「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

A microcomputer selects one out of a plurality of angle element values stored in a ROM (read only memory), on the basis of the signal value of the first analog signal and the signal value of the second analog signal.例文帳に追加

マイコンは、第１アナログ信号の信号値及び第２アナログ信号の信号値に基づいて、ＲＯＭに記憶した複数の角度要素値のうち一つの角度要素値を選定する。 - 特許庁

To prevent element deterioration during wire-bonding and to achieve high integration and an increase of memory by packaging semiconductor chips into one, while electrically connecting them.例文帳に追加

複数の半導体チップを電気的に接続した状態で１パッケージ化したもので、ワイヤーボンディング時の素子劣化を防止し、高集積化およびメモリー増量を達成するものである。 - 特許庁

When a user inputs installation conditions with an installation condition selecting operation element 54, corresponding sound correction characteristic parameters are read out from the memory 60 and set in equalizers 40 and 42.例文帳に追加

設置条件選択操作子５４でユーザが設置条件を入力すると、メモリ６０から該当する音響補正特性パラメータが読み出されて、イコライザ４０，４２に設定される。 - 特許庁

To disclose a method for manufacturing a flash memory element capable of improving a threshold voltage disturbance (Vtdisturbance) by reducing a stress applied to a cell by minimizing an interference phenomenon between gate lines.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン間の干渉現象を最小化し、セルに加えられるストレスを減らし、しきい値電圧障害(Vtdisturbance)を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を開示する。 - 特許庁

Thus, the control circuit or element 4 is ON-operated, a destruction circuit 2 and a capacitor 3 for destruction are connected and the memory data of a semiconductor integrated circuit 1 are destroyed by the destruction circuit 2.例文帳に追加

これにより、制御回路乃至素子４がオン動作し、破壊回路２と破壊用キャパシタ３が接続され、破壊回路２によって半導体集積回路１のメモリデータが破壊される。 - 特許庁

The memory element includes at least a first conductive layer 108, a silicon film 109 formed over the first conductive layer, and a second conductive layer 110 formed over the silicon film.例文帳に追加

メモリ素子は、第１の導電層１０８と、第１の導電層上に形成されたシリコン膜１０９と、シリコン膜上に形成された第２の導電層１１０と、を少なくとも有する。 - 特許庁

A control unit 70 reads out a projection brightness set value stored in a memory 73, and compares that with an actual brightness value which is processed by an imaging element control unit and an imaging signal processing unit 55.例文帳に追加

制御部７０は、メモリ７３内に記憶された投影輝度設定値を読み出して、撮像素子制御部及び撮像信号処理部５５が処理した実際の輝度値と比較する。 - 特許庁

While the focal position of a lens unit 121 is changing continuously, an image-taking element 123 does the shooting at multiple times to obtain multiple shot images, storing the images in an image memory 150.例文帳に追加

撮像素子１２３は、レンズユニット１２１のピント位置が連続的に変化している間、複数回の撮像をおこなって、複数枚の撮像画像を取得し、画像メモリ１５０に格納する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region.例文帳に追加

ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A comparator S6 compares the output of a picture element counter S4 with the set value of a W set storage register S5 and outputs a data write command to the FIFO type memory S3 when they are equal in comparison.例文帳に追加

比較器Ｓ６が画素カウンタＳ４の出力とＷ設定記憶レジスタＳ５の設定値を比較し、比較結果が等しければ、ＦＩＦＯ型メモリＳ３へのデータ書込みを指令する。 - 特許庁

To provide a novel electrochemical display element capable of achieving full color display having luminous white display, high rewriting speed and high memory properties with a simple member construction.例文帳に追加

明るい白表示、高い書換速度、かつ高いメモリー性を有するフルカラー表示を簡便な部材構成で実現することができる新規な電気化学的な表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device and a method for updating information in the device by which count data is updated speedily to a storage element such as a semiconductor memory.例文帳に追加

カウントデータを半導体メモリなどの記憶素子に対するカウントデータの更新を短時間で行うことができる画像形成装置および該装置における情報更新方法を提供する。 - 特許庁

The memory element is provided with a bottom electrode 12; a bit line 14 provided on the bottom electrode 12; and the recording layer 15 containing the phase changing material and connecting the bottom electrode 12 to the bit line 14.例文帳に追加

下部電極１２と、下部電極１２上に設けられたビット線１４と、相変化材料を含み、下部電極１２とビット線１４とを接続する記録層１５とを備える。 - 特許庁

When the element is applied to a magnetic memory cell which uses the magnetization array of the electrodes as recording information, reading-out output may be taken larger than in the prior art using a ferromagnetic tunnel effect.例文帳に追加

