「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To efficiently process recording and reproducing of super large scale data with respect to an information recording medium (fade-in memory element) of a petabyte class.例文帳に追加

ペタバイト級の情報記録媒体（フェードインメモリ素子）に超大規模データの記録再生を効率よく処理する。 - 特許庁

Outside a region where a memory cell transistor is to be formed, the element isolation insulating film 2a is formed in a wide range.例文帳に追加

メモリセルトランジスタを形成する領域の外側では、広い範囲にわたり素子分離絶縁膜２ａが形成されている。 - 特許庁

To suppress the lowering of capacity of an inter-layer insulating film and to prevent a substrate digging, while coping with a finer memory element.例文帳に追加

メモリ素子の微細化に対応しつつ、層間絶縁膜容量の低下の抑制及び基板掘れの防止を達成する。 - 特許庁

Whether the memory element 80K normally functions or not is judged with the use of the production month information among these information.例文帳に追加

これら情報の内、製造月情報を用いて記憶素子８０Ｋが正常に機能しているか否かを判定する。 - 特許庁

To provide an erasing method for a flash memory element having fixed erasure speed independently of variation of internal voltage.例文帳に追加

内部電圧の変化にもかかわらず、一定の消去速度を有するフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory element which controls timing in transmission and reception of signals between peripheral equipment and itself to stabilize the operation.例文帳に追加

周辺装置との間の信号授受のタイミングを制御し、動作の安定化が図られるメモリ素子を提供する。 - 特許庁

An EDRAM 12 and a logic element 14 are formed on the same substrate and they are connected by a memory bus 36.例文帳に追加

ＥＤＲＡＭ１２とロジック・エレメント１４とを同一基板上に形成し、これらをメモリ・バス３６により接続している。 - 特許庁

Spectral sensitivity characteristics Es (λ) of a photographic element, corresponding to still image photographing, is stored in a flash memory 201c.例文帳に追加

Ｆｌａｓｈメモリ２０１ｃに静止画撮影時に対応する撮像素子の分光感度特性Ｅｓ（λ）を記憶しておく。 - 特許庁

The substance to be measured of each of the chips 2 is imaged by an imaging element 4 through the lens 3 to be stored in a data memory 5.例文帳に追加

チップ２の被測定物質は、レンズ３を介して撮像素子４により撮像され、データメモリ５に格納される。 - 特許庁

A magnetoresistance memory element has: a reading structure; and a writing structure provided in the vicinity of the reading structure.例文帳に追加

磁気抵抗記憶素子は、読出し構造体と、読み出し構造体の近傍に設けられた書込み構造体とを具備する。 - 特許庁

To provide a multiple pulse generation device and a pulse generation method for generating a plurality of pulses by using a memory element.例文帳に追加

メモリ素子を用いて複数個のパルスを生成しうる多重パルス生成装置及びパルス生成方法を提供する。 - 特許庁

This device 10 is a semiconductor device composed of a MOSFET and a DRAM memory cell having a capacity element.例文帳に追加

本半導体装置１０は、ＭＯＳＦＥＴと、容量素子とを備えたＤＲＡＭメモリセルを有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a composition for forming a memory element switching layer excellent in coating properties, and developing good switching characteristics.例文帳に追加

良好なスイッチング特性を発現するとともに、塗布性に優れたメモリ素子スイッチング層形成用組成物を提供する。 - 特許庁

A control language specification memory 103 holds a control language specification displaying correspondence of a control element and a control language.例文帳に追加

制御言語仕様記憶部１０３は、制御要素と制御言語との対応を表す制御言語仕様を保持する。 - 特許庁

To provide a forming method of an aluminum oxide layer, and a manufacturing method of a charge trap type memory element which utilizes the same.例文帳に追加

アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption of an image display device, composed of a display panel provided with an image memory element within a pixel.例文帳に追加

画素内に画像メモリ素子を具備した表示パネルで構成した画像表示装置の低消費電力化を実現する。 - 特許庁

GERMANIUM PRECURSOR, GST THIN FILM FORMED BY UTILIZING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell.例文帳に追加

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The data storage device includes a data storage medium, a write element, a non-volatile cache memory circuit, and a controller circuit.例文帳に追加

データ記憶装置はデータ記憶媒体、書き込み素子、不揮発性キャッシュメモリ回路、およびコントローラ回路を含んでいる。 - 特許庁

To provide a flash memory element, having improved electrostatic discharge characteristics in which current failure of internal circuit can be prevented.例文帳に追加

内部回路の電流フェールを防止することができ静電放電特性が改善されたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

One zero-dimensional surface element 100 is stored in a memory about each cell 200 located at the surface of the object.例文帳に追加

