「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

OPTICAL MEMORY ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD AND DEVICE FOR STICKING FILM-LIKE MEMBER例文帳に追加

光メモリ素子及び光メモリ素子の製造方法並びにフィルム状部材貼着方法及びフィルム状部材貼着装置 - 特許庁

Further, the magnetic memory device, equipped with the magnetoresistive effect element 1 of this configuration, a word line and a bit line, is configured.例文帳に追加

また、この構成の磁気抵抗効果素子１と、ワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 - 特許庁

The green calibration pattern is picked up by the image pick-up element of the camera part 16 and is stored in the image memory 28.例文帳に追加

この緑色キャリブレーションパターンは、カメラ部１６の撮像素子により撮影され、画像メモリ２８に保管される。 - 特許庁

An instruction issuance unit 311 issues memory access instructions to access element data stored in a RAM 11.例文帳に追加

命令発行部３１１は、ＲＡＭ１１に格納された要素データにアクセスするメモリアクセス命令を発行する。 - 特許庁

An image memory 31 stores an image of the light and dark pattern obtained by the contact photoelectric element.例文帳に追加

近接型光電変換素子による撮像によって得られる明暗パターンの画像を画像メモリ３１が格納する。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element and its manufacturing method for improving disturb characteristics.例文帳に追加

ディスターブ特性を向上させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting element driving circuit capable of setting brightness in detail while suppressing an increase in memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量の増加を抑制しつつ、明るさを細かく設定可能な発光素子駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a phase-change material layer and a manufacturing method of a phase-change memory element using this method.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electronic camera includes: an imaging element; a memory; a face detection section; a face recognition section; an object designation section; and a photographing control section.例文帳に追加

撮像素子と、メモリと、顔検出部と、顔認識部と、被写体指定部と、撮影制御部とを備える。 - 特許庁

To provide a fine flash memory with high integration, superior in element isolation capability, and with small parasitic resistors and capacitances.例文帳に追加

微細、高集積で、素子分離能力に優れ、寄生抵抗、容量の小さいたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

A memory device 10, a nonlinear resistance element 20, and an MOS transistor 30 are electrically connected in series.例文帳に追加

記憶素子１０と、非線形抵抗素子２０と、ＭＯＳトランジスタ３０とが電気的に直列接続されている。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD FOR FABRICATING MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法 - 特許庁

For a gate-line selection period for the (m-1)-th line, the m-th line video data is written to the first-memory element.例文帳に追加

第ｍ−１行のゲート線選択期間では、第１メモリ素子には第ｍ行の映像データが書き込まれる。 - 特許庁

To provide a reliable image processing apparatus which inhibits a capacity element over of an image memory by a plurality of print jobs.例文帳に追加

複数のプリントジョブによる画像メモリの容量オーバを防止する高信頼な画像処理装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

To provide a memory element having stable resistance change switching characteristics without forming a rare earth oxide layer.例文帳に追加

希土類酸化膜を形成することなく、安定した抵抗変化スイッチング特性を有する記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a resistance change memory element with stable operation and good reliability.例文帳に追加

動作が安定であって信頼性が良好である抵抗変化メモリ素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a pair of fins limited in void, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ボイドが限定された一対のフィンを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPU 7 controls an imaging element 3 and stores image data acquired by imaging into a first memory 5.例文帳に追加

ＣＰＵ７は、撮像素子３を制御して、撮像により得られた画像データを第１のメモリ５に記憶する。 - 特許庁

CONDUCTIVE LIQUID-CRYSTAL MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, LIQUID-CRYSTAL COMPOSITION, LIQUID-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND INFORMATION MEMORY MEDIUM例文帳に追加

導電性液晶材料、その製造方法、液晶組成物、液晶半導体素子及び情報記録媒体 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of preventing the loss of a bit line by changing an etching method.例文帳に追加

エッチング方法を変化させてビットラインの損失を防止する半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element has increased immunity to errors caused by heavy ion radiation.例文帳に追加

重イオン放射によって生じるエラーに対する増加した免疫を備えた開示されたメモリ素子の実施態様。 - 特許庁

This integrated circuit can be built in an arbitrary system equipped with a memory or a volatile element such as a clock.例文帳に追加

本集積回路はメモリ又はクロック等の揮発性要素を具備する任意のシステムに組込むことが可能である。 - 特許庁

NONCONTACT MEMORY ELEMENT BUILT-IN MAGNETIC STRIPE TAPE AND IC CARD AND IC TAG MANUFACTURED USING THE SAME例文帳に追加

非接触メモリ素子を内蔵した磁気ストライプテープ及びそれを利用して製造されたＩＣカード及びＩＣタグ - 特許庁

A system for fabricating a semiconductor device includes a memory cell test system 30, and an element wiring forming apparatus 50.例文帳に追加

本発明による半導体製造装置は、メモリセルテストシステム３０と素子配線形成装置５０とを具備する。 - 特許庁

A microwave oscillator and a magnetic memory can immediately be obtained by using a structure of the ferromagnetic fine line element.例文帳に追加

