「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

A ferroelectric thin film 30, constituting a ferroelectric capacitor 33 of a ferroelectric memory element, is formed out of an SBT thin film, having added Zr elements as the elements for feeding holes.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３３を構成する強誘電体薄膜３０は、正孔を供給する元素としてＺrが添加されたＳＢＴ薄膜で形成されている。 - 特許庁

To provide a redundancy control circuit dielectric breakdown of a program element can be performed surely, and a semiconductor memory device using it.例文帳に追加

本発明の目的は、プログラム素子をより確実に絶縁破壊することが可能なリダンダンシ制御回路、及びそれを用いた半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

Writing operation is stopped immediately after the memory element is shorted by detecting variation of output voltage of the boosting circuit and by controlling a write command.例文帳に追加

昇圧回路の出力電圧の変化を検出することで、書き込み命令を制御することにより、メモリ素子がショートした直後、直ちに書き込み動作を止める。 - 特許庁

The memory element accordingly has a SRAM 4 transistor (4T) 2 load (2R) architecture wherein the resistance associated with two magnetic tunnel junctions provides the two load resistances.例文帳に追加

従って、本メモリ要素は、ＳＲＡＭ４トランジスタ（４Ｔ）２負荷（２Ｒ）アーキテクチャを有しており、該２個の磁気トンネル接合と関連する抵抗が２個の負荷抵抗を与える。 - 特許庁

To provide a auto-precharge device for a semiconductor memory element which can perform stable precharge operation even when a frequency of an external clock signal is varied.例文帳に追加

外部クロック信号の周波数に変動が生じた場合でも、安定したプリチャージ動作を行うことができる半導体メモリ素子のオートプリチャージ装置を提供すること。 - 特許庁

A non-volatile memory element and the contactless IC chip containing an antenna is embedded into the toner cartridge casing by an insert molding method in molding.例文帳に追加

そして、トナーカートリッジ筐体の内部に、その成型時に不揮発性記憶素子およびアンテナを内蔵する非接触ＩＣチップＣをインサート成形法によって埋め込む。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory element and its driving method in which an error of data by write-in postamble ringing of a data strobe signal DQS can be prevented.例文帳に追加

データストローブ信号ＤＱＳの書き込みポストアンブルリンギングによるデータのエラーを防止することができる同期式半導体メモリ素子及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The resistive memory element containing the dopant has a lower electrode, a resistive layer containing the dopant formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the resistive layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されたドーパントを含む抵抗層と、抵抗層上に形成された上部電極と、を含むドーパントを含む抵抗性メモリ素子である。 - 特許庁

To strive for a long-length scale without getting out of illumination area of a light emission element and without accompanying the complication of circuit system and increasing necessary capacitance of the memory.例文帳に追加

受光部が発光素子の照明範囲から外れることが無く、また回路系の複雑化及びメモリ容量の増大を伴うことなく、スケールの長尺化を図ること。 - 特許庁

To improve reliability of data storing characteristics for a long period of time in a non-volatile semiconductor memory using a blowable, displaceable, and sudden-cooling type fuse element.例文帳に追加

本発明は、溶融・偏在・急冷型のフューズ素子を用いた不揮発性の半導体メモリ装置において、データ保持特性における長期信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of realizing the increased precision and functionalization of a non-volatile memory and a polycrystalline silicon thin film resistive element at a low cost.例文帳に追加

不揮発性メモリと多結晶シリコン薄膜抵抗素子の高精度化、高機能化とを安価に実現できる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A comparator S8 compares the values of an R set storage register S7 and the picture element counter S4 and outputs a read command to the FIFO type memory S3 at the timing when reading is required.例文帳に追加

比較器Ｓ８がＲ設定Ｓ７と画素カウンタＳ４との値を比較し、読出しの必要なタイミングになるとＦＩＦＯ型メモリＳ３へ読出し指令を出力する。 - 特許庁

Plural pictures whose focal positions F are a little different are photographed by the variable focal lens device 1 and the CCD element 31, and recorded in a picture memory 41.例文帳に追加

可変焦点レンズ装置１とＣＣＤ素子３１とにより、焦点位置Ｆが少しずつ異なった多数枚の画像が撮像され、画像メモリ４１に記憶される。 - 特許庁

The first and the second lines from the both ends of the element region of the memory cell in the active region are composed of partial lines divided into more than two lines.例文帳に追加

前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から１本目および２本目のラインは、２つ以上に分割された部分ラインで構成される。 - 特許庁

To provide a Bi ferroelecrtric element improved in hysteresis characteristics to be suitable utilized especially for a nonvolatile ferroelectric memory or the like and a producing method therefor.例文帳に追加

