「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem in a ferroelectric memory element that, although many nondestructive readout methods have been studied, each has a problem that the difference between "1" and "0" is small, a problem in the process reliability, and so forth, and they have not been solved, and to provide a nondestructive readout method suitable for a simple matrix structure memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子において、幾つもの非破壊読み出し方法が検討されてきているが、“１”、“０”の差が小さいことやプロセス的な信頼性の問題等、それぞれ課題を抱えており、未だ実現していないが、本発明は、単純マトリクス構造メモリ素子に好適な非破壊読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Without a separately added photolithographic process to form a floating gate and control gate for a one-time programmable memory element, a one-time programmable memory element can be embodied, using a capacitor manufacturing process with a polysilicon-dielectric film-polysilicon structure or metal-dielectric film-metal structure, as it is, which is used in the existing process.例文帳に追加

ワンタイムプログラムメモリ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとを形成するための別途のフォトリソグラフィ工程の追加なしに、既工程で使われているポリシリコン−誘電膜−ポリシリコン構造または金属−誘電膜−金属構造のキャパシタ製造工程をそのまま利用してワンタイムプログラムメモリ素子を具現する。 - 特許庁

The pixel 110 comprises: a liquid crystal element 150 wherein liquid crystal 105 is held between a pixel electrode 118 and a common electrode 108; a memory circuit 120 holding a data bit supplied to a bit line 211; and a liquid crystal element 150 which performs on or off display in accordance with the data bit held by the memory circuit.例文帳に追加

画素１１０は、画素電極１１８と共通電極１０８とで液晶１０５を挟持した液晶素子１５０のほか、ビット線２１１に供給されたデータビットを保持するメモリ回路１２０と、前記メモリ回路に保持されたデータビットにしたがったオンまたはオフ表示となる液晶素子１５０とを備える。 - 特許庁

The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０と、磁気記憶素子１０に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層４にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁

The delta-sigma modulation circuit includes a feedback path that feeds back the switching control signal and a memory element that stores the feedback coefficient for determining the feedback factor of the feedback signal, and modulates the signal to be modulated using the feedback signal from the feedback path and the feedback coefficient stored in the memory element.例文帳に追加

デルタシグマ変調回路は、スイッチング制御信号をフィードバックするフィードバック経路と、フィードバック信号の帰還率を決定するフィードバック係数を格納する記憶素子とを備え、フィードバック経路からのフィードバック信号と記憶素子に格納されたフィードバック係数とを用いて被変調信号を変調する。 - 特許庁

To enhance the performance capability of an element such as a high performance memory, a capacity element, etc., which is used in the electronic circuit in an electronic device, especially an extremely small-sized high speed operation memory circuit or an integrated circuit operated in a high frequency region and has a combination of a dielectric and a conductive multilayered film as a basic constitution.例文帳に追加

電子機器内の電子回路、特に、超小型の高速動作メモリ回路や高周波領域で動作する集積回路等で用いられる、誘電体と導電多層膜の組み合わせを基本構成とする高性能メモリ・容量素子などにおいて、素子の性能の向上を可能とする導電多層膜を提供する。 - 特許庁

When the calculated data read- out coordinates are determined to be positioned in the center of the picture elements, whether the picture element for the data read-out coordinates is a white picture element or a black picture element, out of a binary image recorded in a memory 704, is judged by a white-or-black judging part 720 for the read-out picture element, so as to output data.例文帳に追加

そして、算出されたデータ読取座標が上記イメージを構成する画素の中央に位置するものと判定されたとき、読取画素白黒判定部７２０により、メモリ７０４に記録されている２値イメージのうち、上記データ読取座標に対する画素が白画素であるか黒画素であるかを判定して、データを出力する。 - 特許庁

A user is allowed to configure, during runtime, a processing element on which to perform diagnostics, an algorithm for the processing element to execute, a data set for the algorithm to execute against, a diagnostic function for the processing element to execute, a condition for executing the diagnostic function, and visualization parameters for memory local to the processing element.例文帳に追加

ユーザは、ランタイム中に、診断を実行すべき処理要素、当該処理要素が実行すべきアルゴリズム、当該アルゴリズムが処理すべきデータ・セット、当該処理要素が実行すべき診断機能、当該診断機能を実行するための条件及び当該処理要素に対してローカルのメモリのための可視化パラメータを構成することができる。 - 特許庁

