「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY FURNISHED WITH THIS MAGNETIC STORAGE ELEMENT, AND DRIVING METHOD OF MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記憶素子およびこの磁気記憶素子を備えた磁気メモリならびに磁気メモリの駆動方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING ONE RESISTOR AND ONE DIODE, AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT ARRAY例文帳に追加

一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子アレイ - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing an interference effect, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.例文帳に追加

干渉効果を減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

集積回路メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

To improve durability of a PMC memory element in a data storage device.例文帳に追加

ＰＭＣメモリ素子の耐久性を高める。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING DIELECTRIC FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT CONTAINING VARIABLE RESISTIVE MATERIAL例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

非揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

CAPACITOR FORMING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電体メモリ素子のキャパシタ形成方法 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING MAGNETIC FIELD SINK LAYER例文帳に追加

磁界シンク層を有する磁気抵抗記憶素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のトランジスタの製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体素子及び半導体記憶装置 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS SELF COMPENSATION METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子とその自己補償方法 - 特許庁

OPTICAL BISTABLE ELEMENT AND METHOD FOR STABILIZING MEMORY例文帳に追加

光双安定素子及びメモリ安定化方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリー素子及びその製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MEASUREMENT CONTROL APPARATUS, AND MEMORY ELEMENT PROTECTION METHOD例文帳に追加

計測制御機器および記憶素子保護方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH TEMPERATURE SENSOR例文帳に追加

温度感知装置を備える半導体メモリ素子 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY ELEMENT AND RELATED CONTROL METHOD例文帳に追加

抵抗メモリ素子および関連する制御方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

STORAGE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MEMORY例文帳に追加

記憶素子、記憶素子の製造方法、及び、メモリ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子、磁気ヘッドおよび磁気メモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ素子及び半導体記憶装置 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT HAVING SEMICONDUCTOR LASER PART例文帳に追加

半導体レーザ部を有する相変化メモリ素子 - 特許庁

As a result, the memory element can be manufactured at a low temperature.例文帳に追加

よって、低温で製造することができる。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