「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory cell 2 is provided at the position where the bit line pair 4/5 intersect the word line 3 and includes a first transistor (first Tr) 6, a second transistor (second Tr) 16 and a magnetic resistance element 7.例文帳に追加

メモリセル２は、ビット線対４・５とワード線３とが交差する位置に設けられ、第１トランジスタ（第１Ｔｒ）６と第２トランジスタ（第２Ｔｒ）１６と磁気抵抗素子７とを含む。 - 特許庁

A magnetic thin film memory comprises means for controlling the level of a current required for writing information stepwise, and a temperature sensor sensing the temperature of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

また、情報の書き込みに要する電流値を段階的に制御する手段と、磁気抵抗効果素子の温度を感知する温度センサを備えた磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

The detected output 8P and the detected output 8S of the s-polarized component stored in the buffer memory 52 are compared with each other for every two-dimensional picture element (bits) to detect the presence or absence of an error.例文帳に追加

その検出出力８Ｐとバッファメモリ５２に蓄えられたｓ偏光成分の検出出力８Ｓとを２次元データの画素（ビット）ごとに比較してエラーの有無を検出する。 - 特許庁

To provide a method for preventing change in resistance value of iron oxide by unintended heat treatment in manufacturing a resistance-variable memory element using iron oxide.例文帳に追加

鉄酸化物を使った抵抗変化型メモリの製造過程において、プロセス中に意図的でない熱処理によって鉄酸化物の抵抗値が変化するのを防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

Fluorine is injected to a nitride layer where data is to be stored in a flash memory element, thereby data retention and reliability are improved without putting an influence upon capacitor characteristics.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子でデータが格納される窒化膜にフルオリンを注入してキャパシタ特性に影響を与えず、且つデータリテンション及び信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an information recording element having excellent moldability and processability using an organic material for a dielectric layer, and using an organic material that can be used as a nonvolatile memory and showing dielectric characteristics.例文帳に追加

成形・加工性に優れ、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。 - 特許庁

In addition, the memory circuit is composed of an ordinary element which can be formed in the same process as a semiconductor manufacturing process for forming elements constituting other circuits.例文帳に追加

これとともに、メモリ回路は他の回路を構成する素子を形成する半導体製造プロセスと同一の工程によって形成することが可能な通常の素子で構成するようにした。 - 特許庁

Further, dual-bank memories (31 and 32) and a circuit which are coupled with the data processing element and dual-bank memories and allows simultaneous read access to a data bank memory are included.例文帳に追加

また、データ処理素子（１０）と通信するデュアル・バンク・メモリ（３１，３２），ならびにデータ処理素子およびデュアル・バンク・メモリに結合され、データ・バンク・メモリに対する同時リード・アクセスを与える回路も含む。 - 特許庁

In this case, the unit memory cell array constituting one bank is divided to be allotted to the same bank, by selecting cells positioned at a position being a diagonal element each other for the center of the interface circuit.例文帳に追加

このとき１個のバンクを構成する単位メモリセルアレイの分割は、インタフェース回路の中心に対して互いに対角要素の位置にあるものを選択して、同−バンクに割り付ける。 - 特許庁

To provide a radio communication terminal that does not press memory capacity in the terminal by storing voice recording data or video recording data during speech communication in a storage element on a network.例文帳に追加

通話中の録音データ又は録画データをネットワーク上の記憶要素に保存できるようにすることにより、端末内部のメモリ容量を圧迫しない無線通信端末を提供する。 - 特許庁

To provide a rewriting method for data of a three dimensional optical memory element made in a glass by a super-short light pulse which can perform rewriting by enabling to move a generated bit.例文帳に追加

生成したビットを移動できるようになし、書き換えを可能にした、超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer and an ink cartridge employed for the printer which can reliably process data such as a remaining ink amount even when a memory element mounted on the ink cartridge has a small capacity.例文帳に追加

インクカートリッジに搭載される記憶素子として記憶容量の小さいものを用いても、インク残量等データを確実に処理できるプリンタおよびこれに用いてインクカートリッジを提供する。 - 特許庁

In an ink-jet printer 1, a low cost is achieved by using an inexpensive EEPROM for executing only the sequential access as a memory element 80 mounted on ink cartridges 107K and 107F.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆに搭載の記憶素子８０として、シーケンシャルアクセスしか行なわれない安価なＥＥＰＲＯＭを用いて低コストを図る。 - 特許庁

The semiconductor storage device is formed by splitting a memory array into a plurality of mats 11, and a transistor element 18 is arranged between cell counter electrode plates 17 of each mat split as a switching device.例文帳に追加

半導体記憶装置はメモリアレイが複数のマット１１に分割形成されてなり、分割された各マットのセル対極プレート１７間にトランジスタ素子１８をスイッチ素子として配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a MOS transistor and a memory element on an SOI substrate and can protect not only a gate insulating film, but also a BOX layer against plasma damage and electrostatic damage.例文帳に追加

