「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強磁性トンネル接合メモリ素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLUSH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子及び磁気メモリ - 特許庁

FORMATION METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の形成方法 - 特許庁

MAGNETIC ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気素子及び磁気記憶装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY DEVICE, MEMORY ELEMENT AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

記憶装置の製造方法、並びに記憶素子および記憶装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶素子および半導体記憶装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATING FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

記憶素子および半導体装置 - 特許庁

METHOD OF READING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の読出し方法 - 特許庁

ERASING METHOD FOR FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の消去方法 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性の半導体メモリ素子 - 特許庁

MAGNETIC SWITCHING ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気スイッチング素子及び磁気メモリ - 特許庁

STORAGE ELEMENT MODULE AND MEMORY CHIP例文帳に追加

記憶素子モジュ—ルおよびメモリチップ - 特許庁

To provide a phase change memory element and a method of forming the phase change memory element.例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

MODIFIABLE GATE STACK MEMORY ELEMENT例文帳に追加

修正可能なゲートスタックメモリ素子 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗素子および磁気メモリ - 特許庁

NON-POLAR TYPE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ノンポーラ型不揮発性メモリー素子 - 特許庁

Each of the plurality of memory cells has the memory element.例文帳に追加

複数のメモリセルの各々は記憶素子を有する。 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY ARRAY例文帳に追加

メモリ素子、メモリ素子の製造方法およびメモリアレイ - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC WALL MOVEMENT METHOD例文帳に追加

磁気記憶素子、磁気記憶装置、磁壁移動方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

記憶素子及びその駆動方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MULTI-BIT MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリ要素 - 特許庁

CODE STORAGE CELL OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のコード貯蔵セル - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND IMAGE PROCESSING METHOD例文帳に追加

メモリ素子及び画像処理方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁

SWITCH ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AS WELL AS NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性記憶素子、半導体記憶装置および不揮発性記憶素子の製造方法 - 特許庁

SWITCHING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF SWITCHING ELEMENT, AND MEMORY ELEMENT ARRAY例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子の製造方法及びメモリ素子アレイ - 特許庁

OPERATION METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子の動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT OPERATING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の作動方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

SOLID ELECTROLYTE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

固体電解質メモリー素子およびこのようなメモリー素子の製造方法 - 特許庁

OPERATION METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

相変化メモリ素子の動作方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND DATA WRITE METHOD TO SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリー素子および半導体メモリー素子へのデータ書き込み方法 - 特許庁