「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ELECTRIC ELEMENT, SWITCHING ELEMENT, MEMORY ELEMENT, SWITCHING METHOD, AND MEMORY METHOD例文帳に追加

電気素子、スイッチング素子、メモリ素子、スイッチング方法及びメモリ方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MEMORY ELEMENT USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子及び該素子を用いたメモリ素子 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF FORMING RESISTANCE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子及びその形成方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化型記憶素子 - 特許庁

DEVICE CONNECTING PROCESSOR TO MEMORY ELEMENT AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

プロセッサをメモリ素子と接続する装置及びメモリ素子 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

メモリ素子のプログラム方法 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁

MEMORY CELL WITH TRIGGER ELEMENT例文帳に追加

トリガ素子を有するメモリセル - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

記憶素子の製造方法 - 特許庁

MEMORY INTEGRATED TYPE DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

メモリ一体型表示素子 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND TEMPERATURE SENSOR例文帳に追加

メモリ素子および温度センサ - 特許庁

MEMORY DEVICE AND CIRCUIT ELEMENT例文帳に追加

記憶素子及び回路素子 - 特許庁

MEMORY ELEMENT USING NANOTUBE例文帳に追加

ナノチューブを用いたメモリ素子 - 特許庁

STORAGE ELEMENT, MEMORY, AND RECORDING METHOD FOR MEMORY例文帳に追加

記憶素子、メモリ及びメモリの記録方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND DISPLAY例文帳に追加

メモリー素子及び表示装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MEMORY CELL, AND RECORDING/REPRODUCING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法 - 特許庁

The memory element 42 is a non-volatile element.例文帳に追加

メモリ素子４２は不揮発性素子である。 - 特許庁

METHOD FOR DRIVING MEMORY ELEMENT AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

記憶素子の駆動方法及び記憶装置 - 特許庁

PACKET COMMAND DRIVEN MEMORY ELEMENT例文帳に追加

パケットコマンド駆動型メモリ素子 - 特許庁

FIN TYPE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フィン型不揮発性メモリ素子 - 特許庁

The memory element stores data.例文帳に追加

メモリ素子は、データを保存する。 - 特許庁

To prevent the destruction of memory element data and a memory element.例文帳に追加

記憶素子のデータおよび記憶素子の破壊を防止する。 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT HAVING DUMMY CELL AND METHOD FOR ERASING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ダミーセルを有するフラッシュメモリ素子及びその消去方法 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT, MAGNETIC RESISTANCE MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子および磁気抵抗記憶素子および磁気メモリ - 特許庁

MEMORY ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, ELEMENT HAVING MEMORY ARRAY STRUCTURE, AND MEMORY ARRAY例文帳に追加

メモリ素子、メモリ素子の製造方法、メモリアレイ構成のエレメントおよびメモリアレイ - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

記憶素子，メモリ装置，半導体集積回路 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND SIGNAL PROCESSING CIRCUIT例文帳に追加

記憶素子、信号処理回路 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

メモリ素子とその製造方法 - 特許庁

CROSSING-GATE TEMPORARY MEMORY ELEMENT例文帳に追加

交差ゲート型一時記憶素子 - 特許庁

CAM CELL OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のＣＡＭセル - 特許庁

METHOD OF DRIVING MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気メモリ素子の駆動方法 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER, MEMORY ELEMENT, AND POLYMER FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER例文帳に追加

メモリ素子スイッチング層形成用組成物、メモリ素子及びメモリ素子スイッチング層形成用重合体 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT AND MEMORY CELL USING THE SAME, AND RECORDING/REPRODUCING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子及びメモリセル並びにメモリ素子の記録再生方法 - 特許庁

Each memory cell 12 includes memory element and resistive element 56 connected to the memory element 50.例文帳に追加

各メモリセル(12)は、メモリ素子(50)、及びそのメモリ素子(50)に直列に接続された抵抗素子(56)を含む。 - 特許庁

DRIVING METHOD OF MEMORY ELEMENT, AND STORAGE DEVICE HAVING MEMORY ELEMENT例文帳に追加

メモリ素子の駆動方法及びメモリ素子を備える記憶装置 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記録素子及び磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子及び磁気メモリ - 特許庁

NON-VOLATILE BISTABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性双安定メモリ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の製造方法及び不揮発性メモリ素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子及び磁気メモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体不揮発性記憶素子 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記憶素子及び磁気メモリ - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM SWITCHING MEMORY ELEMENT AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置 - 特許庁