「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The PLD has: the memory 213 storing information inputted from an information source 15 present outside the PLD; a circuit element group 3 comprising a plurality of circuit elements; and the logic circuit 2 constructed on the circuit element group according to the information inside the memory.例文帳に追加

ＰＬＤ（２１７）が、ＰＬＤの外に存在する情報源（１５）から入力された情報を記憶するメモリ（２１３）と、複数の回路要素から成る回路要素群（３）と、メモリ内の情報に従って回路要素群上で構築された論理回路（２）とを備える。 - 特許庁

The junction region of a semiconductor memory element includes a junction region of a semiconductor memory element including a semiconductor substrate on which a gate line is formed and a junction region where impurities with different masses different from each other are injected and which is formed with widths different from each other.例文帳に追加

ゲートラインが形成された半導体基板、ゲートライン間の半導体基板に互いに異なる質量の不純物が注入され、互いに異なる幅で形成された接合領域を含む半導体メモリ素子の接合領域からなることを特徴とする。 - 特許庁

A state transition table searching part 117, which has a function to transit the state transition table 119 along the result of the pre-analysis, and a memory-saving element node generating part 118, which has a function to generate an element node which restrains a memory usage quantity when a state transition occurs, are also added.例文帳に追加

また、事前解析結果に沿って状態遷移テーブル119を遷移する機能を有する状態遷移テーブル検索部117と、状態遷移時にメモリ使用量を抑制した要素ノードを生成する機能を有する省メモリ要素ノード生成部118を付加する。 - 特許庁

A compression result index CRX for specifying the relationship between the element identifier, the node identifier and the document identifier is created and stored in memory, and an assembly of the element identifiers of the well formed schema and the corresponding sets of the compression result index CRX is stored in memory as a compression result set CRS.例文帳に追加

要素識別子、ノード識別子、文書識別子の関連を規定する圧縮結果インデックスCRXを生成してメモリに格納し、整形式スキーマの要素識別子と該圧縮結果インデックスCRXの対応する組の集合を圧縮結果セットCRSとしてメモリに格納する。 - 特許庁

To provide a threshold value control circuit of a nonvolatile memory element in which variation in the threshold value of a reference cell, that holds a prescribed threshold value in a freely changeable manner corresponding to the change in the storage condition of the nonvolatile memory element, is suppressed and the threshold value is set to the prescribed threshold value in a short time.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の記憶状態の変更により所定の閾値を変更自在に保持する参照セルの当該閾値を、その閾値ばらつきを抑制して短時間で所定値に設定可能な不揮発性メモリ素子の閾値制御回路を提供する。 - 特許庁

A compression result index CRX for regulating the relation of the element identifier, the node identifier and the document identifier is generated and stored in the memory, and the set of pairs of the corresponding element identifier of the formal type schema and the compression result CRX is stored in the memory as a compression result set CRS.例文帳に追加

要素識別子、ノード識別子、文書識別子の関連を規定する圧縮結果インデックスCRXを生成してメモリに格納し、整形式スキーマの要素識別子と該圧縮結果インデックスCRXの対応する組の集合を圧縮結果セットCRSとしてメモリに格納する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit in which power consumption can be reduced in a non-operation mode of the integrated circuit while surely keeping data stored in a volatile memory element, in the integrated circuit provided with a volatile memory element and a logical interface circuit.例文帳に追加

本発明は、揮発性メモリ素子及び論理インターフェイス回路を備えた集積回路において、揮発性メモリ素子に記憶されたデータを確実に保持しつつ、集積回路の非活動モードにおける電力消費を低減できる集積回路を提供する。 - 特許庁

A duplexing write-in circuit 106 simultaneously selects the first non-volatile memory 102 and the second non-volatile memory 103 based on a duplexing signal (enable signal) from a CPU 101, and writes the duplexed data in the second non-volatile memory element 103 when writing the data in the first non-volatile memory 102.例文帳に追加

