「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT AND FLASH MEMORY ELEMENT MANUFACTURED BY IT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法及びそれにより製造されたフラッシュメモリ素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND MEMORY ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT AND RESIN CORE/CLAD MEMBER FOR OPTICAL MEMORY ELEMENT例文帳に追加

光メモリ素子の製造方法及び光メモリ素子用樹脂製コア／クラッド部材 - 特許庁

To provide a memory element having a laminated structure, and to provide a method for manufacturing the memory element.例文帳に追加

積層構造を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, PHASE CHANGE CHANNEL TRANSISTOR AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加

相変化メモリ素子、相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁

MEMORY FILM STRUCTURE, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

メモリ膜構造、メモリ素子、半導体装置および電子機器 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND INFORMATION RECORDING/REGENERATING APPARATUS例文帳に追加

磁気メモリ素子、磁気メモリデバイス、及び情報記録再生装置 - 特許庁

MEMORY CHAIN SYSTEM, MEMORY CHAIN PROGRAM AND NEURON ELEMENT USED IN MEMORY CHAIN SYSTEM例文帳に追加

記憶連鎖システム、記憶連鎖プログラム、記憶連鎖システムで用いられるニューロン素子 - 特許庁

MANUFACTURE OF FUSE ELEMENT FOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ装置用ヒューズ素子の製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

非揮発性メモリ素子及び製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SHAPE-MEMORY ALLOY ELEMENT例文帳に追加

形状記憶合金素子の製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD FOR BIT LINE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のビットライン形成方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS READING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びその読出し方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電体記憶素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

PROGRAMMING OF PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

プログラム可能な抵抗メモリ素子のプログラミング - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE MEMBER AND OPTICAL MEMORY ELEMENT例文帳に追加

光導波路部材及び光メモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT GROUP AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子群、並びに、これらの製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

BIAS LEVEL GENERATING CIRCUIT OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のバイアスレベル生成回路 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

DOMAIN WALL DISPLACEMENT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化素子を有する半導体メモリ - 特許庁

PARALLEL TEST CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体記憶素子の並列テスト回路 - 特許庁

The memory structure (20) comprises a memory storage element (23) electrically coupled to a control element (25).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、制御素子(25)に電気的に結合されたメモリ記憶素子(23)を含む。 - 特許庁

ANALOG ASSOCIATIVE MEMORY AND ANALOG OPERATION ELEMENT例文帳に追加

アナログ連想メモリ及びアナログ演算素子 - 特許庁

ORGANIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING IT例文帳に追加

有機メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NANO MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ナノ磁気メモリ素子とその製造方法 - 特許庁

SWITCHING ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

スイッチング素子及び不揮発性記憶装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC FIELD SENSOR ELEMENT EMPLOYING POLYBORIDE例文帳に追加

多ホウ化物を使用した磁気メモリー素子及び磁場センサー素子 - 特許庁

TUNNEL JUNCTION SUPERCONDUCTIVE ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, MEMORY, AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC SENSOR AND MEMORY COMPRISING THE MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ、メモリー装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND THREE-TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および３端子素子 - 特許庁

MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体記憶素子、半導体記憶装置とその制御方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