電極の磁化配列を記録情報とする磁気メモリセルに応用した場合、強磁性トンネル効果を用いた従来例に比べ、読み出し出力を大きく取ることが可能となる。 - 特許庁

The organic EL lighting system 10 includes: a target illuminance memory circuit 200; a photovoltaic voltage detection circuit 300; and a power supply circuit 400, and connected to an organic EL element 100.例文帳に追加

有機ＥＬ照明装置１０は、目標照度記憶回路２００と、光起電圧検出回路３００と、電源回路４００と、から構成され、有機ＥＬ素子１００に接続される。 - 特許庁

A bit memory circuit BM of the antifuse element set AFSET includes two antifuse elements AF which changes from an insulation state to a conductive state when a program voltage is applied.例文帳に追加

アンチヒューズ素子セットＡＦＳＥＴのビット記憶回路ＢＭは、プログラム電圧が印加されたときに絶縁状態から導通状態へ変化する２つのアンチヒューズ素子ＡＦを含む。 - 特許庁

The admittance of the sensing element of the oxygen sensor is sensed and stored in memory as the on-determination admittance AD (S101), and the determination value is set in accordance with the admittance AD.例文帳に追加

酸素センサの検出素子のアドミタンスを検出して判定時アドミタンスＡＤとして記憶するとともに（Ｓ１０１）、同判定時アドミタンスＡＤに応じて判定値を設定する。 - 特許庁

To prevent retained charge from being activated and escaping by impingement of external light against a charge retention part, in a nonvolatile memory element formed on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a proximity field light generating element which can be manufactured by using a simple process and is excellent in light usage efficiency, in a high density optical memory using proximity field light, and an optical head.例文帳に追加

近接場光を利用した高密度光メモリにおいて、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a flash memory which has excellent element characteristics such that inter-cell interference is suppressed by seamlessly filling gaps between adjacent word lines, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a controller of a camera for batch outputting of photographic information and batch transferring of the photographic information to a non-volatile memory element in real time without prolonging the intervals of continuous control.例文帳に追加

連続制御の間隔を延ばさずにリアルタイムに撮影情報を一括出力し、不揮発性記憶素子に撮影情報を一括転送するカメラの制御装置を提供する。 - 特許庁

Since the writing frequency of the memory element 80 becomes lower than the writing frequency of the EEPROM 9, both the reliability of data and the limit number of rewritable times can be satisfied.例文帳に追加

この結果、記憶素子８０への書込頻度は、ＥＥＰＲＯＭ９０への書込頻度と比べて低くなり、データの信頼性と書き込み許容回数の制限とを満足できる。 - 特許庁

A main memory 84 displays an operation guidance on a monitor device and also stores therein an operation guidance program which puts a light to each operation element of an input operation device by linking the program to the guidance.例文帳に追加

メインメモリ８４は、モニタ装置に操作ガイダンスを表示すると共にそのガイダンスにリンクさせて入力操作装置の各操作子を点灯する操作ガイダンスプログラムを記憶する。 - 特許庁

The purposes described above are achieved by recognizing a change in induction current when the locking device adequately fixes the portable memory element to the optimum position of the accepting port.例文帳に追加

本発明の目的は、ロック装置が受入ポートの最適位置に携帯型記憶素子を適切に固定したとき、誘導電流における変化を認識することによって達成される。 - 特許庁

A photoelectric conversion unit 22 consisting of a light-receiving element provided with a scanner function is provided in an LCD display unit 2, and a replaceable non-volatile memory 6 is employed as a recording medium.例文帳に追加

ＬＣＤ表示部２にスキャナ機能を備える受光素子で構成された光電変換部２２を設け、又記録媒体として交換可能な不揮発性メモリ６を採用する。 - 特許庁

To provide a transistor manufacturing method of a semiconductor memory element which can reduce the difficulty of a manufacturing process by restraining generation of void in formation of a low resistance gate electrode.例文帳に追加

低抵抗のゲート電極形成時にボイドの発生を抑制し、製造工程の難易度を減少させることができる半導体メモリ素子のトランジスタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device which suppresses the etching of an element isolation insulating film when an insulating film formed between a control gate and a floating gate is etched.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートとの間に形成される絶縁膜のエッチング時の素子分離絶縁膜のエッチングを抑制することができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

This shape memory bistable actuator is movably installed on a fixed support structure 2, and comprises an element 3 having a middle position called a dead point and two end positions.例文帳に追加

形状記憶の双安定アクチュエータは、固定された支持構造体2に移動可能に取り付けられて、死点という中間位置と二つの端部位置を有している要素3を含んでいる。 - 特許庁

