivity.例文帳に追加

優れた光導入特性を有する積層型光メモリ素子を実現すると共に、生産性の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, when a display element 31 with different number of pixels is used, the memory means is also replaced by the one corresponding to the number of pixels.例文帳に追加

したがって画素数の違った表示素子３１を使用するときには、メモリ手段もこの画素数に対応したものに交換する。 - 特許庁

The divided data after processing is reversely distributed as vector data corresponding to the distributed data memory MA of each of the element computers 10 to 30.例文帳に追加

処理後の分割データは、各要素計算機１０〜３０の分散データメモリＭＡに対応するベクトルデータとして逆分散される。 - 特許庁

The entire surface of a capacitor contained in a semiconductor memory element is covered with an encapsulating layer comprising multiple films.例文帳に追加

半導体メモリ素子に含まれるキャパシタの全表面は多重膜で構成されたカプセル化膜（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）によって覆い被される。 - 特許庁

To provide a light control element which is excellent in light resistance and memory property, and excellent in repetition durability and storage stability.例文帳に追加

耐光性、メモリー性に優れた調光素子を提供し、繰返し耐久性、保存安定性に優れた調光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element which can secure a floating gate space, and improve a trench-gap filling performance.例文帳に追加

フローティングゲートスペースを確保し且つトレンチギャップフィル特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element which prevents influence on the uniformity of the quality and of the thickness of a tunnel oxide film.例文帳に追加

トンネル酸化膜の質及び厚さの統一性に影響を及ぼすことを防止するフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element 25 is arranged on the inner base surface of the body case 1 of the second small-sized tape cartridge C2 of the smaller height size.例文帳に追加

高さ寸法の小さい第２の小型テープカートリッジＣ２においては、その本体ケース１の内底面上にメモリ素子２５を配置する。 - 特許庁

A data signal held in the memory 3 is utilized when the same data signal is outputted continuously by a plurality of the number of times to the element array 2.例文帳に追加

素子アレイ２に連続して複数回数同じデータ信号を出力する場合、メモリ３に保持されるデータ信号を利用する。 - 特許庁

A memory cell 100 utilizes a storage element 18, a multiplexer 121, first and second bit lines 32, 34, first and second switching elements 26, 28, and a switching mechanism 137.例文帳に追加

本発明のメモリセル(100)は、記憶素子(18)、マルチプレクサ(121)、第1と第2のビットライン(32,34)、第1と第2のスイッチング素子(26,28)、及びスイッチング機構(137)を利用する。 - 特許庁

To provide a high integration nonvolatile memory element employing an oxide based compound semiconductor, and to provide its operation method and a manufacturing method.例文帳に追加

酸化物系化合物半導体を用いた高集積不揮発性メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A function same to the power element is attained in the shape memory alloy springs 10, 12 to reduce remarkably the cost.例文帳に追加

パワーエレメントと同様の機能を形状記憶合金ばね１０，１２によって実現したことで、コストを大幅に低減することが可能である。 - 特許庁

To provide an electro-conductive liquid crystal element which has a memory property, in which light emission of different luminance is obtained even if it is driven by the same voltage.例文帳に追加

メモリー性を有し、同一電圧で駆動しても発光輝度の異なる発光が得られる導電性液晶素子を提供する。 - 特許庁

To restore an array disorder of liquid crystal due to external factors in a liquid crystal display element provided with a liquid crystal layer with memory property.例文帳に追加

メモリ性を有する液晶層を備えた液晶表示素子において、外的要因による液晶の配列乱れを復元する。 - 特許庁

The thyristor is constituted so that the unipolar memory element 21 is connected to the bit line 22 when a pulse is impressed through the word line 26.例文帳に追加

サイリスタは、パルスがワード線２６を介して印加されたときに、ユニポーラメモリ素子２１をビット線２２に結合するように構成される。 - 特許庁

To use in common the main body case of a cartridge incorporating a memory element and the main body case of a standard-specification cartridge incorporating no such elements.例文帳に追加

