「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

A frame memory 7 stores image data of a global image photographed by an image pickup element 24 so that the entire area of the object is contained within an image frame.例文帳に追加

被写体の全領域が画面枠内に収まるように撮像素子２４で撮影した大局画像の画像データはフレームメモリ７に記憶する。 - 特許庁

To make drivable a liquid crystal display element which is constituted by using a liquid crystal having memory property by using driving pulse voltages of multiple values with a simple constitution.例文帳に追加

メモリ性を有する液晶を用いて構成した液晶表示素子を、簡単な構成で多値の駆動パルス電圧を得て駆動可能とすること。 - 特許庁

To provide inspection method and structure for increasing the reliability of a memory cell including a transistor with extremely high off resistance as a switching element.例文帳に追加

オフ抵抗が極めて高いトランジスタをスイッチング素子として有するメモリセルを構成するに際し、信頼性を高める検査方法および構成を提供する。 - 特許庁

A memory cell MC is disposed between a bit line BL and a word line WL and is configured by serially connecting a variable resistance element VR and a diode DI.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの間に配置され且つ可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤＩとを直列接続してなる。 - 特許庁

The memory element is connected to the cartridge housing by using a loading device supplying attachable/detachable connection with the cartridge housing.例文帳に追加

この発明の１つの実施例では、メモリエレメントは、カートリッジハウジングとの着脱可能な接続を提供する装着装置を用いて、カートリッジハウジングに接続される。 - 特許庁

To provide a hologram recording device and a hologram reproducing device, for reducing data loses in a hologram memory, without having to add special processings to an optical element.例文帳に追加

光学素子に特別な加工をすることなく、ホログラフィックメモリにおけるデータ損失を低減できるホログラム記録装置およびホログラム再生装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory element MM is disposed above the digit line DL and below the bit line BL at the intersection part of the digit line DL and the bit line BL.例文帳に追加

磁気記憶素子ＭＭは、ディジット線ＤＬとビット線ＢＬとの交差部分において、ディジット線ＤＬの上であってビット線ＢＬの下に配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device acting like a memory cell employing a negative resistive element operated at a high-speed even under a low voltage and to provide its drive method.例文帳に追加

低電圧下でも高速に動作する、負性抵抗素子を用いたメモリセルとして機能する半導体装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

By applying an electric pulse and an optical pulse to the nonvolatile optical memory element, it is possible to effectively read recorded data in the ferromagnetic body according to a magnetization direction.例文帳に追加

該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 - 特許庁

To prevent reduction of a life of a cell transistor by limiting the stress caused by gate voltage, in writing information on a magnetic memory element, which requires large current.例文帳に追加

大電流が必要とされる磁気メモリ素子への情報書込みに際し、ゲート電圧ストレスを抑制し、セルトランジスタの寿命の短縮を防止する。 - 特許庁

To provide a variable resistance layer that is composed of a metal oxide layer containing Hf suitable for a resistance changing operation in a resistance change type nonvolatile memory element.例文帳に追加

抵抗変化型の不揮発性記憶素子において、抵抗変化動作に適したHfを含有する金属酸化物層からなる可変抵抗層を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element whereby the adhesiveness between a recording layer and an insulation film is sufficiently ensured and a desired resistance ratio is obtained between the set state and the reset state.例文帳に追加

記録層と絶縁膜との間の十分な接着性を確保しつつ、セット状態とリセット状態との間で所望の抵抗比を得る。 - 特許庁

A source line of a nonvolatile memory cell array is grounded through an element having a resistance component, and a resistance value is switched depending on the time of write-in operation and the read-out operation.例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイのソース線を抵抗成分をもつ素子を介して接地し、書き込み動作時と読み出し動作時で抵抗値を切り換える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element which allows data to be output regardless of CAS latency information or clock information, and data-access time to be measured within a short period of time.例文帳に追加

ＣＡＳレイテンシ情報やクロック情報に関係なしにデータを出力し、速い時間内にデータアクセスタイムを測定する半導体メモリ素子の提供。 - 特許庁

To enable protecting simply an incident end plane and an output plane of an optical memory element (multi-layer lamination medium) with simple structure suppressing a manufacturing cost to a low cost.例文帳に追加