To provide a flash memory element which can ensure a high coupling ratio between a floating gate and a control gate, and easily improve reliability; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートとコントロールゲート間の高いカップリング比を確保すると共に信頼性の向上をはかるのに容易なフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The digital data reproducing device 5 comprises a digital voice memory 61, a data converting means 62 and an analog data outputting element 55A in a basket 5A with which a tape deck 3 can be equipped.例文帳に追加

テープデッキ３に装着可能な筐体５Ａ内に、デジタル音声メモリ６１と、データ変換手段６２と、アナログデータ出力部５５Ａとを備えてデジタルデータ再生装置５を構成する。 - 特許庁

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁

The second capacitor 103 includes an electrode 107 which is included in the memory element 104 and an insulating film 113 and an electrode 111 which are formed over the electrode 107.例文帳に追加

第２の容量１０３は、メモリ素子１０４を構成する電極１０７ならびに電極１０７上に形成した絶縁膜１１３および電極１１１から構成される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory element which is made a high-speed one by minimizing the RC delay of a split word line, and whose size can be minimized.例文帳に追加

スプリットワードラインのＲＣ遅延を最小化して高速の素子とし、かつ素子のサイズを最小化することのできる不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A reader 1 includes a reader antenna 3 that forms a communication range 20 in which radio communication is achievable, and a memory 6 for storing a tag ID acquired by reading information of a radio tag circuit element To.例文帳に追加

リーダ１は、無線通信可能な通信範囲２０を形成するリーダアンテナ３、及び無線タグ回路素子Ｔｏの情報読み取りで取得したタグＩＤを記憶するメモリ６を備える。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

A high-output tunnel magnetoresistance effect element with a free layer having high-temperature stability applied thereto is equipped to a nonvolatile magnetic memory so as to apply a write system by spin transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To prevent electrical short circuit between the gate electrode of a circuit element having a one-layer gate structure and a substrate in a semiconductor memory having a two-layer gate structure and a one-layer gate structure.例文帳に追加

２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置において１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

To realize a memory integrated type display element capable of lighting optical modulation elements with the same luminous level even when variation is generated in characteristics of elements constituting pixels owning to manufacture variation or the like.例文帳に追加

製造バラツキなどによって、画素を構成する素子の特性にバラツキが発生したとしても、光学変調素子を同じ輝度レベルで点灯可能なメモリ一体型表示素子を実現する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which reduction of read-out margin of a resistance change element using a VREAD/2 bias system can be prevented, and to provide a method of reading out the same.例文帳に追加

ＶＲＥＡＤ／２バイアス方式を用いた抵抗変化素子の読み出しマージンの低下を防止することが可能な不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a target which can produce a target comprising a high melting point metallic element(s) without causing ignition, and to provide a method for producing a memory using the target.例文帳に追加

発火を生じることなく、高融点金属元素を含むターゲットを製造することができる、ターゲットの製造方法、並びに、このターゲットを使用したメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect detecting device that can detect a defect of low contrast having a small concentration difference with respect to a circumference, without using a memory and a computing element of a large data width.例文帳に追加

周囲との濃度差が小さい低コントラストの欠陥を、データ幅の大きなメモリ及び演算器を使用することなく検出することができる欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multicolor display element that has a high reflectance ratio (contrast) and excellent memory property and durability, and further allows a given color to be developed with a simple control.例文帳に追加

反射率（コントラスト）が高く、メモリー性及び耐久性の良好な表示素子であって、更には、簡便な制御で任意の色を発色させることの可能な多色の表示素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which correction of image data through detection of anode voltage of each pixel for compensating deterioration of luminance of a light-emitting element requires a memory for storing correction data of all pixels and a correction circuit.例文帳に追加

発光素子の輝度低下を補償するために、各画素のアノード電圧を検出して画像データを補正すると、全画素の補正データを記憶するメモリと補正回路が必要となる。 - 特許庁

A plurality of memory cells arranged in the line direction are separated from each other by an element separation groove 3 having a long and thin, belt-shaped planar shape that extends in the column direction.例文帳に追加

行方向に沿って配置された複数のメモリセルは、列方向に延在する細長い帯状の平面形状を有する素子分離溝３によって互いに分離されている。 - 特許庁

To provide a memory element which can prevent an occurrence of an error at the time of repeated usage by using a different input/output line in read/write operation and altering structure of an input/output multiplexer.例文帳に追加

読み出し/書き込み動作時に異なる入出力ラインを使用し、入出力マルチプレクサの構造を変更してリピータ使用時のエラーの発生を防止できるメモリ素子を提供すること。 - 特許庁