「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display device that can compensate changes in a capacitance value of an electro-optic element associated with changes in an application voltage to the electro-optic device without providing a frame memory.例文帳に追加

フレームメモリを備えることなく、電気光学素子への印加電圧の変化に伴う電気光学素子の容量値の変化を補償することのできる表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor type ferroelectric nonvolatile memory element, having an MFMIS(metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor) structure, which can be integrated to high density.例文帳に追加

高密度に集積できるＭＦＭＩＳ（金属−強誘電体−金属−絶縁体−半導体）構造を有するトランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

To effectively suppress temperature rise of a module substrate in a semiconductor device having a mounting substrate in which the module substrate provided with an electronic component such as a memory element is mounted on a socket.例文帳に追加

メモリ素子等の電子部品が配設されたモジュール基板をソケット上に搭載する実装基板を有する半導体装置において、モジュール基板の温度上昇を効果的に抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing power consumption and reducing switch malfunctions using a carbon nanotube as a variable resistive element.例文帳に追加

カーボンナノチューブを可変抵抗素子として用い消費電力の抑制とスイッチの誤作動の低減を両立した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To operate a valve by heating while carrying a current from the outside in a noncontact manner by electromagnetic induction, which valve mechanism uses a memory shape alloy element for medical or industrial use.例文帳に追加

医療用又は工業用に用いられる形状記憶合金素子を用いたバルブ機構において、外部から電磁誘導により非接触的に通電加熱しバルブを操作すること。 - 特許庁

The sheath 3 is disposed, in order to alternatively allow electrical actuation through the shape memory cable 2 so as to manually operate a control mechanism for functioning as a transmission element.例文帳に追加

さや3は、伝達要素の役割をして機能する、制御メカニズムの手動操作が可能であるように、代わりに形状記憶ケーブル2を通じた電気的な作動が可能なように配置されている。 - 特許庁

PHOTOSENSITIZING TYPE COMPOSITE MATERIAL AND THREE-DIMENSIONAL MEMORY MATERIAL AND RECORDING MEDIUM, OPTICAL CONTROL MATERIAL AND ELEMENT, PHOTOCURING MATERIAL AND OPTICAL MODELING SYSTEM, FLUORESCENCE MATERIAL FOR MULTIPHOTON FLUORESCENCE MICROSCOPE, AND DEVICE例文帳に追加

光増感型複合材料及び三次元メモリ材料と記録媒体、光制限材料と素子、光硬化材料と光造形システム、多光子蛍光顕微鏡用蛍光材料と装置 - 特許庁

The battery outer sheath material surrounding the battery element outer sheath material is provided with the shape memory polymer layer, and the metal oxide related to the elements such as silicon, aluminum, and titanium.例文帳に追加

電池素子外装材を包囲する電池外装材を有し、この外装材が、形状維持ポリマー層と、ケイ素、アルミニウム及びチタンなどの元素に係る金属酸化物と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element having a column redundancy structure allowing to minimize a chip area increase even when a plurality of column selection lines are enabled for one column address.例文帳に追加

一つのコラムアドレスに対して複数のコラム選択ラインがイネーブルされる場合にも、チップ面積増大を最小化できるコラムリダンダンシー構造を有する半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

PRECURSOR SOLUTION, ITS PRODUCING METHOD, PZTN MULTIPLE OXIDE, ITS PRODUCING METHOD, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INKJET PRINTER, FERROELECTRIC CAPACITOR, AND FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

前駆体溶液、前駆体溶液の製造方法、ＰＺＴＮ複合酸化物、ＰＺＴＮ複合酸化物の製造方法、圧電素子、インクジェットプリンタ、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ - 特許庁

To obtain a memory element having high affinity with a converntional semiconductor process, having a switching function for completely mechanically disconnecting an electric conduction path and enabling non-volatile information recording.例文帳に追加

従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。 - 特許庁

By changing the program configurating from the memory element 21 to the FPGA 12 to flexible, the device body A is operated in a hardware constitution proper for testing devices B to be measured.例文帳に追加