To provide a huge magnetoresistive effect element that inhibits variation in current density in the huge magnetoresistive effect element, can effectively utilize an element, and at the same time has reliability and a long life, and to provide a reliable magnetoresistive effect head, a thin-film magnetic memory, and a thin-film magnetic sensor that have the huge magnetoresistive effect element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内の電流密度のばらつきを抑制して、素子を有効に利用することができ、かつ信頼性や長寿命を有する巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えて信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

The memory cell is constituted of a variable resistor element 1, a MOS transistors 2 as a switching element which controls voltage applied to both ends of the variable resistor element 1, and a resistive element 6 with nonlinear current voltage property which is connected between the MOS transistor 2 and the variable resistor elements 1 (or connected to the drain side of the MOS transistor 2 in series).例文帳に追加

可変抵抗素子１と、可変抵抗素子１の両端に印加する電圧を制御するスイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ２と、可変抵抗素子１とＭＯＳトランジスタ２との間（又はＭＯＳトランジスタ２のドレイン側）に直列に接続された、非線形電流電圧特性を有する抵抗素子６とを備えるメモリセルとして構成した。 - 特許庁

To adjust the dispersion of an electron emission characteristic when each surface-conductive type electron emission element constituting a multi- electron source provided with the surface-conductive type electron emission element is driven at a constant current by applying a method for equalizing the characteristic by utilizing the memory capability of the electron emission characteristic of the electron emission element, in particular, the surface- conductive type emission element.例文帳に追加

電子放出素子、とりわけ、表面伝導型放出素子の電子放出特性のメモリ性を利用して特性を揃える方法を応用して、表面伝導型電子放出素子を多数個備えたマルチ電子源を構成する各表面伝導型放出素子を定電流駆動時に電子放出特性のバラツキを調整する。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

Then, photographing processing of acquiring the image from the imaging element 2 at the imaging frame rate and storing it in the memory (buffer) 9 is executed, and live view display processing of reading the images from the memory (buffer) 9 at the display frame rate, sending them out to a driver 6 and successively displaying them in a display part 7 is executed by a memory read control part 11a.例文帳に追加

そして、上記撮像フレームレートで撮像素子２から画像を取得し、メモリ（バッファ）９に格納する撮影処理を実行し、メモリ読出し制御部１１ａにより、上記表示フレームレートでメモリ（バッファ）９から画像を読み出し、ドライバ６に送出して表示部７で順次表示するライブビュー表示処理を実行する。 - 特許庁

In order to calculate a product of a matrix and a vector, an element matrix in which non-zero elements of a matrix are arrayed and an arrangement matrix indicating the positions of the non-zero elements of the matrix are stored in a system memory, a first partial vector is stored in a first local memory, and a second partial vector is stored in a second local memory.例文帳に追加

このシステムは、行列およびベクトルの積を算出するために、システムメモリに、行列の非ゼロ要素を配列した要素行列、および、行列の非ゼロ要素の位置を示す配置行列を記憶し、第１局所メモリに第１部分ベクトルを記憶し、第２局所メモリに第２部分ベクトルを記憶する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which has a rectifying layer and a nonvolatile layer element at an intersection of a first wire and a second wire, the nonvolatile memory device having its thickness suppressed as compared with a nonvolatile memory device using a PIN diode as a rectifying layer and also making diode characteristics of the rectifying layer uniform.例文帳に追加

第１の配線と第２の配線との交差部に整流層と不揮発性記憶層を有する不揮発性記憶装置で、整流層としてＰＩＮダイオードを用いる場合に比して厚さを抑え、整流層のダイオード特性を一様に揃えることができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

The electronic still camera that uses an analog/digital converter to apply analog/digital conversion to an image signal obtained, by an image pickup element to obtain digital image data, has a recording means that stores the digital image data to the memory and inhibits recording of the digital image data to the memory, when the remaining capacity of the memory is a prescribed capacity or below.例文帳に追加

撮像素子により得られた画像信号をＡ／Ｄ変換器によりＡ／Ｄ変換してデジタル画像データを得る電子スチルカメラであって、デジタル画像データをメモリへ記録する記録手段を有し、メモリの残り容量が所定容量以下となったら、該メモリへのデジタル画像データの記録が禁止される構成とした。 - 特許庁

The mode transition-controlling element 51, the DSP controlling means 55 and the memory-controlling means 57 make a DSP 54 and a memory 56 automatically stop the reproduction and then start recording when the recording is executed by the operating part 2 during the reproduction of the DSP 54 and the memory 56.例文帳に追加

