「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

Despite a resistive state of a variable resistive element of a memory cell to be rewritten (an erasing and writing operation), an erasing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element a lowest erasure state is applied thereto.例文帳に追加

書き換え動作（消去および書き込み動作）対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。 - 特許庁

A memory 50 is storing inclination information of a line head and a delay circuit 40 sets the delay time for each light emitting element array depending on the inclination information, i.e. the inclination of a light emitting element line against the main scanning direction.例文帳に追加

モリ５０にはラインヘッドの傾斜情報を記憶しており、遅延回路４０は傾斜情報、すなわち発光素子ラインの主走査方向に対する傾斜の度合いに応じて、各発光素子列に対する遅延時間の大きさを設定する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolating film of a semiconductor device that suppresses the occurrence of a void owing to the degradation of the embedding characteristic of an element isolating film, suppresses too much a loss of a pad film, simplifies processes, and prevents interference between adjoining memory cells.例文帳に追加

素子分離膜の埋め込み特性の劣化によるボイドの発生を抑制し、パッド膜の過度な損失を抑制し、工程を単純化し、隣接するメモリセル同士の干渉を防止する半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the necessity of changing the operation timing of a main amplifier MAMP and the relieving storage element SC according to the position of a memory block is eliminated, and the number of elements necessary for connection to the relieving storage element SC is limited to a minimum.例文帳に追加

これにより、メモリブロックの位置に応じてメインアンプＭＡＭＰと救済用記憶素子ＳＣの動作タイミングを変更する必要がなくなるとともに、救済用記憶素子ＳＣに接続するために必要な素子数を最小限とすることができる。 - 特許庁

The IC card for describing record information such as personal information and having an optical change element image on a side of the front surface, stores characteristic information of the optical change element image together with the record information of such as the personal information in a memory inside.例文帳に追加

表面側に個人情報などの記録情報を記載し、かつ光学変化素子像を有するＩＣカードにおいて、個人情報などの記録情報とともに、前記光学変化素子像の特性情報を内部のメモリに記憶した。 - 特許庁

To suppress an increase in chip area and to set the capacity of a capacitive element precisely and also to reduce the number of manufacturing processes, in a semiconductor device such as a flash memory having a capacitive element which is used in a charge pump circuit or the like.例文帳に追加

チャージポンプ回路などに用いられる容量素子を有するフラッシュメモリなどの半導体装置において、チップ面積の増加が抑えられるとともに、容量素子の容量を高精度に設定でき、かつ、製造工程を削減できるようにする。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes the liquid crystal display element and liquid crystal drive circuit, wherein the liquid crystal drive circuit is mounted on one side of a liquid crystal panel and an FPC mounted with a rewritable memory element is connected to the liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示素子と、液晶駆動回路とを備える液晶表示装置であって、液晶駆動回路は液晶表示パネルの１辺に実装され、書換可能なメモリ素子が搭載されたＦＰＣが液晶表示パネルに接続される。 - 特許庁

To correct misalignments, if any, of the light flux inputted to a spatial optical modulator element in an optical information recording device such as a hologram memory system using a spatial optical modulator element having an area to modulate the information light.例文帳に追加

情報光を変調する領域を有する空間光変調素子を用いたホログラムメモリシステムなどの光情報記録装置において、空間光変調素子に入射する光束にずれが生じる場合であっても、そのずれを補正できるようにする。 - 特許庁

An operation element group 5 consists of a start switch which is operated to start the automatic accompaniment, switches for setting chord data for chord parts and chord data for the base part, etc., and a memory 6 for chord progression is stored with chord progression data inputted from the operation element group 5.例文帳に追加

