「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

On the ferromagnetic layer 14 which will become the memory layer of the MTJ element 1, a closed magnetic path layer 15 is so formed that a central part may be separated from the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層１４の上に、中央部を離間して閉磁路層１５を設ける。 - 特許庁

An image pickup element converts an image of an object into an image signal in a camera body 1, and the image signal is recorded in a memory.例文帳に追加

カメラ本体１内で、レンズ２から取り込んだ被写体の画像を撮像素子により画像信号に変換し、メモリに記録する。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory is equipped with a high-output tunnel magnetoresistive effect element, and applies a writing method by spin-transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

The high-speed nonvolatile optical memory element is composed of a PIN diode having a magnetic tunnel junction electrode.例文帳に追加

高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子は、磁気トンネル接合電極を持ったＰＩＮダイオードから構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a memory system comprising the semiconductor device and electronic equipment by which an element forming area is easily formed.例文帳に追加

素子形成領域を形成し易い、半導体装置と、半導体装置を含むメモリシステムおよび電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a column address buffer device in which the column access time in an element such as a synchronous semiconductor memory can be shortened.例文帳に追加

同期式半導体メモリ等の素子におけるカラムアクセス時間を短縮することのできるカラムアドレスバッファ装置を提供する。 - 特許庁

The column of a resistance element 22 is arranged on the opposite side of the memory chip on the column of the connection pad and connected to the connection pad at one end.例文帳に追加

抵抗素子２２の列は、接続パッドの列のメモリチップと反対側に設けられ、一端を接続パッドと接続される。 - 特許庁

To provide a memory-type display device reducing excessive voltage application in a display changing process for preventing deterioration of an element.例文帳に追加

表示切替の工程において、余計な電圧印加を減らし、素子の劣化を防ぐメモリ性表示デバイスを提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 5a of the memory transistor TR1 is formed on an A plane and a B plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ１のゲート電極５ａが素子形成領域１００の側面のＡ面及びＢ面に形成される。 - 特許庁

To perform fast image rotation processing with a simple configuration while using an inexpensive memory element such as an SDRAM.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭのような安価なメモリ素子を用いながら、簡易な構成で高速な画像回転処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

Each of column vector data 1 to 6 is divided and sequentially column-redistributed to distributed data memory MB of each of the element computers 10 to 30.例文帳に追加

各列ベクトルデータ１〜６は分割され、各要素計算機１０〜３０の分散データメモリＭＢに順次再（列）分散される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element which allows unnecessary power consumption associated with an operation in a self refresh mode to be reduced.例文帳に追加

セルフリフレッシュモードの動作に伴う不必要な電力消費を節減することができる半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

INTERSECTION POINT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT USING TWO-COMPONENT SYSTEM METAL OXIDE FILM AS DATA STORAGE SUBSTANCE FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

２成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory, using an NDR element, in which data destruction in a non-selection cell at write-in is prevented.例文帳に追加

書き込み時の非選択セルでのデータ破壊を防止するようにした、ＮＤＲ素子を用いた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal element which can have a plurality of liquid crystal layers independently driven by a pair of electrodes and has memory property.例文帳に追加

１対の電極によって、複数の液晶層を独立に駆動でき、かつメモリ性を有する液晶素子を提供する - 特許庁

To shorten the inspection time required for acceleration test at the time of testing a semiconductor integrated circuit including a novolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を含む半導体集積回路の試験において、加速試験に要する検査時間を短縮させる。 - 特許庁

FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

A plurality of memory cells are composed of a ferroelectric capacitive element 2 one of the terminals of which is connected to a bit line BL.例文帳に追加

複数のメモリセルは、ビット線ＢＬに一方の端子を接続された１個の強誘電体容量素子２より構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that allows element isolation between word lines and allows microfabrication of a memory cell, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ワードライン間の素子分離を行い、メモリセルの微細化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal element 150 attains the display state of either on or off in compliance with the data bit held in the memory circuit 30.例文帳に追加

液晶素子１５０は、メモリ回路３０に保持されたデータビットにしたがってオンまたはオフのいずれかの表示状態となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory element which occupies a small area and allows rewriting of data many times and has a superior data retention property.例文帳に追加

小占有面積かつ、データ書き換え回数、データ保持特性の優れた不揮発性半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

A charge trap area for storing a 3-bit data value in 1.5 bit of one charge trap area, i.e., one memory element is provided.例文帳に追加

一つの電荷トラップ領域に１．５ビット、すなわち一つのメモリ素子に３ビットのデータ値を記憶する電荷トラップ領域を持つ。 - 特許庁

A light emitting element 2, a driving means 3 and a memory means 4 for data for correction are integrated by being independent with an optical writing device.例文帳に追加

発光素子２と駆動手段３と補正用データの記憶手段４を、光書き込み機器とは別体に一体化した。 - 特許庁

An image constructing section 109 constructs a tomographic image of the biological tissue based on the data read out from the element data memory 108.例文帳に追加

画像構築部１０９は、素子データメモリ１０８から読み出したデータに基づいて生体組織の断層画像を構築する。 - 特許庁

To make easily actualizable an optical memory element at a low price and to make greatly reducible its manufacturing period.例文帳に追加

