「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

A first digital word (12) derived from a physical parameter network is coupled (13) with a second word stored in a non-volatile memory element (14).例文帳に追加

物理パラメータネットワークからとり出される第１デジタルワード（１２）を、非揮発メモリ素子（１４）に蓄積される第２ワードと結合（１３）する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device provided with a fuse element which is constituted in such a way that an electrically defective memory cell can be replaced.例文帳に追加

電気的に不良メモリセルの置き換えを行うことができるフューズ素子の構造を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a capacitor of a semiconductor memory element, which lessens generation of a leakage current in the capacitor and can ensure high capacitance of the capacitor.例文帳に追加

リーク電流の発生が少なく、高いキャパシタンスを確保できる半導体メモリ素子のキャパシタの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory element using a resistance change phenomenon having reversibly stable rewrite characteristics.例文帳に追加

可逆的に安定した書き換え特性を有する抵抗変化現象を利用した不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT COVERED WITH OXYGEN BARRIER FILM, ELECTRONIC SYSTEM USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子、これを用いる電子システム及びこれを製造する方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device with which the volatilization or diffusion of Bi element in a ferroelectric film can be prevented.例文帳に追加

強誘電体膜内のＢｉ成分の揮発または拡散を防止する強誘電性メモリデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first conductive film is formed on the element isolation structure and the first gate insulation film, and a part on a memory cell portion is eliminated.例文帳に追加

素子分離構造体及び第１のゲート絶縁膜上に、第１の導電膜を形成し、メモリセル部上の部分を除去する。 - 特許庁

In the memory cell area 70, element isolation trenches 21 each for isolating an active area 30 are formed on a surface layer part of the silicon substrate 2.例文帳に追加

メモリセル領域７０には、シリコン基板２の表層部に、アクティブ領域３０を分離する素子分離トレンチ２１が形成されている。 - 特許庁

A memory resources 110 are selectively accessible by the at least one high-density logic device and direct execution logic element.例文帳に追加

メモリリソース１１０は、少なくとも１つの高密度ロジックデバイス及びダイレクト・エクセキューション・ロジック要素によって、選択的にアクセス可能である。 - 特許庁

A first interlayer insulation film 10 is formed on a flash memory cell formed in a storage element region on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の記憶素子領域形成されたフラッシュメモリセル上に第１の層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage element which is further miniaturizable compared with a flash memory of a conventional structure, and using a dipole by a fullerene.例文帳に追加

従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY USING THE SAME, DATA WRITING METHOD THEREFOR, DATA READING METHOD AND THESE MANUFACTURING METHODS例文帳に追加

半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法 - 特許庁

A semiconductor storage element, a control circuit or the like constituting the memory card 1c is covered with a nontransparent member, and also optically protected.例文帳に追加

メモリカード１ｃを構成する半導体記憶素子、制御回路等は不透明部材で覆われていて光学的にも保護されている。 - 特許庁

A phase change memory element comprises a semiconductor substrate of first conduction type, and a plurality of wordlines arranged on the semiconductor substrate.例文帳に追加

相変移記憶素子は、第１導電型の半導体基板及び前記半導体基板上に配置された複数のワードラインを備える。 - 特許庁

Gradation data for an n-th light emitting point of a self scanning type light emitting element array is sent from an image memory 22 to a multiplier 25.例文帳に追加

画像メモリ２２から、自己走査型発光素子アレイのｎ番目の発光点に対する階調データが、乗算器２５に送られてくる。 - 特許庁

The type of the flag information in the flag memory means is reported to the player by displaying a corresponding display element on a predetermined part.例文帳に追加

フラグ記憶手段内のフラグ情報の種類は、対応する表示要素を所定箇所に表示することにより、プレイヤーに報知される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device provided with a current detecting type sense amplifier which is resistant to variation of element properties and can read out at high speed.例文帳に追加

素子特性のばらつきに強い、高速読み出し可能な電流検出型センスアンプを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which is made finer, thermally stable, and has a small switching magnetic field, and also to provide a magnetic memory using it.例文帳に追加

微細化が可能で、熱的に安定で、スイッチング磁界の小さな磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable memory element which can be mass-integrated easily and inexpensively, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

大量に集積することが容易で、安価に実現可能であり、しかも信頼性の高いメモリ素子とその製造技術を提供すること。 - 特許庁

To improve operation reliability of a non-volatile memory element by raising integration degree and simplifying forming process of a common source line.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、素子の集積度を高め、共通ソースラインの形成工程を単純化し、動作信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar type operation in a predetermined operation principle and can be used as a memory device.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。 - 特許庁

To provide a functional element having extreme excellency in storage stability applicable to various applications of recording elements, memory devices, etc.例文帳に追加

