「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

A sensor device 10 is provided with a sensor element 21, a CPU 24, a data acquiring part 22, a memory 28, a radio communication part 30 and a highly precise measuring part 26.例文帳に追加

センサ装置１０は、センサ素子２１、ＣＰＵ２４、データ採取部２２、メモリ２８、無線通信部３０及び高精度時計部２６を備える。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element, capable of eventually improving the charge leakage characteristics and the retention characteristics.例文帳に追加

本発明は、究極的に電荷漏洩特性及び保持特性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the width priority version, the feedback is detected, by traversing of a specified distance to the last scan-enabled memory element, to the utmost at best.例文帳に追加

幅優先バージョンでは、せいぜい最後のスキャン可能なメモリ要素まで一定の距離だけトラバースすることにより、フィードバックを検出する。 - 特許庁

To provide a method and device for detecting that a portable memory element or a casing holding the same is adequately locked to an operation position.例文帳に追加

携帯型記憶素子またはそれを保持するケーシングが動作位置に適切にロックされたことを検出する方法および装置を提供する。 - 特許庁

Then a recess 7 is formed at the element separator 6, and a conductive film 9 that fills the recess 7, and a recess in the memory cell region is formed across the entire surface.例文帳に追加

次に、素子分離部分６に凹部７を形成し、凹部７とメモリセル領域の凹部を充填する導電膜９を全面に形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element for decreasing the contamination of an insulating film between gates by decreasing dissipation power, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

消費電力を減らし、ゲート間の絶縁膜の汚染を減少させるための不揮発性メモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By encrypting data stored in the removable memory element 160 using authentication information that is stored in a removable identification element 140, only the possessor of the removable identification element 140 or a person with the knowledge of personal information stored in the removable identification element 140 can access the data.例文帳に追加

着脱可能識別素子１４０に格納されている認証情報を用いて着脱可能記憶素子１６０に格納するデータを暗号化することによって、着脱可能識別素子１４０の所有者または着脱可能識別素子１４０に格納されている個人情報を知る人物のみが、当該データにアクセスできる。 - 特許庁

The radio wave absorbing body is arranged in a case of the communication terminal, which has a connector connected removably to a host device and where an antenna element, an element for high frequency signal processing, an element for base band signal processing and a memory element for a storage function are mounted in the case whose thickness is 3.5 mm or below.例文帳に追加

ホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレージ機能用メモリー素子とが厚さ３．５ｍｍ以下の筐体に実装されてなる通信端末装置において、筐体に電波吸収体が配されている。 - 特許庁

When information is recorded or reproduced to/from a hologram disk by using a holographic memory technology, a spatial light modulation element SLM and a light receiving element (CMOS sensor or the like) are formed on the same substrate, and a shifting means 124 for performing parallel shift of parallel luminous fluxes made incident on the spatial light modulation element and the light receiving element is provided.例文帳に追加

ホログラフィクメモリ技術を用いてホログラムディスクに情報を記録又は再生する場合、空間光変調素子ＳＬＭと受光素子（ＣＭＯＳセンサ等）を同一基板上に形成し、空間光変調素子と受光素子に入射する平行光束を平行シフトするシフト手段１２４を具備する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 102 operates as a conductive element in a state where power is supplied, and operates as a cut-off element in a state where no power is supplied, with its threshold being varied when the stored charges of the storage capacitive element 104 are at a predetermined potential level.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０２は、上記電力が供給された状態では、導通素子として動作し、上記電力が供給されていない状態では、カットオフ素子として動作するとともに、蓄積容量素子１０４の蓄積電荷が所定の電位レベルである場合にそのしきい値が変化する。 - 特許庁

At this time, the difference between the memory potential stored in the memory element 145 at the dark time and an amplifier reference potential given to the read amplifier 146 is detected by a digital operation circuit 150, and the amplifier reference potential is set to the memory potential at the dark time or a potential proximate to it.例文帳に追加

このとき、デジタル演算回路１５０にて、暗時におけるメモリ素子１４５に蓄積されたメモリ電位と読み出しアンプ１４６に与えるアンプ基準電位との差が検出され、アンプ基準電位を暗時のメモリ電位、あるいはその近傍電位に演算設定することが行われる。 - 特許庁

To provide a fiscal unit which has a simple structure but can assure electrical insulation between a fiscal memory and other components operating as a circuit element on a fiscal memory board and a metal holding part and can prevent manipulation of the fiscal memory, and to provide a printer having the fiscal unit.例文帳に追加