モード遷移制御手段５１、ＤＳＰ制御手段５５及びメモリ制御手段５７は、ＤＳＰ５４及びメモリ５６の再生中に前記操作部２により記録操作が行われた場合、前記ＤＳＰ５４及びメモリ５６に対して自動的に再生を停止させてから記録を開始させる制御を行う。 - 特許庁

For example, the capacitive element portion 14 is formed to include the same circuit patterns as those of memory cells and is formed by arranging in a matrix-manner a plurality of the potential compensating cells at the same time as forming a memory region 11 in a different region (a N well region 21d) from the memory region 11 provided on a semiconductor substrate 21a.例文帳に追加

たとえば、半導体基板２１ａ上に設けられるメモリ領域１１とは別の領域（Ｎウェル領域２１ｄ）に、メモリ領域１１の形成と同時に、メモリセルと同様の回路パターンを有する、複数の電位補償用セルをマトリクス状に配置してなる容量素子部１４を形成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device according to an embodiment includes: a memory cell MC-sel that consists of a variable resistive element VR and a capacitor CP which are connected in series between first and second conductive wires WL1 and BL1; and control circuits 2 and 3 which apply the first or second voltage pulse to the memory cell MC-sel.例文帳に追加

実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１及び第２の導電線ＷＬ１，ＢＬ１間に直列接続される可変抵抗素子ＶＲ及びキャパシタＣＰから構成されるメモリセルＭＣ−ｓｅｌと、メモリセルＭＣ−ｓｅｌに第１又は第２の電圧パルスを印加する制御回路２，３とを備える。 - 特許庁

Information can be recorded without applying a magnetic field by a magnetic memory utilizing the above, when a ultrahigh-density nonvolatile memory element is formed, size of a memory cell is made small, interval between cells is narrowed, and an effect is obtained such that information loss and reliability loss at recording information can be suppressed.例文帳に追加

これを利用した磁気メモリーによれば、磁場を印加しなくても情報を記録することが可能で、超高集積度不揮発性メモリー素子を形成する時、メモリーセルの大きさが小さくなりセル間の間隔が狭まり発生する情報流失と情報記録時の信頼度損失を抑制できる効果がある。 - 特許庁

The storage element includes a memory layer 17 having magnetization which is perpendicular to the film surface and the orientation of which changes in response to the information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film surface which becomes the reference of information stored in the memory layer, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

In a digital camera for correcting a defective pixel caused by a solid-state image pickup element, a microcomputer 15 is capable of directly reading a work memory 16 and the work memory 16 reads data in itself to detect the defective pixel and replaces calculated correction data to a frame memory 12 to realize correction of the defective pixel.例文帳に追加

固体撮像素子に起因する欠陥画素を補正するデジタルカメラにあって、マイコン１５がワークメモリ１６を直接読み書きできる構成とし、マイコン１６は、ワークメモリ１６のデータを読み出して欠陥画素を検出し、さらに算出された補正データをフレームメモリ１２に置換することで、欠陥画素の補正が実現する。 - 特許庁

The memory cell array is provided with an element separation insulation film 7 inserted between the floating gate electrodes (3 and 8) of the memory cell transistors adjacent in a row direction, and a columnar direction cell separation insulation film inserted between the floating gate electrodes (3 and 8) of the memory cell transistors adjacent in the columnar direction and having a specific inductive capacity smaller than 3.9.例文帳に追加

メモリセルアレイは、行方向に隣接したメモリセルトランジスタの浮遊ゲート電極（３，８）の間に挿入された素子分離絶縁膜７と、列方向に隣接したメモリセルトランジスタの浮遊ゲート電極（３，８）の間に挿入され、３．９より小さい比誘電率を有する列方向セル分離絶縁膜とを備える。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

The image pickup apparatus is provided with a driving timing generating apparatus 13 which has a rewritable nonvolatile memory 13a and volatile memory 13b and outputs a driving timing signal of an image pickup element based on the program data stored in at least either the nonvolatile memory 13a or the volatile 13b.例文帳に追加

撮像装置は、書き換え可能な不揮発性メモリ１３ａおよび揮発性メモリ１３ｂを有し、これら不揮発性メモリ１３ａおよび揮発性メモリ１３ｂの少なくともいずれかに保存されているプログラムデータに基づいて撮像素子の駆動タイミング信号を出力する駆動タイミング発生装置１３を具備する。 - 特許庁

