「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Management of a module involves providing the module associated with an electronic tag 20 comprising a tag memory 24 and a tag communication element 26 first.例文帳に追加

モジュールの管理に当たり、まずタグメモリ２４及びタグ側通信素子２６を有する電子タグ２０に関連付けられたモジュールを提供する。 - 特許庁

The recorded data are read out by measuring a value of intensity of light passing through the memory element or magnetic resistance of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

記録されたデータの読み出しは、メモリ素子を通過する光強度または、磁気トンネル接合の磁気抵抗の値の測定により行われる。 - 特許庁

Relation between the head temperature and the oscillation time of the electromechanical conversion element is prestored, in the form of data, in a table memory 2.例文帳に追加

ここで、ヘッド温度と電気−機械変換素子の振動時間との関係は、例えばあらかじめテーブルメモリ２にデータとして保持しておくものとする。 - 特許庁

The organic memory element with its organic active layer 20 using such a metallocene dendrimer that metallocene as an redox substance is bound to a dendrimer is constructed.例文帳に追加

有機活性層２０として、デンドリマーに酸化還元物質であるメタロセンを結合させたメタロセンデンドリマーを用いた有機メモリ素子を構成する。 - 特許庁

A switch element has a plurality of switch ports 173 for transceiving data and a shared memory 147 having a plurality of addressable address locations.例文帳に追加

スイッチ素子は、データを送受信する複数のスイッチポート１７３と、複数のアドレス指定可能な位置を有するメモリ手段１４７を有する。 - 特許庁

The magnetic memory element includes a laminate structure of a pinned layer magnetized in the X-xis direction, a free layer, and an interlayer inserted between those layers.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、Ｘ軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。 - 特許庁

To reduce manufacturing fluctuation of an impurity diffusing regions formed in both sides of a control gate forming region in a 2-bit/cell memory element.例文帳に追加

２ビット／セルのメモリ素子において、コントロールゲート形成領域の両側に形成する不純物拡散領域の製造ばらつきを低減する。 - 特許庁

The electronic camera includes an imaging element, a timing generator, a power supply circuit, a temperature detection part, a memory, an operation part, and a driving frequency control part.例文帳に追加

電子カメラは、撮像素子と、タイミングジェネレータと、電源回路と、温度検出部と、メモリと、演算部と、駆動周波数制御部とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element which is increased in immunity to external noise and has floating body effect removed.例文帳に追加

外部からのノイズに対した免疫性が強化されたフローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, magnetoresistive head, magnetic storage device, and magnetic memory, capable of achieving reduction in noise caused by spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To realize a high speed operation without using any memory whose access time is fast or any high speed element in the sequence control circuit of a semiconductor testing device.例文帳に追加

半導体試験装置のシーケンス制御回路において、アクセス時間の速いメモリや高速素子を用いることなく高速動作を可能にする。 - 特許庁

To improve an execution performance for a load instruction to access a plurality of element data items in a cache line while a cache memory is in an invalid state.例文帳に追加

キャッシュメモリが無効な状態でキャッシュライン中の複数の要素データをアクセスするロード命令に関し、実行性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a microelectronic structure capable of effectively arranging via-electrodes, a multi-chip module, a memory card, and a method of manufacturing an integrated circuit element.例文帳に追加

ビア電極を効果的に配しうるマイクロ電子構造体、マルチチップモジュール、メモリカード及び集積回路素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the use information (the number of printed sheets) and the failure history information of the color laser printer 20 are stored in the memory element 40.例文帳に追加

そして、記憶素子４０にカラーレーザプリンタ２０の使用情報（印刷枚数など）や故障履歴情報を記憶素子４０に記憶しておく。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element restrained in its heat dissipation to bit lines while connecting upper electrodes and the bit lines without using any through hole.例文帳に追加

スルーホールを用いることなく上部電極とビット線とを接続しつつ、ビット線への放熱が抑制された不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) for connecting a bit line (31) with a sense line (49) through an insulation transistor (81).例文帳に追加