簡単な構造でありながら、フィスカルメモリ基板上のフィスカルメモリやその他の回路上機能している部品と金属製の保持部との間の電気的絶縁性を確保して、さらにはフィスカルメモリの改ざんを防止することができるフィスカルユニットおよびフィスカルユニットを有するプリンタを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: word lines WL; bit lines BL; memory cells MC each including a variable resistance element R and each arranged at each crossing part of the word lines WL and bit lines BL; and column/row control circuits 20, 30 for controlling voltages applied to the memory cells MC.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワード線ＷＬと、ビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの各交差部に配置され可変抵抗素子Ｒを含むメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣに印加する電圧を制御するカラム／ロウ制御回路２０、３０とを備える。 - 特許庁

This memory is provided with a memory cell array 11 having a ferroelectric storage element C and a transistor T for switch, and a low voltage write-in circuit 12 in which polarization quantity of a ferroelectric film of each memory cell is set to a lower value than a value at normal write-in and acceleration of imprint is reduced.例文帳に追加

強誘電体記憶素子Ｃとスイッチ用トランジスタＴとを有するメモリセルのアレイ11と、各メモリセルの強誘電体膜の分極量を通常書込み時より低く設定し、インプリントの加速を低減する低電圧書込み回路12を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory element is provided with a string selection transistor, a plurality of memory transistors and a ground selection transistor between a bit line and a common source line, and is capable of erasing data in the plurality of memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.例文帳に追加

本発明は、ビットラインと共通ソースラインとの間にストリング選択トランジスタ、複数のメモリトランジスタ及び接地選択トランジスタを備え、ビットラインまたは共通ソースラインに消去電圧を印加して、複数のメモリトランジスタのデータを消去できる不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

A three-dimensional (3D) semiconductor memory element includes a vertical channel extending from a lower stage to an upper stage adjacent to a substrate, and coupled to a plurality of memory cells; and a cell array having the plural memory cells, and arrayed in a gate stack form of a staircases-shaped structure arranged on the substrate.例文帳に追加

３次元（３Ｄ）半導体メモリー素子は、基板に隣接する下段から上段まで伸張して、複数個のメモリーセルと連結された垂直チャンネルと、前記複数個のメモリーセルを有し、前記基板上に配置された階段形構造のゲートスタック形態にアレイされたセルアレイと、を含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can reliably write and erase a memory cell while suppressing the increase of the current consumption when writing or erasing and which is constituted of a variable resistor element the electric resistance of which is changed by the voltage applied to the memory cell and a selection transistor.例文帳に追加

書き込みまたは消去時の消費電流の増大を抑制しつつ、確実にメモリセルの書き込み及び消去を実現できる、メモリセルに電圧印加により電気抵抗の変化する可変抵抗素子と選択トランジスタを備えて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A control part comprises a memory to record the image data as output of the image pick-up element 9, a writing means to record the image data on the memory, a reading means to read the image data recorded on the memory, and the display unit to display the image data read by the reading means.例文帳に追加

制御部は、撮像素子９の出力である画像データを記録するメモリと、画像データをメモリに記録するライト手段と、メモリに記録された画像データを読み出すリード手段と、リード手段によって読み出された画像データを表示する表示装置を有している。 - 特許庁

This device is provided with a computing element for calculating a difference between output data from an arithmetic network, and with an adder which has a memory for storing output data and a differential value for calculating original data from the data and the differential value stored in the memory when outputting arithmetic processing data from the memory.例文帳に追加

演算ネットワークからの出力でデータ間の差分を計算する演算器と、出力データと差分値を格納するメモリを有し、メモリから演算処理データを出力する場合には、メモリに記録されたデータと差分値から元のデータを計算する加算器を設ける。 - 特許庁

The phase-change memory element is provided with a phase-change memory part which is provided with a phase-change layer pattern; a laser beam focusing part which locally focuses a laser beam to the phase-change layer pattern of the phase-change memory part; and semiconductor laser part which generates the laser beam and emits the laser beam to the laser beam focusing part.例文帳に追加

相変化層パターンを備える相変化メモリ部と、相変化メモリ部の相変化層パターンにレーザビームを局部的に集束するレーザビーム集束部と、レーザビームを発生させてレーザビーム集束部にレーザビームを放出する半導体レーザ部と、を備える相変化メモリ素子である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a control method for the same which are capable of holding memory of more than 2 bits per memory element even if it is scaled down, performing stable operation, and preventing malfunctions such as a rewrite fault caused by level drop of a power source voltage supplied from outside.例文帳に追加

微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作ができると共に、外部から供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

