「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

CAPACITOR OF MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF FORMING THEREOF例文帳に追加

メモリ素子のキャパシタ及びその形成方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING BIT LINE OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のビットライン形成方法 - 特許庁

PHASE TRANSFORMATION MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY USING ORGANIC BISTABLE ELEMENT例文帳に追加

有機双安定素子を用いた不揮発性メモリ - 特許庁

GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS BLOCK SELECTING CIRCUIT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びそのブロック選択回路 - 特許庁

NANO ELASTIC MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ナノ弾性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY BUS SYSTEM USING DIRECTIONAL COUPLING ELEMENT例文帳に追加

方向性結合素子を使用したメモリバスシステム - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND PROGRAM METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法 - 特許庁

FLOATING GATE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

MAGNETIC SWITCHING ELEMENT AND MEMORY DEVICE USING IT例文帳に追加

磁性スイッチング素子及びそれを用いたメモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND DRIVING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

FERROLECTRIC ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

強誘電体素子及び半導体記憶装置 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

REPRODUCING METHOD OF STORAGE ELEMENT AND MEMORY CIRCUIT例文帳に追加

記憶素子の再生方法およびメモリ回路 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体メモリ素子とその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT INTEGRATED IN LDI例文帳に追加

ＬＤＩに集積される不揮発性メモリ素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIMPLE MATRIX TYPE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

単純マトリクス型メモリ素子の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND DRIVING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

Each of a plurality of memory cells of a semiconductor memory has a nonvolatile memory element and a volatile memory element connected to this nonvolatile memory element, the nonvolatile memory element is connected to one of a pair of data transfer lines, and the volatile memory element is connected to the other of the pair of data transfer lines.例文帳に追加

半導体記憶装置の複数のメモリセルの各々は、不揮発性メモリ素子と、この不揮発性メモリ素子に接続される揮発性メモリ素子とを有し、データ転送線対の一方に前記不揮発性メモリ素子が接続され、前記データ転送線対の他方に前記揮発性メモリ素子が接続される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and a method of manufacturing the element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE THIN-FILM ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

可変抵抗薄膜素子およびそれを用いた不揮発性記憶素子 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE ELEMENT, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリとその形成方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、半導体メモリおよび磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ - 特許庁

The refreshment is performed collectively in all nonvolatile memory elements including both the writing memory element and the erasing memory element.例文帳に追加

リフレッシュは、書き込みメモリ素子と消去メモリ素子との双方を含む全ての不揮発性メモリ素子に一括で行う。 - 特許庁

Each memory cell has a memory element (50), and a conductive hard mask material (52) on the element (50).例文帳に追加

各メモリセルは、メモリエレメント(50)と、そのメモリエレメント(50)上の導電性硬質マスク材料(52)とを含む。 - 特許庁

It becomes possible for the memory element to be utilized for further use by uploading the content of the memory element.例文帳に追加

メモリ素子の内容をアップロードすることにより、メモリ素子は更なる使用に利用可能となる。 - 特許庁