保存安定性においてきわめて優れ記録素子、メモリーデバイス等の各種の用途に適用され得る新規な機能素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high performance lead-free ferroelectric memory element which can be mounted directly on an Si substrate.例文帳に追加

高性能でＰｂを含有せず、しかもＳｉ基板上への直接的な実装を可能にした、強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

Picture data obtained through an image pickup element 2 are temporarily stored in a picture memory 9a, and transferred to a recording medium 13 so that the picture data can be recorded.例文帳に追加

撮像素子２を経て得た画像データは画像メモリ９ａに一旦格納された後、記録媒体１３に転送、記録される。 - 特許庁

Each memory element stores one of at least two complementary binary bits as one of at least two complementary resistances.例文帳に追加

各メモリ素子は、少なくとも２つの相補的バイナリ・ビットのうちの１つを、少なくとも２つの相補的抵抗のうちの１つとしてストアする。 - 特許庁

To excellently drive an anti-ferroelectric liquid crystal element of which the ferroelectric liquid crystal phase state has memory ability in the state without electric field.例文帳に追加

無電界状態で強誘電性液晶相状態がメモリー性を有する反強誘電性液晶素子を良好に駆動する。 - 特許庁

During printing, data on the unevenness of rotation is read from the memory 37, and the amount of heat generation of each heat generating element is controlled on every recording of one line.例文帳に追加

プリント時には、メモリ３７から回転むらデータが読み出され、１ラインの記録毎に各発熱素子の発熱量が制御される。 - 特許庁

An adhesive layer 12 formed on one side of a base material 11 and a data memory element 13 held on the base material 11 are included.例文帳に追加

基材１１の一方の面側に形成された粘着剤層１２と、基材１１に保持されたデータ記憶素子１３とを備える。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory element capable of analyzing its malfunction in a fast actual operation state even by using a simple testing system.例文帳に追加

簡単なテストシステムを用いても、高速に実動作状態中の誤動作解析が可能な半導体記憶素子の実現を課題とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which the characteristics do not deteriorate even if memory elements are fabricated in the plane of a semiconductor substrate at a fine pitch and recording operation of 2 bits/unit memory element is ensured, and its operating method and fabrication method.例文帳に追加

半導体基板面内における半導体記憶素子のサイズの微細化を行っても、特性の劣化が少なく、かつ、単位記憶素子あたり２ビットの記録の動作が可能な不揮発性半導体記憶装置、並びにその動作方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that in magnetic memory using conventional magnetic tunnel junction(MTJ) elements, a ferro-magnetic layer forming a memory layer is magnetized in the direction of the surface inside, therefore, demagnetizing influence by the magnetic poles at both end parts increases with micronizing of the element and magnetization of the memory layer becomes unstable.例文帳に追加

従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁

When an instruction has a preliminary field, the instruction is stored in an instruction cache memory 101 from a memory 106 in such a manner that information created by predecoding the instruction code of the instruction using a predecoding computing element 100 is stored in the area of the instruction cache memory corresponding to the preliminary field.例文帳に追加

命令が予備フィールドを持つ場合に、命令をメモリ（１０６）から命令キャッシュメモリ（１０１）にストアする際、その命令の命令コードをプリデコード・演算器（１００）でプリデコードして生成した情報を命令キャッシュメモリの予備フィールド対応領域に格納する。 - 特許庁

To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。 - 特許庁

In a memory element 1 having a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 laminated in this order, the memory layer 20 comprises an ion source layer 21, a variable resistance layer 22, and a barrier layer 23 exhibiting electrical conductivity higher than that of the variable resistance layer 22.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はイオン源層２１と、抵抗変化層２２と、抵抗変化層２２よりも高い導電率を示すバリア層２３とを有する。 - 特許庁

A reference voltage generation circuit outputting adjusted reference voltage has a memory element group in which adjusted data can be written, a memory for adjustment having a latch circuit set at reset and set in accordance with adjusted data written in the memory element group, and an amplifier circuit outputting output reference voltage in accordance with adjusted data.例文帳に追加

本発明は，調整された基準電圧を出力する基準電圧生成回路において，調整データを書き込み可能なメモリ素子群と，リセット時にリセットされ，その後メモリ素子群に書き込まれた調整データに応じてセットされるラッチ回路とを有する調整用メモリと，調整データに応じた出力基準電圧を出力する増幅回路とを有する。 - 特許庁

To enlarge a range of a memory operation temperature and to improve a lifetime of a ferroelectric capacity element by operating a memory with a non-volatile memory mode at high temperature and operating it with a DRAM operation mode in which polarization inversion is not performed other than at high temperature, in order to suppress fatigue deterioration of a ferroelectric capacity element caused by repetition of polarization inversion.例文帳に追加