光メモリ素子を容易且つ安価に実現できるようにするとともに、その製造期間を大幅に短縮できるようにする。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element for reducing capacitance between floating gates, and reducing inter-cell interference effects.例文帳に追加

フローティングゲート間のキャパシタンスを減らし、セル間のインターフェランス効果を減少させたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

A processor connected to the system receives requests for various image element selection operations and accesses a memory structure.例文帳に追加

このシステムに接続されたプロセッサは、種々の画像要素選択オペレーションに関する要求を受け取り、メモリ構造にアクセスする。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element that can operate with high reliability without having to use channel boosting, and to provide a method of operating the same.例文帳に追加

チャンネルブースティングを利用せずとも信頼性の高く動作可能な不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic substance layer 160# is provided in the same layer as that of a tunnel magnetoresistance element in the MTJ memory cell in the same structure as that of the same.例文帳に追加

磁性体層１６０♯は、ＭＴＪメモリセル中のトンネル磁気抵抗素子と同一層に同一構造で設けられる。 - 特許庁

To provide a method for easily estimating a soft error rate (SER) of an SRAM or a memory circuit element in a product design stage.例文帳に追加

ＳＲＡＭ又は記憶回路素子のソフトエラー率（ＳＥＲ）を製品設計段階で簡単に見積もる方法を提供する。 - 特許庁

A run data structure regulating a run element according to row position, start column position and finish column position thereof is established in a memory.例文帳に追加

メモリ内に、ラン要素をその行位置、開始列位置及び終了列位置によって規定するランデータ構造を確立する。 - 特許庁

The memory element is provided with an electrically conductive ring 13, a magnetic body 10, a first wiring 14 and a second wiring 15.例文帳に追加

この記憶素子は、導電性を有するリング１３と、磁性体１０と、第１の配線１４と、第２の配線１５とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming a nonvolatile memory element which can prevent a difference in characteristic that is caused by the misalignment of a photosensitive film.例文帳に追加

感光膜パターンの誤整列による特性の差異を防止できる不揮発性記憶素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple heat sink of a heat generating semiconductor element in a memory module capable of dissipating the heat sufficiently.例文帳に追加

放熱装置が簡素で、しかも、熱が十分に放散されるメモリモジュール内発熱半導体素子の放熱装置を提供する。 - 特許庁

An anti-fuse memory cell 4 includes: two N type MOS transistors M1, M2, and one anti-fuse element AF.例文帳に追加

本発明では、アンチヒューズメモリセル４は、２つのＮ型ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２と、１つのアンチヒューズ素子ＡＦにより構成されている。 - 特許庁

By this constitution, it becomes possible to change a value written in the memory element 51 to a logic signal and to read the logic signal with high reliability.例文帳に追加

この構成により、メモリ素子に書き込んだ値を、高い信頼性で論理信号へ変換し読み出すことが可能となる。 - 特許庁

To provide a technique which can restrain reduction in a drain current (lowering of current driving ability) involved in rewrite frequency of a nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子の書き替え回数に伴うドレイン電流の減少（電流駆動能力の低下）を抑制する。 - 特許庁

To provide an electrical characteristics evaluation device which can reliably evaluate the electrical characteristics of a 2-terminal nonvolatile memory element.例文帳に追加

２端子型不揮発性メモリ素子の電気的特性を確実に評価することのできる電気的特性評価装置を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

The magnetic memory element 4 comprises a pair of electrodes 42, 43, a bonding layer 44, and one or more carbon nano-tube 40 and nanowire 41.例文帳に追加

磁気メモリ素子４は、１対の電極４２，４３と、接合層４４と、１以上のカーボンナノチューブ４０とナノワイヤ４１を含む。 - 特許庁

To provide a data processor capable of properly discovering pattern failure, etc., of a circuit element or a substrate of a memory, etc.例文帳に追加

メモリ等の回路素子、あるいは基板のパターン不良等を適切に発見することのできるデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The backflow prevention circuit 100 includes a comparator 200, a backflow detection circuit 300, a memory 400, a flip-flop 500, and a synchronous rectification element Mn (110).例文帳に追加

逆流防止回路100を、コンパレータ200、逆流検出回路300、メモリ400、フリップフロップ500及び同期整流素子Mn(110)で構成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRIC DEVICE, FERROELECTRIC MEMORY USING THE SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK JET HEAD, AND INK JET PRINTER例文帳に追加

強誘電体デバイスの作製方法、およびそれを用いた強誘電体メモリ、圧電素子、インクジェット式ヘッドおよびインクジェットプリンタ - 特許庁

The battery element outer sheath material is provided with a shape memory polymer layer, and metal oxide related to elements such as silicon, aluminum, and titanium.例文帳に追加

電池素子外装材は、形状維持ポリマー層と、ケイ素、アルミニウム及びチタンなどの元素に係る金属酸化物と、を有する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PEROVSKITE OXIDE LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE WAVE ELASTIC WAVE ELEMENT例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法 - 特許庁