記憶素子２１からＦＰＧＡ１２にコンフィギュレーションするプログラムをフレキシブルに変更することで、装置本体Ａを被測定デバイスＢの検査に適したハード構成にて動作させる。 - 特許庁

To obtain high yield and high reliability of a contact portion for applying a potential to an upper electrode of a semiconductor memory device having a capacitance element with a three-dimensional structure.例文帳に追加

立体構造を持つ容量素子を有する半導体記憶装置において、上部電極に電位を与えるコンタクト部に高い歩留まりと高い信頼性とを得られるようにする。 - 特許庁

To provide a recording apparatus wherein data can be recorded in real time in a logical format including an information element requiring prediction in the future without needing packaging of a large scale memory.例文帳に追加

大規模メモリの実装を必要とすることなく、“将来予測を要する情報要素”を含む論理フォーマットで、リアルタイムにデータを記録してゆくことができる、記録装置を提供する。 - 特許庁

In the memory element, a lower electrode 3 is formed on a substrate 4, a variable resistive film 2 is formed on the lower electrode 3, and an upper electrode 1 is formed on the variable resistive film 2.例文帳に追加

記憶素子では、基板４上に下部電極３が形成され、下部電極３上に可変抵抗膜２が形成され、可変抵抗膜２上に上部電極１が形成される。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１０では、第１の幅Ｗ１を有する活性領域１２が、半導体基板１１の主面に形成された素子分離層１３で分離されている。 - 特許庁

To provide a method for erasing information stored in a flash memory element by which erasing operations can be performed in a byte unit by performing erasure by using a hot hole injecting method.例文帳に追加

ホットホール注入方法を用いて消去を行なうことにより、バイト単位で消去動作を行なうことができるフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the semiconductor memory 31 and the semiconductor switching element 32 is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加

半導体記憶素子３１，半導体スイッチング素子３２はそれぞれ、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタからなる。 - 特許庁

The loading device comprises an adjusting mechanism which positions the memory element and facilitates communication exchange with the tape handling device after it is loaded on the tape cartridge housing.例文帳に追加

この発明の１つの局面では、装着装置は、テープカートリッジハウジングへの装着後、メモリエレメントの位置づけをしてテープ取扱装置との通信交換を容易にするための調整機構も含む。 - 特許庁

By interposing a ferroelectric film between a gate electrode and an insulator, and by using the ferroelectric film to connect source and drain electrodes with each other, the ferroelectric memory element is obtained.例文帳に追加

ゲート電極と絶縁体との間に強誘電体膜を配置し、前記強誘電体膜を用いてソース電極とドレイン電極とを相互に接続した強誘電体メモリ素子とする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage element having a sectional structure having a polysilicon layer as a single layer contains mutually insulated and isolated memory cell section (a), data erasing section (b) and control gate section (c).例文帳に追加

単層のポリシリコン層を有する断面構造を有する不揮発性半導体記憶素子は、互いに絶縁分離されるメモリセル部ａ、データ消去部ｂ、及びコントロールゲート部ｃを含む。 - 特許庁

The ink usage amount is stored in a memory element 90 attached on an ink cartridge so that discount is provided according to the ink usage amount in the case the user takes the ink cartridge to a shop.例文帳に追加

インク使用量はインクカートリッジに取りつけられた記憶素子９０に記憶され、ユーザがインクカートリッジを販売店に持参すると、インク使用量に応じて割引が受けられる。 - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

In a memory of a computing element which finds the load in accordance with the detection signal from each of the sensors 16c, 16d, data is recorded which shows the relationship between the detection signal and the load.例文帳に追加

上記センサ１６ｃ、１６ｄの検出信号に基づいて上記荷重を求める演算器のメモリ中に、これら検出信号と荷重との関係を表すデータを記録する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance storage device including a program element capable of being manufactured concurrently in a manufacturing process of an MTJ memory cell without the need of an exclusive manufacturing process.例文帳に追加