分極反転の繰り返しによる強誘電体容量素子の疲労劣化を抑制するため、高温時には不揮発性メモリモードで動作させ、高温時以外には分極反転を伴わないＤＲＡＭ動作モードを行い、メモリ動作温度範囲を拡大すると共に、強誘電体容量素子の寿命の改善を図る。 - 特許庁

The memory card includes a storage element for storing information, and has a contact pad group for inputting/outputting electric signals related to information to be recorded in the storage element or information read from the storage element, at a front end in a length direction.例文帳に追加

メモリカードは、情報を格納する記憶素子を内蔵し、さらに記憶素子に記録すべき情報または記憶素子から読み出した情報に関する電気信号を入出力するためのコンタクトパッド群を長さ方向の前方端に有する。 - 特許庁

This system 100 is provided with a lens 128 connected to a lens control element 142, an image sensor 116 constituted to take an image in from the lens 128, and a memory element 106 and a processor 14 connected to a lens control element.例文帳に追加

本システム１００は、レンズ制御要素１４２に接続されたレンズ１２８と、レンズ１２８から画像を取り込むように構成された画像センサ１１６と、レンズ制御要素１４２に接続されたメモリ要素１０６およびプロセッサ１０４とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element for improving element mass production capability, and for preventing the excessive shift of a threshold voltage in an E/W cycling(Erase/Write cycling) and bake process, and for improving the reliability of the element.例文帳に追加

素子量産能力を向上させることができ、Ｅ／Ｗサイクリング(Erase/Write cycling)及びベーク工程の際にしきい値電圧の過度なシフトを防止することができて素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of the insulating layer 12 and the second vertical connection layer 15B, a storage layer 16 containing an ionizable metallic element such as Cu along with a chalcogenide element such as Te and an upper electrode 17 are laminated in this order, thus constituting a memory element 1.例文帳に追加

絶縁層１２および第２縦接続層１５Ｂの表面上に、Ｔｅなどのカルコゲナイド元素と共にＣｕなどイオン化可能な金属元素を含む記憶層１６および上部電極１７がこの順に積層され、記憶素子１を構成する。 - 特許庁

Output density data indicative of recording density at each recording element is acquired (S12), the output information of the recording element is obtained in accordance with the output density data (S14) and characteristic information at a normal state of the recording element is predetermined and stored in a memory.例文帳に追加

記録素子毎の記録濃度を示す出力濃度データが取得されて（Ｓ１２）、この出力濃度データから記録素子毎の吐出情報が求められる（Ｓ１４）一方で、記録素子の正常時の特性情報が予め定められて記憶される。 - 特許庁

To provide a magnetic storage element ensuring a coercive force having a magnitude in a certain extent while being capable of conducting a recording by a low recording current, and to provide a recording method for the magnetic storage element, and a magnetic memory with the magnetic storage element.例文帳に追加

磁気記憶素子において、ある程度の大きさの保磁力を確保すると共に、低い記録電流で記録を行うことを可能にする磁気記憶素子及びその記録方法、並びに磁気記憶素子を備えた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The memory card (20) is provided with a storage element storing information and has a contact pad group for inputting/outputting an electric signal on information which is to be recorded in the storage element or information that is read from the storage element at a front end in a length direction.例文帳に追加

メモリカード（２０）は、情報を格納する記憶素子を内蔵し、さらに記憶素子に記録すべき情報または記憶素子から読み出した情報に関する電気信号を入出力するためのコンタクトパッド群を長さ方向の前方端に有する。 - 特許庁

A compression propriety determination part 130 of an instruction issuing control unit 110 determines whether a memory access instruction which can access a plurality of element data stored at an address interval designated by instruction by one instruction accesses a plurality of element data within the bank width of a memory bank 210.例文帳に追加

命令発行制御部１１０の圧縮可否判定部１３０は、命令で指定したアドレス間隔で記憶された複数の要素データを１命令でアクセスできるメモリアクセス命令が、メモリバンク２１０のバンク幅内の複数の要素データをアクセスするか否かを判定する。 - 特許庁

An information display part of the electronic instrument is constituted of a display element which has memory properties and can maintain display contents even when power source is suspended and when the power source is to be suspended, a prescribed information is displayed on the display element having memory properties just before the power source is suspended and then the power source is suspended.例文帳に追加

電子機器の情報表示部を電源停止状態でも表示内容を維持できるメモリ性表示素子で構成するとともに、電源停止時には電源停止直前に所定の情報を前記メモリ性表示素子に表示させてから電源を停止する。 - 特許庁