ひとつのゼロ次元のサーフェスエレメント１００を、オブジェクトのサーフェスに位置する各セル２００についてメモリに格納する。 - 特許庁

A resistance change type memory is composed of the resistance changing element including a resistance changing layer sandwiched between a pair of electrodes.例文帳に追加

抵抗変化型メモリは、一対の電極間に挟まれた抵抗変化層を有する抵抗変化素子で構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an electrostatic discharge protection pattern which protects a memory device and the like from the impact of electrostatic discharge.例文帳に追加

静電気放電による衝撃からメモリ素子等を保護する静電気放電保護パターンの半導体素子を提供。 - 特許庁

A semiconductor memory element is composed of a ferroelectric capacitor 10, a selection transistor 12, and a control transistor 14.例文帳に追加

半導体記憶素子は、強誘電体キャパシタ１０と、選択トランジスタ１２と、コントロールトランジスタ１４とより構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element including ruthenium electrode and its manufacturing method for maintaining a large capacitance.例文帳に追加

大きいキャパシタンスを確保するためにルテニウム電極を含む半導体メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To reduce the cell area of a magnetic memory device by eliminating the overlapping coverage of connecting wiring for a TMR element.例文帳に追加

ＴＭＲ素子に対する接続配線の合わせ余裕を無くして磁気メモリ装置のセル面積の縮小化を図る。 - 特許庁

In addition, a high-density magnetic head and a large-capacity high-speed magnetic memory (MRAM) can be realized by using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

さらにこのMR素子を用いることにより高密度磁気ヘッドおよび大容量・高速磁気メモリ（MRAM）の実現が可能となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device including one switching element and one resistor, and provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A control means has a memory part, where the dot pattern data of numbers to be displayed in the liquid crystal display element 2 are stored.例文帳に追加

制御手段は、液晶表示素子２２に表示させる数字のドットパターンデータを記憶した記憶部を有している。 - 特許庁

The memory 142 stores a plurality of kinds of element information differing in transmission origin from one another and the message while making them correspond to each other.例文帳に追加

メモリ１４２は、互いに送信元が異なる複数の種類の要素情報とメッセージとを対応付けて記憶する。 - 特許庁

To provide a 3-D ferroelectric capacitor and a nonvolatile memory element equipped with it, and to provide a method of manufacturing them.例文帳に追加

３次元強誘電体キャパシタ及びそれを備える不揮発性メモリ素子、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this method, the magnetic memory element is subjected to the symmetrical current driving, and therefore, a stable circuit design is made possible.例文帳に追加

これによって、磁気メモリ素子は対称電流駆動を行えるようになり、故に、安定した回路設計が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fuse element, wherein a stable P/W replacement factor is achieved at inspecting a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの検査に際し、安定したＰ／Ｗ置換率を達成できるヒューズ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The controller section includes a first memory configured to store therein first setting information for driving the image forming element.例文帳に追加

コントローラ部は、画像形成要素を駆動するための第１の設定情報が記録された第１の記憶装置を備える。 - 特許庁

To make it a subject matter that data is assuredly written in a memory element without causing an insulation breakdown in a transistor.例文帳に追加

トランジスタを絶縁破壊させることなく、記憶素子において確実にデータの書き込みを行うことを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a phase change memory element without requiring a high level process technology and high cost.例文帳に追加

高い水準の工程技術と高費用を必要としない相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, the system memorizes the image, the related geographical position data, and the related record into the memory element of the mobile apparatus.例文帳に追加

次にシステムは、この画像、関連する地理的位置データ、及び関連性の記録を、モバイル機器の記憶要素に記憶する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit and integrated circuit device in which logical elements, a memory, a logical element region and the like are not fixed.例文帳に追加

論理素子、メモリ、論理素子領域などが固定されない集積回路および集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a flash memory element reducing interference between cells and improving a coupling ratio.例文帳に追加

セル間の干渉を減らしかつカップリング比を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Vector data is row distributed to distributed data memory MA of element computers 10 to 30 that perform a plurality of parallel processings.例文帳に追加

ベクトルデータは、複数の並列処理を行う要素計算機１０〜３０の分散データメモリＭＡに行分散される。 - 特許庁

To realize low power consumption of an image display device comprising a display panel provided with an image memory element in a pixel.例文帳に追加

画素内に画像メモリ素子を具備した表示パネルで構成した画像表示装置の低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a selecting transistor structure and a SONOS cell structure and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

選択トランジスタ構造とＳＯＮＯＳセル構造とを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which can be easily and highly integrated and has high reliability, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高集積化が容易であり、高い信頼性を持つ不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-bit operation method of a non-volatile memory element operating at a low operating current and permitting high integration.例文帳に追加

低い動作電流で動作し、高集積化の可能な不揮発性メモリ素子のマルチビット動作方法を提供する。 - 特許庁

To achieve high speed write of multivalued data in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体記憶装置において、多値データの高速なデータ書き込みを実現する。 - 特許庁