二重化書込み回路１０６は、ＣＰＵ１０１からの二重化信号（イネーブル信号）に基づいて、第１の不揮発メモリ１０２と第２の不揮発性メモリ素子１０３を同時に選択し、第１の不揮発メモリ１０２へデータを書込むときに、第２の不揮発性メモリ素子１０３へ二重化したデータを書込む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of being fabricated by a simple process and realizing stabilized recording/reproducing operation by decreasing the number of initially rejectable nonvolatile memory elements, and to provide convenient nonvolatile memory circuit and nonvolatile memory card and a recorder employing them.例文帳に追加

初期不良となる不揮発性記憶素子の数を低減し、安定した記録再生動作を実現することが可能であり、かつ、簡単なプロセスで形成可能な不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、および利便性に優れた不揮発性記憶カード、および、それらを用いた記録装置を提供することにある。 - 特許庁

SYSTEM OF SELLING MEMORY CARD STORING DATA SUCH AS VIDEO IMAGE OR MUSIC AS MEDIUM LIKE CONVENTIONAL CD OR DVD USING NON-VOLATILE MEMORY COMPOSED OF SEMICONDUCTOR ELEMENT TO BE USED AS ONE-TIME PROGRAM MEMORY(OTP-ROM) OR MEMORY CARD WITH BUILT-IN OTP-ROM例文帳に追加

半導体素子によって構成された不揮発性メモリを使用し、これをワンタイム・プログラム・メモリ仕様としたもの、又はワンタイム・プログラム・メモリ（以下、ＯＴＰ−ＲＯＭという）を内蔵したメモリーカード等を使用して動画や音楽などのデータを書き込み、従来のＣＤやＤＶＤなどと同様の新しいメディアとして販売するシステム。 - 特許庁

On the basis of the imaging operation of each pixel of the solid-state imaging element 2 confirmed by a comparator 66, a memory control section 62 selects and reads the FPN component of the pixel from either a memory 61a for linear conversion or a memory 61b for logarithmic conversion of an image memory 61, and outputs it to an FPN component removing section 65.例文帳に追加

比較器６６で確認された固体撮像素子２における各画素の撮像動作に基づいて、メモリ制御部６２が各画素のＦＰＮ成分を画像メモリ６１における線形変換用メモリ６１ａ及び対数変換用メモリ６１ｂのいずれかから選択して読み出して、ＦＰＮ成分除去部６５に出力する。 - 特許庁

The cross interleave generating device is provided, in which when reading out data for one frame written in a memory, before reading out all data in the frame, the data of the next frame are written to a memory element which is finished to be read out.例文帳に追加

メモリに書き込んだ１フレーム分のデータを読み出す際、そのフレームのすべてのデータを読み出し終える前に、読み出し終えた記憶素子に対して次のフレームのデータを書き込んでいく。 - 特許庁

When a failure of the memory used as the control element is detected at start-up, the other memories excluding the defective memory are set as new control elements, and start operation is continued.例文帳に追加

起動時に、制御要素として使用されるメモリの異常を検出すると、各メモリのうち、異常が検出されたメモリを除く他のメモリを新たな制御要素として設定し、起動を継続する。 - 特許庁

To provide a high speed, high integration memory element comprising a CNT having high conductivity and a high heat dissipation rate, and a memory cell having an excellent charge storage capacity and free from erroneous operation, and its fabricating method.例文帳に追加

高い伝導度と高い熱放出度を有するＣＮＴと、電荷貯蔵能力に優れたメモリセルとを備え、誤動作のない高速、高集積のメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the switch element S1 is opened to start a sense amplifier 6, the data read from the memory cell M02 to be stored in the bit line BL102 of the bottom array block is output to the outside of a flash memory.例文帳に追加

スイッチ素子Ｓ１を開いてセンスアンプ６を起動すれば、メモリセルＭ０２から読み出されてボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に保持されているデータを、フラッシュメモリの外部に出力することができる。 - 特許庁

To provide a phase-change material element which is provided for microminiaturization and may be used for a semiconductor device, such as a semiconductor memory which is required in microminiaturization, and to provide a semiconductor memory using the same.例文帳に追加

微細化に対応することが可能であって、微細化の要求される半導体メモリなどの半導体デバイスに用いることが可能な相変化材料素子および半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To improve the speed of reading a semiconductor memory where bit data of a memory element is read through internal differential data lines and inputted to a sense amplifier circuit, and a latch circuit is connected to the output terminal of the sense amplifier circuit.例文帳に追加