コストを低く抑えながら、光メモリ素子（多層積層媒体）の入射端面及び出力面を簡単な構造で簡易に保護できるようにする。 - 特許庁

Further, when the element 1 is turned off, output voltages Vp and Vs from a reflected light quantity detection unit 7 are stored in a memory 62 as a dark output voltage.例文帳に追加

そして、その消灯時に反射光量検出ユニット７からの出力電圧Ｖp，Ｖsを暗出力電圧としてメモリ６２に記憶しておく。 - 特許庁

Data storage location information indicating the storage location of each data element on the HDD 8 is managed in a nonvolatile memory 6 outside the HDD 8.例文帳に追加

さらに、ＨＤＤ８上における各データ片の格納位置を示すデータ格納位置情報を、ＨＤＤ８外部の不揮発性メモリ６で管理する。 - 特許庁

A memory 30 stores RAM image data (RAW format) obtained by digitizing an imaging signal from an image pickup element 14 by an A/D converter 16.例文帳に追加

メモリ３０は、撮像素子１４からの撮像信号をＡ／Ｄ変換器１６でディジタル化したＲＡＷ画像データ（ＲＡＷ形式）を保持する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element which allows reserving an effective thickness of a dielectric film to be formed over the floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極の上部に形成される誘電体膜の有効厚さを確保可能にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Distance information (voltage value) and its position information in a specific indentation position detected by using a detecting piezoelectric element 22 are stored in a memory 381.例文帳に追加

検出用圧電素子２２を用いて検出された特定の圧痕位置における距離の情報（電圧値）及びその位置情報はメモリ３８１に格納される。 - 特許庁

A signal from an imaging element 28 or a microphone 22 is compressed by a signal processing part 12 and the compressed image is recorded in a memory 20.例文帳に追加

撮像素子２８若しくはマイクロホン２２からの信号は、信号処理部１２で圧縮され、ここで圧縮された画像はメモリ２０に記録される。 - 特許庁

This aviation baggage tag 10 is formed with a data memory element 20 and an adhesive layer 12 in the arbitrary segment on one surface 11a of a base material 11.例文帳に追加

基材１１の一方の面１１ａ上の任意の部分に、データ記憶素子２０および接着剤層１２が形成されている航空手荷物タグ１０。 - 特許庁

The write state machine 32 is capable of selectively preventing the data writing or erasing of the memory element in a predetermined range in response to a locking signal.例文帳に追加

ライトステートマシーン３２は、ロック信号に応答して、所定の範囲のメモリ素子のデータの書き込み及び消去を選択的に防止することができる。 - 特許庁

A selection transistor and a resistance variable element of a real memory cell are connected in series between a first voltage line and a second voltage line through a connection node.例文帳に追加

リアルメモリセルの選択トランジスタおよび抵抗変化素子は、第１電圧線と第２電圧線との間に接続ノードを介して直列に接続されている。 - 特許庁

Thus, when the flash memory operates, the leakage current flowing between the drain line/source line in the junction element separating region can be suppressed.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリの動作時に、上記接合素子分離領域においてドレイン線／ソース線間にリーク電流が流れてしまうのを抑制することができる。 - 特許庁

An electronic tag 40 having a tag memory 44 and a communication element 46 on the tag side is firmly attached to a container in processing the module packed in the container.例文帳に追加

容器内に梱包されたモジュールを処理するに当たり、まずタグメモリ４４及びタグ側通信素子４６を有する電子タグ４０を容器にしっかりと付す。 - 特許庁

This non-volatile memory element is provided with a common source region CSL, a cell source region 218s and a drain region 218d formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明この素子は、半導体基板上に形成された共通ソース領域ＣＳＬ、セルソース領域２１８ｓ及びドレイン領域２１８ｄを含む。 - 特許庁

To provide a liquid vessel capable of surely connecting an electrode of a memory element in the vessel toward the contact point on the liquid-consuming apparatus-side.例文帳に追加

液体容器の記憶素子の電極を液体消費装置側の接点に対して確実に接続することができる液体容器を提供する。 - 特許庁

A control gate 15 is formed on a field oxide film 3 in a memory element region, and an interlayer silicon oxide film 17 is formed on the surface of the control gate 15.例文帳に追加