The memory strings MS include: a columnar layer 36 extended in a lamination direction; a memory gate insulating layer 35 that is formed on the side of the columnar layer 36 and functions as the resistance change element R; and first to fourth source line conductive layers 33a-33d formed via the memory gate insulating layer 35, while surrounding the columnar layer 36.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、積層方向に伸びる柱状層３６と、柱状層３６の側面に形成され且つ抵抗変化素子Ｒとして機能するメモリゲート絶縁層３５と、メモリゲート絶縁層３５を介して柱状層３６を取り囲むように形成された第１〜第４ソース線導電層３３ａ〜３３ｄとを備える。 - 特許庁

Each of computing elements 1-1 to 1-n reads an operation result of another adjacent computing element 1 from a shared memory 3 connected to a local shared bus 2 to which the computing element is connected, executes predetermined arithmetic processing for the operation result and writes the operation result of the arithmetic processing in a shared memory 3 other than the shared memory 3 connected to the local shared bus 2.例文帳に追加

演算器１−１〜１−ｎが、自己が接続されているローカル共有バス２に接続されている共有メモリ３から隣接している他の演算器１の演算結果を読み出して、その演算結果に対する所定の演算処理を実施し、その演算処理の演算結果を上記ローカル共有バス２に接続されている上記共有メモリ３以外の共有メモリ３に書き込むように構成する。 - 特許庁

The memory device equipped with a characteristic adjustment device includes a nonvolatile memory element, register control sections 510, 520, 530, 540, 550 capable of reading data by the memory element or writing data therein, and a characteristic control section for outputting a signal corresponding to a predetermined input signal, and controlling the characteristics of the output signal separately according to a signal output from each of the register control sections.例文帳に追加

特性調整装置を備えたメモリ装置は非揮発性メモリ素子を含むが、前記メモリ素子でデータをリードするか、又は前記メモリ素子にデータをライトすることができるレジスタ制御部５１０，５２０，５３０，５４０，５５０、及び所定の入力信号に対応する信号を出力するが、前記出力された信号は前記レジスタ制御部から出力された信号に応じてその特性が別に制御される特性制御部を含む。 - 特許庁

An output end of each memory cell D0-D7 and one side of each exclusive OR element Eo0-Eo7 are connected, an output end of a polarity holding cell Dc and the other side of an input end of each exclusive OR element Eo0-Eo7 are connected.例文帳に追加

各メモリセルＤ0〜Ｄ7の出力端と各排他的論理和素子Ｅo0〜Ｅo7の一方の入力端とが接続され、極性保持セルＤcの出力端と各排他的論理和素子Ｅo0〜Ｅo7の他方の入力端とが接続されている。 - 特許庁

The first memory cell consists of a first resistance change element X, having one end connected with a first bit line, and first and second FETs connected in parallel between the other end of the element X and a second bit line.例文帳に追加

第１メモリセルは、一端が第１ビット線に接続される第１抵抗変化素子Ｘと、第１抵抗変化素子Ｘの他端と第２ビット線との間に並列接続される第１及び第２ＦＥＴとから構成される。 - 特許庁

A remaining picture element, not extracted by the picture element extracting unit 25, is applied by (whitening) intensity conversion which increases an intensity level in the intensity conversion unit 26 in accordance with an intensity conversion table stored in the intensity conversion table memory unit 23.例文帳に追加

画素抽出部２５にて抽出されなかった残りの画素には、輝度変換テーブル記憶部２３に記憶されている輝度変換テーブルにしたがって、輝度変換部２６にて輝度レベルが増加する（白化する）輝度変換を施す。 - 特許庁

In a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips, a fuse element section 104 for adjusting the internal power source potential of a memory chip 101 and a fuse element section 105 for adjusting refresh- timing are arranged at a logic chip 102 side.例文帳に追加

複数の半導体チップを有する半導体装置において、メモリチップ１０１の内部電源電位調整用ヒューズ素子部１０４およびリフレッシュタイミング調整用ヒューズ素子部１０５をロジックチップ１０２側に配置した。 - 特許庁

A conductor is formed in the hole, and a second insulating layer is formed on the first insulating layer while covering the conductor, and a mask layer that has an opening in a region containing the semiconductor memory element and covers the peripheral circuit element is formed thereon.例文帳に追加

孔内に導電体を形成し、導電体を覆い、第１の絶縁層上に第２の絶縁層、その上に半導体メモリ素子を含む領域に開口を有し、周辺回路素子上を覆うマスク層を形成する。 - 特許庁

To provide an IC card including a CPU, a memory and a display element, and to be enabled after executing pre-operation processing, which displays whether the processing has been executed or not on the display element.例文帳に追加