特に不揮発性の強誘電体メモリ等に好適に利用される、ヒステリシス特性の改善したＢｉ系強誘電体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell which improves product yield and has the effect of cost reduction by reducing masking processes and which has excellent element characteristics.例文帳に追加

マスク工程を減少させて製品の収率向上及びコスト節減効果を有しかつ素子特性に優れたフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The generation of the power becomes possible by writing a value to the magnetic memory element, so a digital signal comprising a combination of codes "0" and "1" can be used as a driving signal.例文帳に追加

動力の発生は磁気メモリ素子に値を書き込むことで可能となるため、駆動信号としては符号”０””１”の組み合わせで成るデジタル信号を用いることができる。 - 特許庁

The reference potential is generated by the SRAM cell, so that the deterioration of the reference memory cell is hardly generated, and the reliability of read data and element life are improved.例文帳に追加

参照電位をＳＲＡＭセルで生成するので、参照用メモリセルの劣化が生じ難く、したがって、読み出しデータの信頼性や素子寿命が向上する。 - 特許庁

This is a digital still camera where a lens part, an image pickup element, a display part, and a battery part are integrated into a casing, and a memory card for recording an image is inserted and extracted from one flank on the short side of the casing.例文帳に追加

レンズ部、撮像素子、表示部、バッテリー部を筐体に組み込み、筐体の短辺側一側部から画像を記録するメモリカードが挿脱されるデジタルスチルカメラである。 - 特許庁

Data in relation to variation of illuminance which may occur when the multiple light emitting dots of the light emitting element 2 are activated in an identical condition is stored in the memory means 4.例文帳に追加

記憶手段４には、発光素子２の多数の発光ドットを同一の条件で発光させた場合に生じる発光輝度のばらつきに関するデータが記憶される。 - 特許庁

To perform read-out operation having high reliability and high performance by suppressing reduction of read-out operation margin caused by characteristic dispersion of individual memory element.例文帳に追加

個々のメモリ素子の特性バラツキに起因する読み出し動作余裕の低減を抑制し、高信頼性で高性能な読み出し動作が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When data of a hardware description 10 are inputted to an extraction part 101, the extraction part 101 extracts from the data whether a storage element is a memory or an FF.例文帳に追加

ハードウェア記述１０のデータが抽出部１０１へ入力されると、抽出部１０１は、このデータから、記憶素子がメモリかＦＦであるかを抽出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein design change is not exerted to other parts even when the design of the material of a resistive element used in an analog peripheral circuit or the like is changed.例文帳に追加

アナログ周辺回路に用いられる抵抗素子の材料などが設計変更されても、他の部分への設計変更が波及しない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A logie element and interconnection which are programmed depending on a state in which data is stored in a memory cell and which can be formed by a user are incorporated in a same and/or different tile.例文帳に追加

メモリセルの記憶された状態によりプログラムされる、ユーザが形態化可能なロジックエレメント及びインターコネクションは、同一及び／又は異なるタイル中に組み込まれる。 - 特許庁

To provide a memory element together with its manufacturing method where a distance between an MTJ cell and a second word line as a write line is reduced to allow writing operation on less current.例文帳に追加

ＭＴＪセルとライトラインである第２ワードラインの距離を縮小させ、少量の電流でライト動作を可能にした、メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A display device comprising a display element with a memory property is installed on a floor (block 31) so that pedestrians can visually recognize the display device, and prescribed information is displayed on the display device.例文帳に追加

メモリ性表示素子で構成された表示装置を歩行者から視認できる状態で床（ブロック３１）に設置し、この表示装置に所定の情報を表示させる。 - 特許庁

An input terminal Y for each memory element is connected with a ϕI line 110 via resistances R_a, R_b, R_c, R_d, and a power source terminal VS is connected with a VGA line 113.例文帳に追加

さらに、各メモリ素子の入力端子Ｙは抵抗Ｒ_a ，Ｒ_b ，Ｒ_c ，Ｒ_d を介してφ__I ライン１１０に、電源端子Ｖ_S はＶ_GAライン１１３に接続されている。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory that a program current per cell can be reduced, reliability of an element and manufacturing yield can be improved.例文帳に追加

セル当りプログム電流を減らすことができ、素子の信頼性及び製造歩留りを向上させることができるフラッシュメモリのプログラミング方法を提供すること。 - 特許庁

In a signal processing section 12, according to data Dpos held in a nonvolatile memory 14, the hall signals VH+, VH- from the hall element 8 are processed.例文帳に追加

信号処理部１２は、ホール素子８からのホール信号ＶＨ＋、ＶＨ−に対して、不揮発性メモリ１４に保持されたデータＤｐｏｓに応じた信号処理を施す。 - 特許庁

Profile data obtained when the valve element 31 is lifted is stored in a memory beforehand, and based on the profile data, a drive signal is outputted to the electromagnetic coils 32 and 33.例文帳に追加