ＳＯＩ基板にＭＯＳトランジスタやメモリ素子を有し、プラズマダメージや静電ダメージからゲート絶縁膜だけでなく、ＢＯＸ層をも保護することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a perovskite oxide layer, a method for manufacturing a ferroelectric memory and a method for manufacturing a surface wave elastic wave element, wherein an interface with an electrode layer is excellent.例文帳に追加

電極層との界面が良好なペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element constituting first, second read/write switches SW4, SW5 and the memory sector 10 have higher breakdown voltage than that of the elements constituting the load current supply part 12 and the sense amplifier 13.例文帳に追加

第１、第２読出／書込切換スイッチＳＷ４、ＳＷ５及びメモリセクタ１０を構成する素子は、ロード電流供給部１２及びセンスアンプ１３を構成する素子よりも高耐圧である。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.例文帳に追加

フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A memory element in the ink tank 1 memorizes information (e.g. information for determining lighting duty per unit time) used for control of an LED as the light emission part 101.例文帳に追加

インクタンク１に備えた記憶素子に、発光部１０１としてのＬＥＤの制御に用いる情報（例えば、単位時間あたりの点灯デューティを定めるための情報）を記憶させる。 - 特許庁

To inform a user so that a type of errors related to setting a cartridge or accessing data generated when a coloring agent cartridge with a data memory element is set to a printer can be identified.例文帳に追加

データ記憶素子を備えた着色剤カートリッジをプリンタに装着する際に生じたカートリッジの装着やデータアクセスに関わるエラーの種類が分かるようにユーザに通知できるようにする。 - 特許庁

To improve workability in assembly and also miniaturize a digital camera which records a subject image converted into an electric signal by an image pickup element on a freely removably arranged memory card.例文帳に追加

撮像素子で電気信号に変換された被写体像を着脱自在に配置したメモリカードに記録するデジタルカメラにおいて、組立て作業性を向上させると共に装置の小型化を図る。 - 特許庁

In the semiconductor memory device, an upper face of a third underlayer electrode layer 33c of the capacitor element CP is formed into a concavo-convex structure, and a capacitor insulating film 34c is formed into a three-dimensional structure.例文帳に追加

半導体記憶装置において、キャパシタ素子ＣＰの第３下層電極層３３ｃの上面を凹凸構造してキャパシタ絶縁膜３４ｃを立体的構造にする。 - 特許庁

To provide an arrangement for suppressing the stripping of a lower electrode of a ferroelectric capacitive element in a region above a plug during the deposition of a PZT film or subsequent heat treatment, and a method for manufacturing a semiconductor memory.例文帳に追加

PZT成膜中またはその後の熱処理時に、プラグ上の領域における強誘電体容量素子の下部電極はがれを抑制する構成、及び製造方法の提供。 - 特許庁

Image data inputted to an α-blend computing element 13 through a CLUT 12 are subjected to α-blend operation with data stored in an arithmetic processing memory 14.例文帳に追加

ＣＬＵＴ１２を介してαブレンド演算器１３に入力された画像データは、演算処理用メモリ１４に格納されているデータとの間でαブレンド演算が行われる。 - 特許庁

Memory cells 1 disposed along one direction are configured such that: one end side of each magnetoresistive element 3 is connected to a bit line 4a; and the other end side is connected to the drain of the access transistor 2.例文帳に追加

一方向に沿って位置するメモリセル１では、各磁気抵抗効果素子３の一端側はビット線４ａに接続され、他端側はアクセストランジスタ２のドレインに接続されている。 - 特許庁

Thus, a bit contact of the conductive material 20 is formed in the memory region 10a, and a resistance element of the conductive material 20 is formed in the peripheral region 10b.例文帳に追加

これによって、メモリ領域１０ａに導電性材料２０からなるビットコンタクトを形成し、周辺領域１０ｂに導電性材料２０からなる抵抗素子を形成する。 - 特許庁

At the time of recording an image, a system controller 20 controls driving energy being imparted to the heating element such that unevenness in density 41 is canceled based on the density profile stored in a memory 27.例文帳に追加

画像の記録時には、メモリ２７に格納された濃度プロファイルに基づいて、システムコントローラ２０により、濃度ムラ４１を打ち消すように発熱素子に与える駆動エネルギーを制御する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect film of very small size less than submicron size, specially, a magnetoresistive effect film of minimum processing size and further a memory element using the magnetoresistive effect film.例文帳に追加

サブミクロンサイズ以下の微小サイズの磁気抵抗効果膜、特に最小加工寸法の磁気抵抗効果膜を提供し、さらにこの磁気抵抗効果膜を用いたメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a data processing method and system which allows a fast operation of a scanning device such as an SOM (Spatial Optical Modulator) element or the like without speeding up memory data input/output when transposing the data.例文帳に追加

データ転置の際にメモリのデータ入出力速度を高めることなく、ＳＯＭ素子などの走査装置の高速動作を行うことが可能なデータ処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display provided with a first display part equipped with a memory element to store display data and a second display part having a gray scale property different from that of the first display part.例文帳に追加