専用の製造工程を必要とせずＭＴＪメモリセルの製造工程で並行して作製可能なプログラム素子を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

A level shifting element (PQ10) for adjusting a voltage level of a word line (WL) at the time of being selected according to the change in a threshold voltage of a memory cell transistor is provided correspondingly to each of the word lines.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するレベルシフト素子（ＰＱ１０）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁

And by utilizing such a thing as this, a photosensor, an actinometer, a memory device getting the first light as an input and an element which gets the first light as an input and outputs the second light are obtained.例文帳に追加

そしてこのことを利用し、光センサー、光量計、第１の光を入力とするメモリ装置、第１の光を入力とし第２の光を出力する素子、を実現する。 - 特許庁

As a result, the height position of the terminal 25 of each memory element 25 of the large and small size tape cartridges C1 and C2 is set to the positions in the same size from the center position X of the running tape.例文帳に追加

かくして、大型・小型の両テープカートリッジＣ１・Ｃ２の各々のメモリ素子２５の端子部２６の高さ位置は、テープ走行中心位置Ｘから同一寸法の位置に設定する。 - 特許庁

A shape memory means 5 is installed to move the movable element 3 from either of the end positions against the action of the spring means 7 until it passes over at least the dead point.例文帳に追加

形状記憶手段5は、少なくとも死点位置を越えるまで、ばね手段7の作用に抗していずれかの端部位置から可動要素3を移動させるために設けられている。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element by which power consumption required for the phase transformation of a phase transformation film is minimized by minimizing a contact area of a current impression part brought into contact with the phase transformation film.例文帳に追加

相変化膜と接触する電流印加部の接触面積を最小化して、相変化膜の相変化に必要な消費電力を最小化できる相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a device which can perform a power amplifying function even when erroneously operated by a bug in software or by a fault in a memory element, with an increased resistance against error and an increased reliability.例文帳に追加

ソフトウエアによるバグ、記憶素子の故障による誤動作が生じた場合でも、電力増幅器としての機能を果たし、障害に対する耐性、信頼性を向上する装置の提供。 - 特許庁

The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.例文帳に追加

第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁

To provide a signal transmission device for a semiconductor memory element, in which signal transmission delay difference, generated due to the difference in distance from a control signal generating section, can be reduced.例文帳に追加

制御信号発生部からの距離の差に応じて発生する信号伝達遅延差を低減することができる半導体メモリ素子の信号伝達制御装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor storage apparatus includes memory cell arrays in which a rectifying element and a variable resistance element are connected in series are arranged at cross parts of a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, and a control circuit controlling charging to the first wiring.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなるメモリセルが複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置されたメモリセルアレイと、第１配線への充電を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

Mounting of a replaceable recording head and a replaceable ink tank including an electric element, e.g. a memory, on the recorder is detected electrically and power is supplied to the recording head or the electric element of the ink tank according to the detection results.例文帳に追加

交換可能な記録ヘッドと、メモリなどの電気素子を含む、交換可能なインクタンクの記録装置に対する装着を電気的に検出し、その検出結果に従って、前記記録ヘッドやインクタンクの電気素子に対して電源供給を行なうよう制御する。 - 特許庁

Since it can be employed as a channel region of a semiconductor element or a TFT, a highly reliable semiconductor element and a TFT exhibiting a high field effect mobility can be fabricated while suppressing variation in characteristics resulting in a highly reliable semiconductor memory capable of high speed operation.例文帳に追加

その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びＴＦＴを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

Further, a second gas species specifying part 53 discriminates the gas species of the reducing gas by comparing the output voltage V of the sensor element 10 stored in an atmospheric output voltage memory part 52 with the output voltage V of the sensor element 10 accompanying the temperature change of the heater coil 12.例文帳に追加