A defect position input unit 3a reads out numerical data of positions from a defect position storing unit 1 for indicating the place of a defective memory element from a given original position in an IC memory.例文帳に追加

不良位置データ入力部３ａは、ＩＣメモリに発生した不良メモリ素子が予め決められた原点から何番目のメモリ素子であるかを示す不良位置のデータを不良位置記憶装置１から読み込む。 - 特許庁

An electronic still camera includes an imaging element 1, a timer circuit 2, an operating member 3, a signal processing unit 4, a nonvolatile memory 6, and a display device 7, while a recording medium 5, such as a memory card, can be removable in this constitution.例文帳に追加

電子スチルカメラは、撮像素子１と、タイマ回路２と、操作部材３と、信号処理部４と、不揮発性メモリ６と、表示器７とを含み、メモリカードなどの記録媒体５を着脱可能に構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable nonvolatile semiconductor memory device in which a write-in time is made fixed and erroneous write-in is reduced by applying voltage having a negative temperature coefficient to an anti-fuse memory element.例文帳に追加

アンチヒューズメモリ素子に対し、負の温度係数を持つ電圧を印加することで、書き込み時間を一定にし、かつ、誤書き込みを低減させた信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The judgment memory modules calculate a virtual order number for indicating the candidate of the order number of the received element and returns the virtual order number via the other bus 24 to the presentation memory modules.例文帳に追加

判定メモリモジュールは、与えられた順位番号に基づき、受理した要素の順位番号の候補を示す仮想順位番号を算出して、当該仮想順位番号を、他のバス２４を介して、提示メモリモジュールに返送する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory element and a magnetic storage device using the same, which enable sufficient output voltage and facilitate the reversal of magnetization of a magnetic layer functioning as a memory layer.例文帳に追加

充分な出力電圧を得ることができると共に、記憶層となる磁性層の磁化の反転を容易に行うことができる磁気記憶素子、及びこの磁気記憶素子を備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: multiple bit lines; multiple word lines; and multiple memory cells MC that are provided in a manner corresponding to intersections between the bit lines and the word lines and each of which includes a magnetic tunnel junction element capable of storing data.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のビット線と、複数のワード線と、ビット線とワード線との交点に対応して設けられ、データを記憶可能な磁気トンネル接合素子を含む複数のメモリセルＭＣとを備える。 - 特許庁

To provide a memory device utilizing a multiple layer nano tube cell in which a cross-point cell array including a capacitor element and a PNPN nano tube switch is effectively arranged to allow reducing the whole memory size.例文帳に追加

本発明は多層ナノチューブセルを利用したメモリ装置に関し、キャパシタ素子とPNPNナノチューブスィッチを含むクロスポイントセルアレイを効率的に配置して全体的なメモリのサイズを縮小可能にする技術を開示する。 - 特許庁

This signal recording and reproducing device 1 is equipped with a microcomputer 12 and a memory 17, and a series of data block is divided into pieces of element data, which are interleaved and stored in the memory 17.例文帳に追加

本発明に係る信号記録再生装置１は、マイクロコンピュータ12及びメモリ17を具え、一連のデータブロックは複数の要素データに分けられ、これら複数の要素データは、インターリーブ処理が施されてメモリ17に格納される。 - 特許庁

Magnetic memory devices (RMCA and RMCB) mounted along with a logic circuit (20) are arranged in reflectional symmetry about the axis parallel to the hard-to-magnetizing axis (HX) of the magnetoresistive element of the magnetic memory cell.例文帳に追加

ロジック回路（２０）と混載される磁気メモリ装置（ＲＭＣＡ，ＲＭＣＢ）は、この磁気メモリセルの磁気抵抗素子の磁化困難軸（ＨＸ）と平行な軸に関して鏡映対称（ミラー反転）のレイアウトを有するように配置する。 - 特許庁

When hot electrons are injected into floating gates in memory elements 1-3, they are controlled by a constant current element 18 for limiting the current to be fed to the drains of the memory elements to be a prescribed value.例文帳に追加

メモリー素子１〜３において、ホットエレクトロンによってフローティングゲートへ電子を注入する時、メモリー素子のドレインに供給する電流を所定の値以上の電流を制限する定電流素子１８によって制御する。 - 特許庁

The drive system for the card 56 receiving photographed data from a camera main body section 102 stores the photographed data to a flush memory of the memory card and allows the liquid crystal display element 10 to list up its thumbnail pictures on its screen.例文帳に追加