メモリ素子を内蔵するカートリッジの本体ケースと、それを内蔵しない標準仕様のカートリッジの本体ケースとの共用化を図る。 - 特許庁

To provide an organic bistable element which has a simple structure and can maintain nonvolatile memory effect for a long time.例文帳に追加

単純が構造な双安定性素子であって、かつ、長時間不揮発性メモリ効果が維持できる有機双安定性素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device capable of reducing fluctuation in a write current of a TMR element, highly reliable and capable of being downsized.例文帳に追加

ＴＭＲ素子の書き込み電流のばらつきを低減でき、信頼性が高く、かつ小型化が可能な磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

Also, the huge magnetoresistive effect element 2 is provided to compose the magnetoresistive effect head 1, thin-film magnetic memory, and thin- film magnetic sensor.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子２を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド１、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

The image display device comprises an image data memory section 1, a display element 2, an input section 3 provided with an operation unit 22 and a control section 4.例文帳に追加

画像表示装置を、画像データ記憶部１と、表示部２と、操作部２２を備えた入力部３と、制御部４とから構成する。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction layer C, which is cylindrically formed having coaxially arranged constituent elements.例文帳に追加

磁気トンネル接合層Ｃを備える磁気メモリ素子において、磁気トンネル接合層Ｃは、構成要素が同心に備えられた円筒形である。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic material storage device where each memory cell comprises the tunnel magnetoresistance element of even magnetizing property.例文帳に追加

一様な磁化特性を有するトンネル磁気抵抗素子によって各メモリセルが構成された薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element capable of preventing variation in characteristics and contamination of a device, being of high speed in writing/erasing of information.例文帳に追加

特性バラツキ，装置の汚染を抑制することができ、かつ、情報の書き込み／情報の消去の速度が速い記憶素子を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the non-volatile memory element having the nanocrystal has a step where a semiconductor substrate is prepared, and the step where a tunnel insulating film is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加

半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, information is stored without foaming and the user-friendliness when the memory element 20 is used is improved.例文帳に追加

これにより、フォーミング無しで情報を記憶することができ、メモリ素子２０を使用する際の使い勝手の向上を図ることができる。 - 特許庁

To enhance the characteristics of a semiconductor integrated circuit device by reducing the leak current of a capacitor element employed in a DRAM memory cell, or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリセル等に用いられる容量素子のリーク電流を低減し、半導体集積回路装置の特性の向上を図る。 - 特許庁

Each of the memory cells is disposed at an intersection of the first wire and the second wire in which a rectifier and a variable resistive element are connected in series.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との各交差部に配置され、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなる。 - 特許庁

In the non-volatile memory element, a semiconductor substrate has a pair of sidewall channel regions that are disposed upwardly and are mutually opposed.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板は、上向き配置されて互いに対面する１対の側壁チャンネル領域を有する。 - 特許庁

A secondary battery unit 1 is composed of a chargeable battery cell 11 and a memory element 12 electrically separated from that battery cell.例文帳に追加

２次電池ユニット（１）は、充電可能な電池セル（１１）と当該電池セルと電気的に分離されたメモリ素子（１２）から構成される。 - 特許庁

The signal from the CCD image pick-up element 5 is supplied to a compression circuit, and once stored in an image memory, and compressed.例文帳に追加

ＣＣＤ撮像素子５からの信号は、圧縮回路６に供給され、一旦画像メモリ７に記憶され圧縮が施される。 - 特許庁

The nonlinear resistance element 20 has a nonlinear current-voltage characteristic common to the nonlinear current-voltage characteristic of the memory device 10.例文帳に追加

非線形抵抗素子２０は、記憶素子１０の非線形電流電圧特性と共通の非線形電流電圧特性を有する。 - 特許庁

To provide a spin-dependent switching element suitable for embodying a magnetic memory device having a high level of integration and low electric power consumption in combination.例文帳に追加

高集積度、低消費電力を兼ね備えた磁気メモリ装置を実現するのに適したスピン依存スイッチング素子を提供する。 - 特許庁