メモリ素子領域のフィールド酸化膜３上にコントロールゲート１５が形成され、その表面に層間シリコン酸化膜１７が形成されている。 - 特許庁

Voltage is applied between the first and second conductive layers 11 and 12 and resistance of the multilayer film 20 is decreased, whereby data is written to the memory element.例文帳に追加

第１導電層１１と第２導電層１２の間に電圧を印加して、多層膜２０の抵抗を低下させることで、メモリ素子にデータを書き込む。 - 特許庁

When the resistance random access memory element is miniaturized, variations in electrical characteristics due to the surface irregularities of the variable resistance film can be reduced.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を微細化した場合に、抵抗変化膜表面の凹凸に起因した素子間の電気特性のバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁

A tunnel magnetic resistance element TMR constituting a MTJ memory cell is elongated where aspect ratio is ≥1 to stabilize magnetization characteristics.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、磁化特性を安定化させるために、縦横比が１より大きい細長形状を有する。 - 特許庁

To provide a resistance change type memory device capable of preventing disturbance caused by the flowing of reverse element current at the end time of a low resistance operation.例文帳に追加

低抵抗化動作の終了時に、逆向きの素子電流が流れディスターブが発生することを防止した抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a bistable device and a bistable memory element which assure characteristic control capability, low-cost fabrication and stabilized characteristics, as well as to provide manufacturing methods for them.例文帳に追加

特性制御が可能で、安価に作製でき、かつ特性が安定した双安定デバイス、双安定メモリ素子、および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element that is superior in retention characteristic and can suppress the degradation of a characteristic of a semiconductor film caused by the diffusion of oxygen from an external environment or the like.例文帳に追加

外部環境からの酸素拡散などによる半導体膜の特性劣化を抑制し、保持特性の優れた半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide an intersection point nonvolatile memory element using a two-component system metal oxide film as a data storage substance film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

２成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method can improve the response of the shape memory element in the fuel injection so as to improve the controllability of the injection quantity and timing of the fuel.例文帳に追加

これにより燃料噴射時の形状記憶素子の応答が改善され、燃料噴射量および噴射時期の制御性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a map address management method in which data can be reliably read or written even by a memory element having a large number of bits per a unit cell.例文帳に追加

単位セル当たりのビット数が大きいメモリ素子であってもデータの確実な読み込み・書き込みを可能にしたマップアドレス管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ink-jet recorder which can communicate with a memory element prepared in an ink container before mounting the ink container in a carriage.例文帳に追加

インク収容体をキャリッジに装着する前に、インク収容体に設けられた記憶素子と通信することができるインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁

The correction factor k1_i is multiplied by the correction factor k2_i so that a correction factor k_i of each heater element can be calculated and stored in a flash memory 46.例文帳に追加

補正係数ｋ１_ｉ に補正係数ｋ２_ｉ を乗算して各発熱素子毎の補正係数ｋ_ｉ が算出され、フラッシュメモリ４６に記憶される。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which reduces a power consumption by reading/writing data in a low voltage state, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低電圧状態でデータをライト及びリードすることにより消費電力を低減する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT. THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK APPARATUS, SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNETIC MAGNETIZATION FIXING LAYER, MAGNETIC MEMORY CELL, AND CURRENT SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、シンセティック反強磁性磁化固着層、磁気メモリセルおよび電流センサ - 特許庁

A prevention element is provided on the card positioning plate 48 for preventing a memory card from being inserted into the card-housing space in wrong orientation of the card.例文帳に追加

メモリカードが間違った向きでカード収容空間に挿入されることを阻止するための阻止要素がカード位置決めプレート４８に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that forms a resistance part by a low forming voltage, and improves the reliability of a resistance change element and the other elements.例文帳に追加

低いフォーミング電圧により抵抗部を形成し、抵抗変化素子およびその他の素子の信頼性を向上する半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A MAX extracting part 7, a selector 8 and a reference memory 9 compress the data to supply the one search data to one picture element of the search image data.例文帳に追加

ＭＡＸ抽出部７、セレクタ８、リファレンスメモリ９は、探知画像データの１画素に対して１つの探知データが与えられるようにデータを圧縮する。 - 特許庁