メモリ素子のビットデータを内部差動データ線で読出しセンスアンプ回路に入力させ、センスアンプ回路の出力端子にラッチ回路を接続した半導体メモリの読み出しスピードを高速化する。 - 特許庁

To provide a flash memory element for preventing a cell from being erased excessively and making uniform the threshold voltage distribution of a memory cell array by preventing an electric charge from being centered in the cell.例文帳に追加

電荷がセル内に集中することを防止することにより、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

In the adjustment method, a laser device is used, the data N for expressing the correction factor is coded by selectively cutting a fuse for composing the memory element of the memory circuit 24.例文帳に追加

本発明による調整方法は、レーザ装置を使用して、修正ファクタを表すデータ（Ｎ）を、メモリ回路（２４）のメモリ要素を成すヒューズ（Ｆ１、Ｆ２；Ｆ．１〜Ｆ．６；Ｆ．１^*〜Ｆ．６^*）の選択的切断によりコード化する。 - 特許庁

To achieve long life and highly reliable recording by suppressing destruction of an information memory element or shortage of the life caused by the recording, in a nonvolatile memory for recording a resistance change as information.例文帳に追加

抵抗変化を情報として記録を行う不揮発性メモリにおいて、記録による情報記憶素子の破壊や寿命の短縮を抑えて長寿命で信頼性の高い記録を実現する。 - 特許庁

The display unit 130 for displaying memory information of the memory chip 120 includes a display unit circuit board 132, a drive IC 134, a passive element 136, a packet structure part 138, and a display device 140.例文帳に追加

メモリチップ１２０のメモリ情報を表示するための表示ユニット１３０は、表示ユニット回路基板１３２、駆動ＩＣ１３４、受動エレメント１３６、パケット構造部１３８、表示装置１４０を含む。 - 特許庁

To make an electrode disposing pitch narrower, that is to increase the capacity of a memory, by preventing crosstalk at the time of reading data from the simple matrix type memory element of a passive addressing system.例文帳に追加

パッシブアドレッシング方式の単純マトリクス型メモリ素子からデータを読出しするときに、クロストークを防止することで、電極配設ピッチをより狭くすること、すなわち、メモリの大容量化を可能にする。 - 特許庁

Since the operation memory has storage capacity enough to store a plurality of sets of remainder calculation data, prescribed calculation data can be transferred from the operation memory to a remainder computing element within the coprocessor unit.例文帳に追加

前記演算メモリは剰余演算データを複数組格納可能な記憶容量を持つから、所定の演算データについてコプロセッサユニット内で演算メモリから剰余演算器に転送することが可能になる。 - 特許庁

A memory part 102 having a capacitive element 130, a logic part 104 having a logic circuit and a boundary part 106 installed between the memory part 102 and the logic part 104 are installed in a silicon substrate 101.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、容量素子１３０を有するメモリ部１０２とロジック回路を有するロジック部１０４と、メモリ部１０２とロジック部１０４との間に設けられた境界部１０６を設ける。 - 特許庁

In addition, the memory element also includes: a coercive force enhancement layer consisting of at least one of Cr, Ru, W, Si, and Mn adjacent to the memory layer; and a spin barrier layer made of an oxide adjacent to the coercive force enhancement layer.例文帳に追加

これに加え、記憶層に隣接する、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｍｎの少なくとも一つからなる保磁力強化層と、保磁力強化層に隣接する酸化物によるスピンバリア層を設ける。 - 特許庁

The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.例文帳に追加

記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層と１１２、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁

The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.例文帳に追加

記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層１１２と、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁

To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

Consequently, the memory element having the first conductive layer, the second conductive layer, and the memory layer sandwiched by the first conductive layer and the second conductive layer is manufactured simply and quickly, by conducting the preprocessing.例文帳に追加

よって、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有する記憶素子を、前処理を行うことで簡便に作製することができる。 - 特許庁

The application of power of a heating element related to the ink tank is counted and stored in a printer memory and a predetermined number of application times of power showing a capacity usable in the tank is stored in the memory.例文帳に追加