操作子群５は、自動伴奏を開始する際に操作されるスタートスイッチや、コードパート用のコードデータとベースパート用のコードデータを設定するスイッチ等からなり、コード進行用メモリ６に操作子群５から入力したコード進行データが記憶される。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which includes a magnetoresistance effect element using a spin injection magnetization reversal mechanism and can prevent malfunction due to leaked magnetic field of wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a request to access to a defective memory cell is made, write data are supplied to the repair memory element SC from the write amplifier WAMP through the bit line MIO by turning on the switch SW2 in write operation, and data read out from the repair memory element SC are supplied to the read amplifier RAMP without using the bit line MIO by turning off the switch SW1 and turning on the switch SW3 in read operation.例文帳に追加

不良メモリセルへのアクセスが要求された場合、ライト動作時においては、スイッチＳＷ２をオンすることによりライトアンプＷＡＭＰからビット線ＭＩＯを介して救済記憶素子ＳＣにライトデータを供給し、リード動作時においては、スイッチＳＷ１をオフしスイッチＳＷ３をオンすることにより、救済記憶素子ＳＣから読み出されたリードデータをビット線ＭＩＯを介することなくリードアンプＲＡＭＰに供給する。 - 特許庁

Supply of a current required for writing for a phase change memory element of a memory cell can be performed in the writing circuit 2 by making a voltage level of the power source (Vwrite) of the writing device higher voltage(Vwrite>VDD) than a voltage level of the power source (VDD).例文帳に追加

そして、書き込み装置の電源（Ｖｗｒｉｔｅ）の電圧レベルを、電源（ＶＤＤ）の電圧レベルよりも高電圧とすることで（Ｖｗｒｉｔｅ＞ＶＤＤ）、書き込み回路２においてメモリセルの相変化記憶素子への書き込みに必要な電流の供給を可能とする。 - 特許庁

Data can be reproduced by scanning an arrangement of element holograms recorded, for example, in a sheet type hologram recording medium by a reproducing device equipped with an imaging means, an information memory means, a correction variable computing means, a variable memory means, and a signal processing means.例文帳に追加

撮像手段、情報用メモリ手段、補正変数算出手段、変数用メモリ手段、信号処理手段を備えた再生装置により、例えばシート状のホログラム記録媒体に記録された要素ホログラム配列をスキャンし、データ再生することを可能とする。 - 特許庁

To provide an organic memory element improved in operating characteristics, short in switching time, low in operating voltage, low in production cost, high in reliability, simplified in production process, enabling low-temperature treatment of its own, and applicable in producing flexible memory devices as well.例文帳に追加

有機メモリ素子の動作特性を向上させ、スイッチング時間が短く、動作電圧も低く、製造費用が低廉し、信頼性に優れ、製造工程を簡単化でき、低温処理が可能となり、フレキシブルメモリ素子の製造の際にも適用可能な有機メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a layout of a word activation block which expands the flexibility of the layout of a peripheral element region surrounding a memory cell array, and provide an internal pattern layout of a semiconductor memory device capable of wiring for a word active signal without increasing the chip size.例文帳に追加

メモリセルアレイ周辺の周辺素子領域の配置の自由度を広げるワード活性化ブロックの配置を提供することと、チップサイズを大きくすることなく、ワード活性信号の配線を行なうことのできる半導体メモリ装置の内部パターン配置を提供すること。 - 特許庁

To actualize a nonvolatile semiconductor memory element having a cell structure of one layer of polysilicon which is manufactured using a standard CMOS process, and to provide a nonvolatile semiconductor memory device which is reduced in mounting area by efficient arrangement and improved in reliability of storage maintenance.例文帳に追加

標準ＣＭＯＳプロセスを用いて製造できる１層ポリシリコンのセル構造の半導体メモリ素子を実現すると共に、効率的な配置により実装面積を小さくし、記憶保持の信頼性を向上させた不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To record and read all information data optically at high speeds without converting the data into electric signals and to read and write information data recorded in a memory with currents so as to improve the speed of a high-speed nonvolatile optical memory element.例文帳に追加

