「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes a CPU chip 4 having a transmitting and receiving optical element 3a, a memory chip 5 having a transmitting and receiving optical element 3b, and the transposer 1 which has a waveguide 2 for transmitting light between the transmitting and receiving optical elements 3a and 3b and is joined to the CPU chip 4 and memory chip 5.例文帳に追加

半導体装置は、送受光素子３ａを有するＣＰＵチップ４と、送受光素子３ｂを有するメモリチップ５と、送受光素子３ａ，３ｂの間で光を伝送するための導波路２を有し、ＣＰＵチップ４およびメモリチップ５と接合されたトランスポーザ１とを備える。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

To solve the problem that the influence of a diamagnetic field due to magnetic poles at both ends due to the thinning of an element and the magnetization of a memory layer becomes unstable, since the magnetization of a ferromagnetic layer that becomes the memory layer in a magnetic tunnel junction(MTJ) element for improving sensitivity by lamination is in the direction of the inside of a surface.例文帳に追加

従来の積層して高感度化を図った磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子ではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁

This device is provided with a bit line selecting means making bit lines corresponding to a memory element reading out stored contents from plural bit lines constituting a memory element array a selection state and a bit line grounding means grounding selectively a bit line being adjacent to a bit line selected by this bit line selecting means.例文帳に追加

メモリ素子アレイを構成する複数のビット線から記憶内容を読み出すべきメモリ素子に対応するビット線を選択状態するビット線選択手段と、このビット線選択手段が選択したビット線に隣接するビット線を選択的に接地するビット線接地手段とを備えた。 - 特許庁

The CPU (central processing unit) refers to the defect pixel information stored in the memory to set the light-receiving element group having many OB defect pixels to lower sensitivity and the light-receiving element group having a few OB defect pixels to higher sensitivity.例文帳に追加

ＣＰＵは、メモリに記憶された欠陥画素情報を参照して、ＯＢ欠陥画素の多い受光素子群を低感度、ＯＢ欠陥画素の少ない受光素子群を高感度に設定する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜３０４は活性領域３０２の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域３０２上にグルーブを供給する。 - 特許庁

The circuit element which is formed in the cross-point functions as a data storage device in the memory array, and it also functions as a connection part for a substitution-type addressing mechanism used to address the element inside the array.例文帳に追加

交点に形成された回路エレメントは、メモリアレイのデータ記憶デバイスとして機能し、かつアレイのエレメントをアドレス指定するための置換型アドレス指定機構用の接続部として機能する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolated insulating film 4 buried in the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 2 of a cell part isolated from the element isolated insulating film 4, and a first conductive layer 3.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜４と、素子分離絶縁膜４により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a large margin for a misaligned masks and capable of microfabricating element regions other than a memory element region, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

フォトリソグラフィでのマスクの合わせズレに対するマージンが大きく、メモリ素子以外の他の素子領域を微細化することが可能な半導体装置の製造方法及び、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The image data are read out from the memory element after passage of (value of the multiple of the integer)×(one line time) from the initial data writing time so as to be outputted to the odd-numbered (or even-numbered) light emitting element array chip.例文帳に追加

前記メモリ素子から、最初のデータが書き込まれた時刻より（整数倍の値）×（１ライン時間）の時間後に画像データを読み出し、奇数番目（または偶数番目）の発光素子アレイチップヘ出力する。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

A first insulating layer is formed on the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor memory element provided with a connection terminal and a peripheral circuit element are formed, and a hole reaching the connection terminal is formed from the surface.例文帳に追加

接続端子を有する半導体メモリ素子と周辺回路素子とを形成した半導体基板表面上に第１の絶縁層を形成し、表面から接続端子に達する孔を形成する。 - 特許庁

To provide the source contact formation method of a flash memory element which is excellent in metallic wiring and contact resistance for preventing the deterioration of element characteristics although a following heat treatment process is carried out.例文帳に追加

金属配線およびコンタクト抵抗に優れると同時に、後続の熱処理工程が行われても素子特性の低下を防止することを可能とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element by which a high MR rate of a change can be obtained and correspondence to high densification can be expected, and to provide a magnetic head using the magnetoresistive effect element, a magnetic recording/reproducing apparatus, and a magnetic random access memory.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

A digital camera 1 photographs videos by means of a solid-state image pickup element 4 and records video signals from the element 4 in a semiconductor memory after digitizing and enciphering the video signals by means of a video processing section 5.例文帳に追加

デジタルカメラ１は、固体撮像素子４によって映像を撮影し、映像処理部５で固体撮像素子４からの映像信号をデジタル化し、かつ暗号化して半導体メモリ６に記録するものとする。 - 特許庁