表示データを記憶する記憶素子を備えた第１の表示部と、当該第１の表示部と階調特性の異なる第２の表示部とを備える液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When it is determined that the pattern recognition is not performed in the image photographed using the image pickup element 14, the recognition result stored in the memory 30 is associated with the captured image.例文帳に追加

そして、撮像素子１４が撮影した画像においてパターン認識されなかった場合に、メモリ３０に記憶した認識結果を、該撮影した画像に関連付けするようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which is advantageous to layout, and allows high operation speed by incorporating a transistor element with variable body potential at a proper place, and to provide a sense amplifier in a memory.例文帳に追加

適所にボディー電位が可変するトランジスタ素子を組み込み、レイアウトに有利で動作高速化が図れる半導体集積回路装置及びメモリにおけるセンスアンプを提供する。 - 特許庁

To provide a device for improving a cell distribution characteristic by correcting a cell voltage when a cell voltage sifting phenomenon of a flash memory element is generated, and to provide a method of improving the characteristic of the cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のセル電圧シフト現象が発生したとき、セル電圧を補正することでセル分布特性を向上させる装置とそのセル特性改善方法を提供する。 - 特許庁

A program load register 32 of the program verify-circuit 30 eliminates a state in which write-in is required for a memory element 33 verified initially as that it is written correctly.例文帳に追加

上記プログラムベリファイ回路３０のプログラムロードレジスタ３２は、正しく書き込まれたと最初にベリファイされたメモリ素子３３について、書き込みが必要であると言う状態を排除する。 - 特許庁

The memory is provided with a stopper layer flat part that contacts the magnetoresistance effect element and a side face of the upper electrode, and whose upper face is at a height substantially identical to an upper face of the upper electrode.例文帳に追加

前記磁気抵抗効果素子、前記上部電極の側面に接し、上面が前記上部電極の上面と実質的に同一の高さであるストッパ層平坦部が設けられる。 - 特許庁

To provide a read-out method of a memory element by which cell information can be read out accurately even when cell voltage is varied due to a cell keeping property in, especially, a multilevel cell (MLC).例文帳に追加

特にマルチレベルセル（ＭＬＣ）におけるセル維持特性のためにセル電圧が変化する場合でも、正確にセル情報を読み出すことを可能にするメモリ素子の読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance memory device capable of performing high speed and stable data read-out by designing a dummy cell in consideration of the dependency of a tunnel magneto-resistive element on a bias voltage.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子のバイアス電圧依存性を考慮したダミーセルを設計し、高速かつ安定したデータ読出を実行可能な薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an information processor capable of additionally increasing pieces of data stored in a remaining region excluding a frame buffer region of a memory section while displaying an image by an image display element.例文帳に追加

画像表示部によって画像を表示させつつ、記憶部のフレームバッファ領域を除く残余の領域に、より多くのデータを記憶させることができる情報処理装置を提供すること。 - 特許庁

Since the writing frequency of the memory element 80 becomes lower than the writing frequency of the EEPROM 90, both the reliability of data and the limit number of rewritable times can be satisfied.例文帳に追加

この結果、記憶素子８０への書込頻度は、ＥＥＰＲＯＭ９０への書込頻度と比べて低くなり、データの信頼性と書き込み許容回数の制限とを満足できる。 - 特許庁

A card baseboard 1 is provided with a memory 4 for performing reading and writing via a controller 5 and a light-emitting element 13, such as an LED to be display-controlled by the controller is also arranged.例文帳に追加

カード基板（１）にコントローラ（５）を介してリード・ライト可能にされるメモリ（４）を有し、更にコントローラによって表示制御可能なＬＥＤのような発光素子（１３）を有する。 - 特許庁

To allow a current value reading when a charging region is charged to be sufficiently small, with a small memory element area.例文帳に追加

帯電領域が帯電しているときの読み出し電流値が十分に小さく且つメモリ素子面積が小さい２ビット記憶型半導体記憶装置およびその製造方法を提供する - 特許庁

The each attribute indication label may be added to the each element information of the extra information when the extra information is written into the memory instead of when extra information is read and displayed.例文帳に追加

付加情報の読み出し表示時にラベルを付加する代わりに、付加情報をメモリに記録する際に、付加情報の各要素情報ごとに、それぞれの属性を示すラベルを付加してもよい。 - 特許庁

To assign a bit to a group of transmission sub-channels by storing at least one bit-signal-to-noise ratio table in a memory in order to decide a bit assigning value and a gain magnification concerning each element of a group of transmission sub-channels based on this table.例文帳に追加

記憶ステップがメモリーに少なくとも１つのビット−信号対雑音比対応テーブルを記憶する通信システムにおいて、伝送サブチャネル群にビットを割り当てる。 - 特許庁

A flaw inspection part 116 compares the images (image data), acquired by the light detecting element 114 with the criterial image data stored in an image data memory part 115 and presence of flaw is determined.例文帳に追加

欠陥検査部１１６は、受光素子１１４で取得した画像（画像データ）と、画像データ記憶部１１５に記憶された基準となる画像データとを比較して欠陥の有無を判定する。 - 特許庁