また、第２ガス種特定部５３は、大気中出力電圧記憶部５２に記憶されたセンサ素子１０の出力電圧Ｖと、ヒータコイル１２の温度変化に伴うセンサ素子１０の出力電圧Ｖとを比較して還元性ガスのガス種を識別する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of improving the reliability of the element by preventing source/drain selection transistors from being exposed when forming source/drain contacts and preventing a short circuit when subsequently forming plugs.例文帳に追加

ソース／ドレインコンタクトの形成に当たり、ソース／ドレイン選択トランジスタが露出することを防止して後続するプラグの形成時に短絡現象を防止することができ、素子の信頼性を向上させることが可能イなフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic field H1 in the direction of a hard axis and a magnetic field H2 in the direction of an easy axis are simultaneously acted on a TMR (Tunneling Magneto-Resistive) element 1 having an ideal asteroid curve (broken line), by which the magnetization direction of the memory layer of the TMR element 1 can be inverted.例文帳に追加

理想的なアステロイド曲線（破線）を有するＴＭＲ素子に対して、困難軸方向の磁界Ｈ１と容易軸方向の磁界Ｈ２とを同時に作用させることにより、ＴＭＲ素子の記憶層の磁化方向を反転させることができるものとする。 - 特許庁

A storage device 11, which is composed of a nonvolatile memory such as MRAM, stores the value of the number of stages of the delay element, and an abnormality detection part 10 detects a clock abnormality based on the number of stages of the delay element in each integrated circuit 101.例文帳に追加

記憶装置１１は、ＭＲＡＭ等の不揮発性メモリにより構成され、各集積回路毎に、遅延素子の段数の値を記憶し、異常検出部１０は、各集積回路１０１における遅延素子の段数に基づいてクロック異常を検出する。 - 特許庁

To attain a speed increase of a sensing period and a capacity enlargement in fuse macro of an OTP memory for storing data so as to be nonvolatile by applying a high voltage to a MOS structured e-Fuse element and destroying an insulation film of this element.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ構造のｅ−Ｆｕｓｅ素子に高電圧を印加し、その素子の絶縁膜を破壊することによりデータを不揮発に記憶するＯＴＰメモリのヒューズマクロにおいて、センス時間の高速化および大容量化を達成できるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having proper magnetic characteristics and a magnetic memory device, provided with the magnetoresistive effect element and securing a while margin for a selective recording, by suppressing repeated variations of turnover magnetic field of a free of magnetizing layer.例文帳に追加

磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprising the steps of forming a control gate electrode of non-volatile memory, wiring, and the polycrystalline silicon thin film resistive element with a relatively thin polycrystalline silicon film and performing a highly doped implantation for forming an ESD protective element on a control gate wiring also.例文帳に追加

不揮発性メモリのコントロールゲート電極と配線、多結晶シリコン薄膜抵抗素子を比較的薄い多結晶シリコン膜で形成し、ＥＳＤ保護素子形成のための高濃度不純物注入をコントロールゲート配線にも行うことを特徴とする製造方法。 - 特許庁

The pixel data converted into digital data are stored in the memory 22, and averaging processing is applied to the two adjacent pixels in the main scanning direction, on the basis of the pixel data read by a 1st photoelectric conversion element array and the pixel data read by a 2nd photoelectric transfer element array.例文帳に追加

デジタルに変換された画素データはメモリ２２に格納され、第１の光電変換素子列により読取った画素データと、第２の光電変換素子列により読取った画素データとによって主走査方向に隣接する２画素間で平均化処理が施される。 - 特許庁

A correlation queue computing element 303 calculates an initial value P (0) of a correlation queue from reception response vectors RV1 and RV2, and an initial weight computing element 304 calculates weight vector initial W (0)=P (0)-1 RV1, and these values are stored in an initial value memory 309, respectively.例文帳に追加

相関行列演算器３０３は、受信応答ベクトルＲＶ１とＲＶ２から相関行列の初期値Ｐ（０）を算出し、初期ウエイト演算器３０４は、ウエイトベクトル初期Ｗ（０）＝Ｐ（０）^-1ＲＶ１を算出し、それぞれ初期値メモリ３０９に格納する。 - 特許庁