An MRI apparatus 100 collects NMR signal data received by each of two or more element coils by a channel unit assigned to the element coils when taking a positioning image and stores it in a memory part 14.例文帳に追加

ＭＲＩ装置１００は、位置決め画像撮像時、複数の要素コイルそれぞれにて受信されたＮＭＲ信号データを、要素コイルに割り当てられたチャネル単位で収集し、記憶部１４に格納する。 - 特許庁

The image data is read out of the image memory 13 for every scanning component and the drive control circuit 11 acquires the ratio (lighting rate of the light-emitting element at every scanning) of the EL element to be subjected to light emission control.例文帳に追加

画像メモリ１３からは１走査分毎に画像データが読み出され、駆動制御回路１１は、発光制御させるべきＥＬ素子の割合（１走査毎の発光素子の点灯率）を取得する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high MR changing rate and coping with high-density, as well as a magnetic head, a magnetic recording reproducing device and a magnetic random access memory employing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

A movable element 4 and a fixed element 5 in which respective tip sections are attached or detached mutually, are arranged in one of arms 12 of a body 1 having a slot section which the SD memory card or the multimedia card can be selectively inserted or extracted.例文帳に追加

ＳＤメモリカードとマルチメディアカードとを選択して挿抜可能なスロット部を有するボディ１の一方のアーム１２に、互いの先端部同士が接離する可動片４と固定片５とが配設されている。 - 特許庁

Through these procedures, the element 42b and the other element 42a are formed making use of the step of EEPROM memory cell 41 so as to realize a semiconductor device equipped with the EEPROM together with the mask ROM.例文帳に追加

このように、ＥＥＰＲＯＭメモリセル４１の工程を利用して素子４２ｂ及び一方の素子４２ａを形成し、ＥＥＰＲＯＭと共にマスクＲＯＭを備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

A noise reduction capacitor element Cn of the same shape and size with a data storage capacitor element Cs located on a memory cell selection MISFET is provided to a part of a substrate.例文帳に追加

基板１の一部にはメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの上部の情報蓄積用容量素子Ｃs と同一形状、同一寸法で構成されたノイズ対策用容量素子Ｃnが形成される。 - 特許庁

A hardware switch group 18 for setting a serial number proper to an antenna element 2 is arranged in the antenna element 2, and the antenna pattern data corresponding to this serial number can be recorded in a memory 14.例文帳に追加

アンテナ素子２内にアンテナ素子２に固有のシリアル番号を設定しておくハードウェアスイッチ群１８を設け、このシリアル番号に対応するアンテナパターンデータをメモリ１４に記録しておくことができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element good in contrast, low in driving voltage and good in memory characteristic in spite of a liquid crystal display element formed by interposing a liquid crystal composition indicating a cholesteric phase between substrates.例文帳に追加

基板間にコレステリック相を示す液晶組成物が挟持された液晶表示素子であって、コントラストが良好で、駆動電圧が低く、メモリ性の良好な液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for finite element analysis for calculating a solution with a comparatively little computational complexity or memory capacity while using a concentrated mass matrix even when a higher-order element is used.例文帳に追加

高次要素を用いた場合でも、集中質量行列を用いて比較的少ない計算量あるいはメモリ量で解を算出する有限要素解析方法およびシステムを与える。 - 特許庁

In the back light device comprising a plurality of substrates each including a light emitting element, an optical sensor, and a memory means and a drive circuit for driving the light emitting element, the memory means of each substrate stores information corresponding to an output value of the optical sensor in a condition in which the light emitting element emits a light of a predetermined luminance or chromaticity.例文帳に追加

発光素子、光センサ及びメモリ手段を備えた複数の基板並びに前記発光素子を駆動する駆動回路を備えたバックライト装置であって、前記各基板の前記メモリ手段には前記発光素子が所定の輝度又は色度の光を発する条件における前記光センサの出力値に対応する情報が記憶されている。 - 特許庁

This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁

This circuit is provided with a memory cell array comprising redundant elements used for replacement of a defective element, a decoder circuit performing row and column selection of this memory cell array, and a replacement control circuit storing defective address, performing detection of coincidence between an inputted address and a defective address and controlling the decoder circuit so that the defective element is replaced by a redundant element.例文帳に追加

不良エレメントの置換に用いられる冗長エレメントを含むメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの行列選択を行うデコーダ回路と、不良アドレスを記憶し、入力されたアドレスと不良アドレスの一致検出を行って不良エレメントを冗長エレメントで置き換えるべく前記デコード回路を制御する置換制御回路とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory is equipped with: the memory cells MC constituted of the resistance changing element and a switch element connected in series; a readout word line RWL connected to a control terminal of the switch element; and means 12, 13 for executing an auto-closing operation which automatically deactivates the readout word line RWL a certain period later from the time when the readout operation is started.例文帳に追加