インクタンクに関連した加熱素子の電力印加がカウントされてプリンタメモリーに保存され、またタンク内の使用可能な容量を表す所定の電力印加回数がメモリーに保存されている。 - 特許庁

To provide a convenient memory element used for a higher-performance network system by connecting a memory which has a very wide I/O width and a plurality of buffer memories which have wide I/O widths as well on a chip.例文帳に追加

非常に幅の広いI/O幅をもったメモリとそれにチップ上で同じく広いI/O幅をもつ複数のバッファメモリを接続し、より高性能なネットワークシステムで使う便利なメモリ素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, the influence of an proximity effect is absorbed in this portion, and the influence of the proximity effect does not attain to a memory element in a memory cell array area B as is the case with a DRAM adopting a conventional half cell.例文帳に追加

従って、この部分で近接効果の影響が吸収され、従来のハーフセルを採用したＤＲＡＭと同様に、メモリセルアレイ領域Ａ内の記憶素子には近接効果の影響は及ばない。 - 特許庁

To provide a trim bit generating circuit in which the trim bit can be restored in accordance with the situation even after packaging a semiconductor memory element by generating a trim bit signal using a memory cell.例文帳に追加

メモリセルを用いてトリムビット信号を生成することにより、半導体メモリ素子のパッケージング以後にも状況に応じてトリムビットを復旧することが可能なトリムビット生成回路を提供する。 - 特許庁

Each chip has a variable resistance element CC formed simultaneously by a process common to the memory cell between interconnected test pads TT and TB of a first pad for memory location detection.例文帳に追加

各チップは、相互に接続される第１のメモリ位置検知用パッドのテストパッドＴＴ，ＴＢ間に、それぞれ、メモリセルと共通のプロセスにより同時に形成される可変抵抗素子ＣＣを有する。 - 特許庁

Next the bits of the (M-1)th parallel data stream are shifted by an amount of one memory element so as to occupy the memory elements connected to each other, and the mutually connected bits are written simultaneously in the (M-1)th resistor.例文帳に追加

次に、M-1番目の並列データストリームのビットが相互接続されたメモリ要素を占めるように、1メモリ要素分シフトされ、相互接続されたビットが同時にM-1番目のレジスタへ書込まれる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory comprising a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film having an initial resistance appropriate operable.例文帳に追加

適正に動作可能な初期抵抗値を有するペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を備えてなる不揮発性記憶素子を用いて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which is reduced in overall size while securing stable operation reliability, and is thereby applicable to a highly integrated memory element, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、安定した動作信頼性を確保しつつ、全体的にセルのサイズを減少させ、これによって高集積メモリ素子に適用可能な不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a CPU 18 of the lens system is given an instruction for the preset position memory from a controlling element 16, the CPU acquires the zoom position and extender position of a photographic lens 10 of this time and stores the same into a memory 20.例文帳に追加

レンズシステムのＣＰＵ１８は、操作部１６からプリセット位置記憶の指示が与えられると、そのときの撮影レンズ１０のズーム位置とエクステンダ位置を取得し、メモリ２０に記憶させる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and a ferroelectric memory device with a simplified structure not only directed for high integration, but also capable of reading out data without damaging the data.例文帳に追加

本発明は、簡素な構造で高集積化に向くだけでなく、データを破壊することなくデータを読み出すことができる強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element with a novel structure, which can hold data even after the stop of power supply.例文帳に追加

電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

Resistance elements 119a, 119b are connected across a 2nd switch element 17 and memory control lines 19a, 19b, respectively.例文帳に追加

第２のスイッチ素子１７とメモリ制御信号線１９ａ，１９ｂとの間に、それぞれ抵抗素子１１９ａ，１１９ｂを接続する。 - 特許庁

Even when the picture-element groups are divided, data for the processing can be used in common, thus also allowing the economizing of a memory.例文帳に追加

更に、画素群を分割した場合でも、処理の為のデータは共用することができるので、メモリを節約することも可能となる。 - 特許庁

To provide a new magnetic storage element capable of providing a practical MRAM together with a magnetic memory using it.例文帳に追加

実用に足るＭＲＡＭを提供することのできる新規な磁気記憶素子を提供するとともに、これを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