カード５６の駆動装置は、カメラ本体部１０２から撮像データが送られると、該撮像データをメモリカードのフラッシュメモリへ記憶させると共に、そのサムネイル画像を液晶表示素子１０へ一覧表示させる。 - 特許庁

To improve utilization efficiency of a storing apparatus such as a cache memory or the like much more than a constitution in which a plurality of image processing apparatuses operating in parallel respectively individually have the storing apparatus such as the cache memory or the like for a common element.例文帳に追加

並列動作する複数の画像処理装置が共通要素のためのキャッシュメモリ等の記憶装置をそれぞれ個別に持つ構成よりも、キャッシュメモリ等の記憶装置の利用効率を向上させる。 - 特許庁

While a projector 49 projects light for red-eye relaxation, an imaging element 14 executes photography by each prescribed time, and two newest imaged image data are stored and conserved in an image display memory 24 and a preceding image display memory 27.例文帳に追加

投光装置４９により赤目緩和の投光中に、所定時間毎に撮像素子１４により撮像を行い、最新の２つの撮像画像データを画像表示メモリ２４、前画像表示メモリ２７に記憶保持する。 - 特許庁

The setter discrimination elements inherent to the shipped discrimination element setters respectively are written in a non-rewritable memory and a predetermined initial value relative to a variable code of the predetermined number of digits is written in a non-volatile rewritable memory.例文帳に追加

出荷する識別子設定器にそれぞれ固有の設定器識別子を書き換え不能なメモリに書き込み、所定の桁数の可変符号に対する所定の初期値を不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込む。 - 特許庁

To form a further larger free space than by simply evicting image data not in use from a cache memory when a storage area for image data of a document element is to be secured in the cache memory.例文帳に追加

文書要素の画像データのための記憶領域をキャッシュメモリ内に確保する際に、使用中でない画像データをキャッシュメモリから追い出すだけよりも更に多くの空き容量を作ることができるようにする。 - 特許庁

A motion element 11 is constructed by using a rod type shape memory alloy and a plurality of P-type Peltier elements and N-type Peltier elements serving as thermoelectric conversion elements arranged in the longitudinal direction of the shape memory alloy.例文帳に追加

運動素子１１は棒状の形状記憶合金と、この形状記憶合金の長手方向に複数個配置された熱電変換素子としてのＰ型ペルチェ素子とＮ型ペルチェ素子を用いて構成されている。 - 特許庁

Since at least two pieces of information can be stored per memory element, the degree of integration can be raised to 1.5 times to 2 times that in the conventional case because of the configuration in which the memory nodes are provided on the sides of the channel region.例文帳に追加

よって、メモリ素子当たり少なくとも２つの情報を保存できるために、メモリノードがチャンネル領域側面に備わった形態によって従来に比べて集積度を１．５倍ないし２倍ほど高められる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device including a non-volatile memory with a well structure in consideration of the element alignment of memory cell array blocks and a driving voltage supply block, and to provide an electronic apparatus including the device.例文帳に追加

メモリセルアレイブロックと駆動電圧供給ブロックとでの素子配列を考慮したウェル構造を有する不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供すること。 - 特許庁

A memory, incorporated in a microcomputer 12, stores a table and a function expression for deriving address data representing addresses where the element data should be stored in memory areas which are sufficiently distant in an address space.例文帳に追加

マイクロコンピュータ12に内蔵されたメモリには、各要素データを格納すべきアドレスを表わすアドレスデータを導出するためのテーブル及び関数式が、アドレス空間において互いに充分に離れたメモリ領域に格納されている。 - 特許庁

To inexpensively provide a memory element, a memory device and a semiconductor device which are nonvolatile, can rewrite information, can be easily manufactured, is excellent in switching characteristic, and has low operating voltage.例文帳に追加

不揮発性であって、かつ情報の書き換えが可能であり、また、作製が簡単であり、スイッチング特性に優れ、動作電圧の低い記憶素子、記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a multi-level cell (MLC) magnetic memory cell stack has first and second magnetic memory elements connected to a first control line and a switching element connected to a second control line.例文帳に追加

さまざまな実施の形態に従うと、マルチレベルセル（ＭＬＣ）磁気メモリセルスタックは、第１の制御線に接続された第１および第２の磁気メモリ素子と、第２の制御線に接続されたスイッチング素子とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and its test method which can perform a manufacturing test easily and surely by simple constitution and method in a semiconductor memory device making a latch circuit a storage element.例文帳に追加

ラッチ回路を記憶素子とする半導体記憶装置であって、簡易な構成及び方法により容易かつ確実に製造テストを実施することのできる半導体記憶装置とその試験方法を提供する。 - 特許庁