磁気メモリ素子は、絶縁トランジスタ（８１）を介してビット線（３１）をセンス線（４９）に接続する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（３７）を備える。 - 特許庁

To provide a light control element which is excellent in light resistance and memory property, and further is excellent in repetition durability and storage stability.例文帳に追加

耐光性、メモリー性に優れた調光素子を提供し、さらには繰返し耐久性、保存安定性に優れた調光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device configured with the use of a resistance change element capable of efficiently rewriting data, and a writing method thereof.例文帳に追加

抵抗変化素子を用いて構成されて、効率的なデータ書き換えを可能とした不揮発性メモリ装置とその書き込み方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell includes a variable resistance element which stores data according to a resistance value that has a hysteresis characteristic with respect to an applied voltage.例文帳に追加

メモリセルは、印加される電圧に対して抵抗値がヒステリシス特性を持ち抵抗値に応じてデータを保持する可変抵抗素子を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device provided with high power supply ability and capable of effectively widening an element forming region other than a memory cell array.例文帳に追加

高い電源供給能を持ち、メモリセルアレイ以外の素子形成領域を実効的に広げることが可能な半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相変化膜の相変化に必要な電流値を効果的に減少させた相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

As another execution form, the structural element 56 is provided with a hard ferromagnetic membrane for impressing a local magnetic field to the sense layer 50 inside the magnetic memory cell.例文帳に追加

もう1つの実施形態において、構造要素56は、磁気メモリセル内のセンス層50に局所的な磁界を印加する硬強磁性薄膜を含む。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory in which a current for magnetization inversion is sufficiently secured in a magnetoresistive effect element, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において磁化反転のための電流を十分に確保した磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor memory element which forms a discrete floating gate composed of metal nanocrystal by an advection accumulation method.例文帳に追加

金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second conductive film is patterned, an upper electrode is left above the element isolation structure, and a gate electrode is left above the memory cell portion.例文帳に追加

第２の導電膜をパターニングし、素子分離構造体の上方に上部電極を残すとともに、メモリセル部の上方に、ゲート電極を残す。 - 特許庁

Secondly, a standard deviation computing part 15B computes standard deviation of luminance of a picture element against the picture image data memorized in a picture image memory part 15A.例文帳に追加

次に、標準偏差算出部１５Ｂが、画像記憶部１５Ａに記憶された画像データに対して、画素の輝度の標準偏差を算出する。 - 特許庁

By absorbing energy from a high-frequency electromagnetic field, the diode 410 near the selected magnetic memory element 100 can be heated.例文帳に追加

高周波電磁界からのエネルギーを吸収することによって、選択された磁気メモリ素子(100)の近くにあるダイオード(410)を加熱することができる。 - 特許庁

This data processor has a memory 50a, a central arithmetic unit 40, a logic element 60, a first database 80, and a management part 70.例文帳に追加

メモリ５０ａと中央演算装置４０と論理エレメント６０と第１データベース８０と管理部７０とを具備するデータ処理装置を用いる。 - 特許庁

The array element, if present, specifies the location and size of the program header table itself, both in the file and in the memory image of the program. 例文帳に追加

この配列要素は、もし存在しているならば、ファイルおよびプログラムのメモリイメージ双方におけるプログラムヘッダテーブル自身の位置とサイズを指定する。 - JM

METHOD FOR DESIGNING PHOTOMASK, APPARATUS FOR DESIGNING PHOTOMASK, MEMORY MEDIUM READABLE WITH COMPUTER, PHOTOMASK, PHOTORESIST, PHOTOSENSITIVE RESIN, SUBSTRATE, MICROLENS AND OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

フォトマスク設計方法、フォトマスク設計装置、コンピュータ読取可能な記憶媒体、フォトマスク、フォトレジスト、感光性樹脂、基板、マイクロレンズ及び光学素子 - 特許庁

The semiconductor memory element may comprise a hydrogen infiltration preventive film which is another capacitor protective film between a passivation film and a capacitor.例文帳に追加

場合によって、半導体メモリ素子はまた他のキャパシタ保護膜である水素浸透防止膜をパッシベーション膜とキャパシタ間に含むこともできる。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element that facilitates high integration owing to expansion by employing a laminate structure, and to provide an economical method of manufacturing the same.例文帳に追加