本発明の例に関わる半導体メモリは、直列接続される抵抗変化素子及びスイッチ素子から構成されるメモリセルMCと、スイッチ素子の制御端子に接続される読み出しワード線RWLと、読み出し動作を開始してから一定期間後に自動的に読み出しワード線RWLを非活性化するオートクローズ動作を実行する手段12,13とを備える。 - 特許庁

The plurality of memory cells each includes a rectifying element connected to a first wiring line, a lower electrode formed on the rectifying element, a variable resistance element formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the variable resistance element and connected to a second wiring line, parts of rectifying elements of the plurality of memory cells adjoining each other in a first wiring line direction being connected.例文帳に追加

複数の前記メモリセルのそれぞれは、前記第１配線に接続された整流素子と、前記整流素子上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子上に形成され、前記第２配線に接続された上部電極と、を有し、前記第１配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記整流素子の一部は、接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a memory element, and which is manufactured by a simplified manufacturing process, and reduces the area of capacitance elements.例文帳に追加

作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化されたメモリ素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To enable a simpler construction to achieve an ATS-P ground element with a failure detecting function which can detect a failure with a telegram memory and a transmitter.例文帳に追加

電文記憶部と送信部で故障を検知しうる故障検知機能付きＡＴＳ−Ｐ地上子をより簡素な構成で実現する。 - 特許庁

A light quantity correction data memory 67 is provided to store data (correction data) for correcting a light quantity of the light emitting element of the light emitting chip C.例文帳に追加

そして、発光チップＣの発光素子の光量を補正するためのデータ（補正データ）を格納した光量補正データメモリ６７を備えている。 - 特許庁

To provide a technique for rewriting data by an FN tunnel current of the entire surface of a channel, in an element for writing and erasing data of a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for improving the stability in a resistance change and a resistance change ratio of a resistance change type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sound processing module 14 includes a programmable interface 18, a mechanical interface unit 20, a digital signal processor 24, a CODEC 28, and a memory element 30.例文帳に追加

また、この方法は、前述の音声信号と選択された音響効果との統合を反映する出力（４０）を生成するステップを含む。 - 特許庁

To provide a variable resistance memory element which is contrived to suppress variation in a CER (colossal electroresistance) value and improve the CER value.例文帳に追加

ＣＥＲ値のばらつきを抑制するとともにＣＥＲ値を高める値にする工夫が施された抵抗変化型記憶素子を提供する。 - 特許庁

When transfer is collectively performed, a transfer destination address generating part 183 generates the transfer destination address of each kind of element data in the local memory 150.例文帳に追加

一括転送された場合、転送先アドレス生成部１８３は各要素データのローカルメモリ１５０における転送先アドレスを生成する。 - 特許庁

To provide a non-volatile ferroelectric memory element that simplifies processes, is thin, and has less capacitor connection, and its manufacturing method.例文帳に追加

工程を簡素化し、厚さが薄く、かつキャパシタの接続が少ない不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element separator of the memory cell region comprises projections that protrude from the semiconductor substrate 1 with a recess formed between the projections.例文帳に追加

メモリセル領域の素子分離部分は半導体基板１から突出する突出部分を有し、突出部分間には凹部が形成されている。 - 特許庁

A bias voltage generation circuit 21 includes a series circuit composed of a magneto-resistance element Ref imitating a memory cell, and a MOS transistor QN3.例文帳に追加

バイアス電圧発生回路２１は、メモリセルを模した磁気抵抗素子ＲｒｅｆとＭＯＳトランジスタＱＮ３からなる直列回路を有する。 - 特許庁

A fuse area 116 in which a fuse element 120 for storing an address of a defective memory cell is arranged is formed in a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置には、不良なメモリセルのアドレスを記憶するためのヒューズ素子１２０が配列されるヒューズ領域１１６が形成される。 - 特許庁

The apparatus and method is for enhancing data writing and retention to a magnetic memory element, e.g., in a non-volatile data storage array.例文帳に追加

不揮発性データ記憶アレイなどにおける磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法である。 - 特許庁

To enable adjusting (alignment of incident light) easily and surely the irradiation state of incident light (reproduction light) for an optical memory element.例文帳に追加

光メモリ素子に対する入射光（再生光）の照射状態の調整（入射光のアライメント）を、容易に、かつ、確実に行なえるようにする。 - 特許庁

A magnetic memory element 70 includes a free magnetization layer 10, a nonmagnetic layer 20, a reference layer 30, a fixed magnetization layer group 40, and a conductive layer 50.例文帳に追加

磁気メモリ素子７０は、磁化自由層１０と非磁性層２０とリファレンス層３０と磁化固定層群４０と導電層５０とを具備する。 - 特許庁