ＣＰＵと、メモリと、表示素子を有し、使用開始前処理を実行してから正常使用可能となるＩＣカードにおいて、使用開始前処理を実行したか否かを表示素子で表示することを特徴とするＩＣカードを提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of slurry for CMP which is superior in grinding selection ratio with respect to polycrystalline silicon compared with an oxide film, and the forming method of a semiconductor element for forming the self aligned floating gate of a flash memory element utilizing the slurry.例文帳に追加

酸化膜に比べて多結晶シリコンに対する研磨選択比に優れたＣＭＰ用スラリー及び、前記スラリーを利用してフラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲートを形成する半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element and its fabricating method in which a charging capacity higher than that of an element employing a thin ONO film and a thin Ta2O5 film can be obtained while simplifying the process.例文帳に追加

本発明は、ＯＮＯ薄膜及びＴａ_2Ｏ_5薄膜を用いた素子より大きい充電容量を得ることができ、工程を単純化させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

The illuminance of each LED light emitting element 3, etc., arrayed on the front of a substrate 2 of a display element 4 is discretely subjected to an illuminance change along the illuminance pattern stored in a memory section 9a of a controller 9 constituting the stereoscopic display device 1.例文帳に追加

立体表示装置１を構成する制御装置９の記憶部９ａに記憶された照度パターンに沿って、表示部４の基板２前面に配列した各ＬＥＤ発光素子３…の照度を個別に照度変化させる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element exhibiting a continuous gradation memory property as well as different display properties substantially similar to those of a liquid crystal display element having nematic liquid crystals, while enabling continuous tone display, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ネマティック液晶を用いた液晶表示素子と同等の表示特性を有しながらも、連続階調表示を行いつつ、連続階調メモリ性を実現することができる液晶表示素子およびその製造方法を得る。 - 特許庁

The temperature control valve unit 19 has a temperature sensitive spring 46 formed of a shape memory alloy for energizing a valve element 42 to the side of a hot water side valve seat and bias springs 47, 48 for energizing the valve element 42 to the side of a water side valve seat.例文帳に追加

温度調節弁ユニット１９は、形状記憶合金よりなるとともに弁体４２を湯側弁座側に付勢する感温ばね４６と、弁体４２を水側弁座側に付勢するバイアスばね４７，４８とを備えている。 - 特許庁

There provided the noncontact IC card and the method of operating the IC card which are characterized by having an antenna performing communication with the outside, a CPU, a memory and an oscillating element, and also characterized in that the oscillating element is operated when the CPU performs specific operation.例文帳に追加

外部との通信を行うアンテナと、ＣＰＵと、メモリと、振動素子を有し、特定の動作をＣＰＵが行った場合に振動素子を動作することを特徴とする非接触ＩＣカードおよびその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device provided with both of a high access speed which is a merit of an MRAM constituted of one selection element and one TMR element and the reduction of a cell area which is a merit of a cross point type MRAM.例文帳に追加

１選択素子と１ＴＭＲ素子で構成されるＭＲＡＭの利点であるアクセス速度の速さとクロスポイント型のＭＲＡＭの利点であるセル面積の縮小化とを兼ね備えた磁気メモリ装置の提供を図る。 - 特許庁

In addition, the dummy cell is designed so that it has intermediate electric resistance between first and second electric resistances by making the impressed voltage on both ends of each dummy magneto-resistance element lower than voltages impressed on both ends to be applied to the magneto-resistive element of a memory cell.例文帳に追加

また、各ダミー磁気抵抗素子の両端印加電圧をメモリセルの磁気抵抗素子にかかる両端印加電圧よりも小さくし、第１および第２の電気抵抗の中間の電気抵抗を有するように設計する。 - 特許庁

The memory element is also set in the storage space, and includes a chip substrate and at least one functional element electrically connected to the chip substrate, and the chip substrate has a set of conductive pads to be electrically connected to the other end sides of the leads.例文帳に追加

メモリ素子も、収容空間中に設置され、チップ基板とチップ基板に電気的に接続する少なくとも一つの機能素子からなり、チップ基板は、一組の導電パッドを有し、リードのもう一端に電気的に接続する。 - 特許庁

In the imaging element frame 20, shape memory alloys 27, 28 increased in total length by galvanization heating are disposed as a drive means, and connected to the inside of the tube 19, the imaging optical frame 18 and the imaging element frame 20.例文帳に追加

また撮像素子枠２０内には、通電加熱により全長が伸びる駆動手段としての形状記憶合金２７，２８が設けられ、管体１９の内部且つ撮像光学枠１８と撮像素子枠２０と接続される。 - 特許庁