積層構造により拡張されて高集積化の容易な不揮発性メモリ素子及びその経済的な製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of quality of a reproduced image by preventing reflection and transmission of scattered light at a reading side of a reproduced image of an optical memory element.例文帳に追加

光メモリ素子の再生像の読み取り側での散乱光の反射や透過を防止して、再生像の品質が劣化しないようにする。 - 特許庁

To reduce the number of TFTs necessary for 1-bit memory element to reduce the circuit scale of a driver arranged in the periphery of a display screen.例文帳に追加

メモリ素子１ｂｉｔ当たりに必要なＴＦＴの個数を減らし、表示画面の周辺に配置するドライバ回路規模を小さくする。 - 特許庁

To improve workability, when shilding an electrode leading about part of a liquid crystal display element using liquid crystal having a memory function by an image frame part.例文帳に追加

メモリー性を有する液晶を用いた液晶表示素子の電極引き回し部を額縁部にて遮蔽する際の作業性を改善する。 - 特許庁

Related to a memory cell 12, a second bit line 15 is provided at the position where a storage element 28 is clamped with a bit line 14.例文帳に追加

本発明のメモリセル１２は、記憶素子２８を第１のビット・ライン１４とで挟める位置に第２のビット・ライン１５を設けるように構成した。 - 特許庁

This hot water/water mixing device 10 is provided with a casing 20, a moving valve element 40, a shape memory alloy spring 60, and a bias spring 70.例文帳に追加

湯水混合装置１０は、ケーシング２０と、可動弁体４０と、形状記憶合金スプリング６０と、バイアススプリング７０とを備えている。 - 特許庁

The higher-order element is stored to a residual reference frame memory so as to be later used for both the inverse update operation and the inverse prediction operation (116).例文帳に追加

上位の要素は後で逆更新動作および逆予測動作の両方に用いられるように残差参照フレームに格納する（１１６）。 - 特許庁

Thus, the switching element disconnects the DC current with the finish of reading data from the memory, so that current consumption is reduced markedly.例文帳に追加

これにより、メモリのデータの読み出し終了と共にスイッチ素子が直流電流を遮断し、消費電流の大幅な低減が可能となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a formation of a bird's beak is suppressed, variations of an element characteristic are suppressed and a reliability is high.例文帳に追加

バーズ・ビークの形成が抑制されて素子特性のばらつきが抑制された信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A data read current passing through a tunnel magnetic resistive element constituting memory cells in reading data is set in accordance with the constant current I (Read).例文帳に追加

メモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子をデータ読出時に通過するデータ読出電流は、一定電流Ｉ（Ｒｅａｄ）に応じて設定される。 - 特許庁

This data is used as the brightness characteristic information on the organic EL element E1 due to the change with the elapse of time, and is stored in a brightness information memory 35.例文帳に追加

このデータは、有機ＥＬ素子Ｅ１の経時変化による輝度特性の情報として扱われ、輝度情報メモリ３５に格納される。 - 特許庁

After the output of the position detecting element (PSD) 4 is moderately amplified by a high-speed amplifier, the output amplified is stored in a memory by an A/D converter.例文帳に追加

位置検出素子（ＰＳＤ）４の出力を、高速増幅器にて適度に増幅した後、Ａ／Ｄコンバータを介してメモリに格納する。 - 特許庁

A memory cell MC included in a magnetic storage apparatus has a MTJ element MTJ, and one end is connected selectively and electrically to a ground potential line.例文帳に追加

磁気記憶装置が有するメモリセルＭＣは、ＭＴＪ素子ＭＴＪを有し、一端を接地電位線と選択的に電気的に接続される。 - 特許庁

The light emitting element 9 displays an operation for writing the image data to the memory 124 and an operation for electrically charging the electronic flash through its blinking operation.例文帳に追加

発光素子９は、その点滅動作によりメモリ１２４への画像データの書込み動作およびストロボ３のストロボ充電動作を表示する。 - 特許庁