高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子のスピードを向上させるため、情報データは、電気信号に変換することなく、すべて光学的に高速で記録され読み出され、又メモリに記録されている情報データを、電流により、読み書きすることである。 - 特許庁

To reduce a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read consisting of a variable resistance element storing ternary or more multi-value information, and to improve the readout margin, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、３値以上の多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読み出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を低減し、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

When an image capture request arrives while a memory card 27 continuously records sound picked up by a microphone 9, an image from an imaging element 22 is captured and recorded on the memory card 27 and also a synchronizing signal denoting a timing when the image is recorded is recorded.例文帳に追加

マイクロホン９でから入力された音声を連続的にメモリカード２７に記録している間に、画像のキャプチャー要求があったら、撮像素子２２からの画像を取り込み、メモリカード２７に記録すると共に、画像を記録したタイミングを示す同期信号を記録する。 - 特許庁

The temperature-sensitive element comprises a shape memory alloy 2 mainly containing an Ni-Ti-based alloy having an Ni composition of 49.0 at% to 52.0 at% and a resistor heating line such as a nichrome line 3, which are integrally combined and formed into a shape memory alloy spring 1.例文帳に追加

Ｎｉの組成が４９.０ａｔ％ないし５２.０ａｔ％を有するＮi−Ｔi系合金を主成分とする形状記憶合金２と、ニクロム線３等の抵抗加熱用線が、一体に複合され、形状記憶合金ばね１に形成された感温素子である。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device wherein a clad structure can be easily and accurately formed so that a line of magnetic force is concentrated in the periphery of a bit line connected electrically with a memory element, especially the upper side thereof, and a memory can be reduced in size, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

記憶素子と電気的に接続されたビット線の周囲、特にその上面に磁力線集中のためのクラッド構造を容易かつ精度良く形成でき、メモリ部のサイズの縮小も可能な磁気記憶装置と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

A changeover switch 125 is controlled and switched with a control signal c2, an error signal outputted by a digital computing element 123 at the end of the former half of a training period is stored in a memory 126, and an error signal at the end of the training period is stored in a memory 127.例文帳に追加

制御信号ｃ２にて切替スイッチ１２５を制御し、切替え、ディジタル減算器１２３から出力されたトレーニング期間の前半終了時の誤差信号をメモリ１２６に記憶させ、トレーニング期間の終了時の誤差信号をメモリ１２７に記憶させる。 - 特許庁

As current values (I1+I2) and (I3+I4) flowing from respective data line to a load element are the same at any time, potential difference between data lines is amplified by time accumulation of difference of a current value of a selection memory cell and a current value of a memory cell for reference.例文帳に追加

それぞれのデータ線から負荷素子へ流れる電流値（Ｉ１＋Ｉ２）と（Ｉ３＋Ｉ４）は、どの時点でも同じになるので、データ線対間の電位差は選択メモリセルの電流値と参照用メモリセルの電流値の差分の時間累積によって増幅される。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize high speed data reading by reducing the current extraction time even when the pre-charged potential becomes high for the data line in a nonvolatile semiconductor memory which reads the data by extracting electric current from the data line through a memory element.例文帳に追加

メモリ素子を介したデータ線からの電流の引き抜きによりリードデータの読み出しを行う半導体不揮発性メモリにおいて、データ線のプリチャージ電位が高電位になった場合でも電流の引抜き期間を短くしてデータリード処理の高速化を図ることにある。 - 特許庁

A digital camera 10 transfers signal electric charges with each color attribute stored in a light receiving element 160 in a solid-state imaging device 16c up to a line memory 162, and a horizontal transfer register 164 mixes the signal electric charges in the same color read from the memory 162 in a horizontal direction to interleave the electric charges in the horizontal direction.例文帳に追加

ディジタルカメラ10は、固体撮像素子16cにおいて受光素子160に蓄積した各色属性の信号電荷をラインメモリ162まで転送し、メモリ162から読み出した信号電荷を水平転送レジスタ164で同色同士水平混合を行して水平間引きする。 - 特許庁