弁体３１のリフト動作時におけるプロファイルデータがメモリに予め格納され、当該プロファイルデータに基づいて電磁コイル３２，３３に対して駆動信号が出力される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a NAND flash memory element which can reduce the aspect ratio of the drain contact hole while reducing the resistance of a common source line.例文帳に追加

共通ソースラインの抵抗を減少させながら、ドレインコンタクトホールのアスペクト比を減少させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device capable of suppressing that a memory cell or an MTJ element becomes defective and suppressing increase in manufacturing cost.例文帳に追加

メモリセルまたはＭＴＪ素子が不良となることを抑制することができるとともに、製造コストが増加するのを抑制することができる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element which has a high durability about the recording playback, operates with a low power consumption, and is durable for forming a high-density integration structure.例文帳に追加

記録再生に関する耐久性が高く、かつ低消費電力で動作し、かつ高密度集積化に耐え得るることが可能な強誘電体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

When the storage element is a memory, the extraction part 101 reads in the head address and size, but when an FF, the address is read in and its data are outputted to an address conflict detection part 103.例文帳に追加

抽出部１０１は、メモリの場合、先頭アドレスとサイズを読み込み、ＦＦの場合、アドレスを読み込み、このデータをアドレス競合検出部１０３へ出力する。 - 特許庁

Photographed image data are held temporarily in an image RAM 121 as a volatile memory while being displayed on an image display element (an LCD) 122 as a preview image.例文帳に追加

撮影された画像データを揮発性メモリである画像ＲＡＭ１２１に一時的に保持するとともに、画像表示素子（ＬＣＤ）１２２にプレビュー画像として表示する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having memory function necessitating little writing energy and short writing time and hardly scattering light in an aligned state of the liquid crystal.例文帳に追加

書き込みエネルギーが小さく、書き込み時間が短く、液晶が配向している状態で光を散乱しにくい、メモリー性を有する液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

The controlling unit 20 controls the plurality of element drive units 10 and has a second nonvolatile memory 23 which stores the luminance correction data for backup.例文帳に追加

制御ユニット２０は、複数個の素子駆動ユニット１０を制御するためのものであり、輝度補正値データをバックアップ用に記憶する第二不揮発性メモリ２３を備える。 - 特許庁

To provide a system and a method for uploading and transferring the information positioned on a digital memory element quickly and easily from various different places.例文帳に追加

デジタルメモリ素子上に位置する情報を、種々の異なる場所から迅速に、かつ容易にアップロードし、かつ転送することができるシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

A color laser printer 20 is provided with a memory element 40 which transmits information such as error information or the like on receiving an electromagnetic wave of the frequency band used by cellular phones 80.例文帳に追加

カラーレーザプリンタ２０に携帯電話８０に用いられる周波数帯の電磁波を受信するとエラー情報などの情報を送信する記憶素子４０を取り付ける。 - 特許庁

The controller controls the thermal equilibrium threshold voltage measured by the measuring circuit on the nonvolatile memory element and the sense level of the read circuit to match each other.例文帳に追加

制御手段は、測定回路によって測定される不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧と読み出し回路のセンスレベルとを一致させるように制御する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a capacitance element composed of a lower electrode 15 and a capacitive insulating film 16 consisted of a ferroelectric film; and an upper electrode 17.例文帳に追加

半導体記憶装置は、下部電極１５、強誘電体膜からなる容量絶縁膜１６、及び上部電極１７によって構成される容量素子を備える。 - 特許庁

To prevent destruction of an element constituting a circuit caused by an erroneous operation in a nonvolatile semiconductor memory device which inhibits rewriting of data.例文帳に追加

本発明は、データの再書き込みが不可能な不揮発性半導体記憶装置において、誤動作により回路を構成する素子が破壊されるのを防止できるようにする。 - 特許庁

The NAND type flash memory element comprises a cell array area 100b composed of first, second cell blocks B1, B2, a row decoder 300b driving the cell array area 100b.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子は第１、第２セルブロックＢ１、Ｂ２から構成されたセルアレイ領域１００ｂと、セルアレイ領域１００ｂを駆動させるロウデコーダ３００ｂとを含む。 - 特許庁

After reading the information on the cartridge with a semiconductor memory element 8e installed on the mounted ink cartridge 8, whether the ink cartridge can be used is judged.例文帳に追加

装着されたインクカートリッジ８に搭載された半導体記憶素子８ｅよりカートリッジ情報が読み出され、当該インクカートリッジが使用可能か否かが判定される。 - 特許庁