この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which sufficient capacitor capacitance can be ensured even when an element is made fine.例文帳に追加

素子が微細化された場合にも、十分なキャパシタ容量を確保することができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an erasing method of a flash memory element by which erasion can be performed with a byte unit or a word unit.例文帳に追加

バイトまたはワード単位で消去を行なうことができるフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a game machine capable of performing display by different languages without exchanging the memory element of character data.例文帳に追加

文字データの記憶素子を交換することなく、異なる言語による表示が可能な遊技機を提供する。 - 特許庁

The content of the memory element can be transferred to a processing position, and the information can be forwarded to the user there from.例文帳に追加

メモリ素子の内容は、処理位置に転送することができ、そこからユーザに情報をフォワードすることができる。 - 特許庁

MEMORY ELEMENT INCLUDING SINGLE TRANSISTOR HAVING RAM AND ROM FUNCTION, AND ITS OPERATING METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＲＡＭ及びＲＯＭ機能を有する単一トランジスタを含むメモリ素子及びその動作方法並びに製造方法 - 特許庁

A space pattern memory 233 memorizes the space pattern Ps including a plurality of element values each corresponding to pixels.例文帳に追加

空間パターンメモリ２３３は、各々が画素に対応する複数の要素値を含む空間パターンＰsを記憶する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 has a memory 3, a data driver 4, an element array 2, a scanning circuit 35 and a clock generator 36.例文帳に追加

半導体基板１は、メモリ３、データドライバ４、素子アレイ２、走査回路３５、及びクロックジェネレータ３６を備える。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a magneto-resistance effect element which is arranged above a semiconductor device and stores information.例文帳に追加

磁気記憶装置は、半導体基板の上方に配設された、情報を記憶する磁気抵抗効果素子を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase-change memory element, and to provide a method for forming a phase change layer applied to the same.例文帳に追加

相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The resistive element 56 practically attenuates detouring current that flows through short-circuited memory elements.例文帳に追加

抵抗素子(56)は、読み取り操作中、短絡したメモリ素子を流れる回り込み電流を実質的に減衰させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING VIA STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT MERGED OF SUCH VIA STRUCTURES例文帳に追加

ビア構造体の形成方法及びこのようなビア構造体を合併させた相変化記憶素子の製造方法 - 特許庁

The plurality of source lines of the memory element group are plate-like conductor layers expanding two-dimensionally.例文帳に追加

複数のメモリ素子群の前記複数のソース線は、それぞれ、２次元的に広がる板状の導電体層である。 - 特許庁

To provide a flash memory element in which the gate capacity coupling rate is enhanced between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲートキャパシティブカップリング率を向上させたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal optical element which has a memory characteristic and has no dependence on wavelengths relating to reflected light and transmitted light.例文帳に追加

メモリ性を持ち、反射光や透過光について波長依存性のない液晶光学素子を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the communication unit is ready to communicate with the memory element for the ink container before loading the ink container in the carriage.例文帳に追加

インク収容体をキャリッジに装着する前にインク収容体用記憶素子と通信することができる。 - 特許庁

To increase the memory capacity and processing speed by effectively utilizing a processor element(PE), which is not practically contributing to processing.例文帳に追加

処理に実質的に寄与していない要素プロセッサ（ＰＥ）を活用して、メモリ容量および処理速度を上げる。 - 特許庁

Then matrix elements of the element matrix and the arrangement matrix are sequentially read out and stored in the first local memory, and in each reading, an element corresponding to a matrix element read out from the arrangement matrix in the first partial vector is multiplied by a matrix element read out from the element matrix.例文帳に追加

そして、要素行列および配置行列の行列要素を一部ずつ順次読み出して第１局所メモリに格納し、その読み出し毎に、第１部分ベクトルのうち配置行列から読み出した行列要素に対応する要素を、要素行列から読み出した行列要素に乗じる。 - 特許庁

In the memory cell 81 of the memory element 80 mounted in the color ink cartridge 107F, the data of ink residual amount of each color are collectively distributed to a second memory region which is accessed before a first memory region storing read-only data.例文帳に追加

また、カラー用のインクカートリッジ１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、各色のインクの残量データについては、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる第２の記憶領域にまとめて配置する。 - 特許庁

A memory cell array 1 in which memory cells 11 including an anti-fuse element are arranged is divided into two memory banks MB1, MB2, and write-in and read-out voltages VBP1, VBP2 supplied to the anti-fuse elements of respective memory banks are generated by two boosting circuit 2.例文帳に追加

アンチヒューズ素子を含むメモリセル１１が配置されたメモリセルアレイ１を２つのメモリバンクＭＢ１、ＭＢ２に分割し、２つの昇圧回路２により、それぞれのメモリバンクのアンチヒューズ素子へ供給する書き込みおよび読み出し電圧ＶＢＰ１、ＶＢＰ２を発生させる。 - 特許庁