By arranging between the column line and the row line of a two-dimensional cross point diode memory array, a sheet-like anisotropic semiconductor material comprises a small molecule organic compound, that acts as a fuse diode memory element for each lattice point of an array.例文帳に追加

２次元クロスポイントダイオードメモリアレイの行線と列線との間に配置されることにより、アレイの各格子点に対しヒューズ・ダイオードメモリ素子としての役割を果たす、小型分子有機化合物を含むシート状の異方性の半導体材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element to reduce a capacitance of a parasitic capacitor formed between the neighboring bit lines for enabling an operation speed of semiconductor memory device to be improved and to suppress a generation of a void in a contact plug, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

互いに隣接するビットライン間に形成される寄生キャパシタの容量を減少させてフラッシュメモリ素子の動作速度を改善すると共にコンタクトプラグにボイドが発生する現象を改善する半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory using a perpendicular magnetization film in which an integration degree is not lowered by revising a sectional shape of a write line so that an area of a memory cell is not increased, and efficiently generating a magnetic field in a magnetoresistance element made of the perpendicular magnetization film.例文帳に追加

書込み線の断面形状をメモリセル面積が大きくならないように改良し、効率的に磁界を垂直磁化膜からなる磁気抵抗素子に発生させることによって、集積度を落とさない垂直磁化膜を用いた磁気抵抗メモリを提供する。 - 特許庁

The moving image processing method processes a syntax element with high appearance frequency by using a probability state variable held in a second memory 13 with small access latency and processes other syntax elements by using a probability state variable held in a first memory 12 with large access latency.例文帳に追加

本発明は、アクセスレイテンシの小さな第２のメモリ１３に保持した確率状態変数を用いて出現頻度の高いシンタックスエレメントを処理し、アクセスレイテンシの大きな第１のメモリ１２に保持した確率状態変数を用いて他のシンタックスエレメントを処理する。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory cells, sense amplifiers to amplify the voltages read from the memory cells, a control circuit to divide the sense amplifier into groups to drive sequentially when an auto-refresh command is inputted, and a capacitive element group forming a capacitor to drive one of the groups.例文帳に追加

複数のメモりセルと、前記複数のメモリセルから読み出した電圧を増幅する複数のセンスアンプと、オートリフレッシュコマンドが入力された時に、駆動対象となるセンスアンプを複数のグループに分割し、順次駆動を行う制御回路と、前記分割されたグループの一つの駆動を可能とする容量を形成する容量素子群と、を有する。 - 特許庁

The card type portable apparatus comprises a card type substrate; a nonvolatile memory provided on the substrate; an indicating portion provided on the substrate, and indicating the contents of the nonvolatile memory; and a piezoelectric element portion provided on the substrate, generating electric power when pressure is applied in a thickness direction of the substrate, and supplying the electric power to the nonvolatile memory and the indicating portion.例文帳に追加

カード型携帯機器は、カード型の基板と、基板に設けられる不揮発性メモリと、基板に設けられ不揮発性メモリの内容を表示する表示部と、基板に設けられ基板の厚み方向に圧力が印加されると電力を生成し不揮発性メモリと表示部とに電力を供給する圧電素子部を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The LCD driver (liquid crystal display drive device) IC chip 10 includes an input circuit 11 to which data is inputted, a RAM (Random Access Memory) 12 as a memory section, a logic circuit 13 as a data processing section, an internal semiconductor element circuit constituted in such a manner that the output circuit 14 etc., including a latch circuit and producing signal output are correlated.例文帳に追加

ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with a control element 22 which accesses an application management table in a data memory 23, specifies unstored areas in the data memory 23 and stores the data preferentially in the area of the largest capacity of unused area, when application data selected and transmitted by a host computer is loaded and stored in a data memory 23.例文帳に追加

ホストコンピュータが選択し送信したアプリケーションデータをデータメモリ２３にロードして記憶する際に、データメモリ２３中のアプリケーション管理テーブルにアクセスし、データメモリ２３内の未記憶領域を特定し、未記憶領域のうち最大容量の領域に対して優先的にデータを記憶する制御素子２２を具備する電子機器を以って課題の解決に当たる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a high output and a good sensitivity to an external magnetic field, and to provide a magnetic head, magnetic storage device, and magnetic memory device using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In the performance of index print associated with a plurality of images stored in a memory card, each index image 7 is arranged in an index print part 56 arranges in the same manner as a light emitting element 10 is arranged.例文帳に追加

メモリカードに格納されている複数の画像についてインデックスプリントする際に、インデックスプリント部５６が各インデックス画像７を発光素子１０の配置と同じように配置する。 - 特許庁

In first operation for changing a resistance value of the resistance change element RW from a first resistance value to a second resistance value lower than the first resistance value, a first voltage pulse is applied to a memory cell MC.例文帳に追加

抵抗変化素子ＲＷを第１の抵抗値からそれよりも低い第２の抵抗値に変化させる第１の動作において、メモリセルＭＣに第１の電圧パルスを印加する。 - 特許庁

To provide a wiring structure which assures planarity on a front surface even if an air gap occurs in a vertical connection layer of high aspect ratio, and also to provide a memory element and its fabrication method.例文帳に追加

アスペクト比の高い縦接続層において空隙が発生しても、表面での平坦性を確保することができる配線構造、記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Before a trench of an STI 305 is embedded with an insulator, a bird's beak oxide film 310 in the upper end of an element region of a peripheral circuit is formed more large than that of a memory cell.例文帳に追加

ＳＴＩの溝（３０５）を絶縁物で埋め込む前に、周辺回路部の素子領域上端部のバーズビーク酸化膜（３１０）を、メモリセル部のそれよりも大きく形成する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element of low resistance value and high current density which is required for a magnetic head and magnetic memory by forming a tunnel barrier layer of high quality under good control.例文帳に追加

高品質のトンネルバリア層を制御良く形成することによって、磁気ヘッドや磁気メモリに必要な低抵抗値及び高電流密度の強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁

In this memory element, because one phase pit is arranged in the center, the number of division of a light receiving surface of an optical detector required for informational reproduction (the number of the light receiving surfaces) can be made with six.例文帳に追加

また、本メモリ素子では、１つの位相ピットを中央に配置しているため、情報の再生に必要な光検出器の受光面の分割数（部分受光面数）を、６つとできる。 - 特許庁

The memory element has a first conductive layer for composing the bit line, a second conductive layer for composing the word line, and the composite layer hardened by an optical action.例文帳に追加

記憶素子は、ビット線を構成する第１の導電層と、ワード線を構成する第２の導電層と、光学的作用により硬化する組成物層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a point contact to obtain a high magnetoresistive effect, and to provide its manufacturing method, a magnetic memory, a magnetic head, and a magnetic recorder.例文帳に追加

高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The data are transferred between the element processors 3 adjacent to each other via a memory part 6 where an independent access is possible, so that both processors 3 never impede their internal processes with each other.例文帳に追加

隣接要素プロセッサ３間のデータ授受は各要素プロセッサ３が互いに隣接する要素プロセッサ３内の処理を阻害しないように、独立アクセス可能なメモリ部６を介して行う。 - 特許庁

The element 142 (diagram 2) performs a prescribed neighborhood operation by using the N-th, (N-1)-th and (N-2)-th row image data, and the operated image data K(N-1) are written in the memory 15.例文帳に追加

近傍演算器142(図２)は入力されたN行目、(N-1)行目および(N-2)行目の画像データを用いて所定の近傍演算を行い、演算後の画像データＫ(N-1)がメモリ15に書き込まれる。 - 特許庁