「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile memory element and device, capable of preventing malfunctions by lowering a set voltage, and of performing high-speed operation and low power consumption operation.例文帳に追加

本発明は、セット電圧を下げて誤動作を防止することができ、高速動作または低消費電力動作が可能な不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The inventory management system 100 includes: a weighting apparatus 103, a memory element 104, a recording device 105, a reading device 106, an information processing unit 109, and a required amount development processing unit 110.例文帳に追加

在庫管理システム１００を、計量装置１０３と、メモリ素子１０４と、記録装置１０５と、読み取り装置１０６と、情報処理部１０９と、所要量展開処理部１１０とを備える構成とする。 - 特許庁

To provide a pixel driving circuit, a space light modulator, and an image display device capable of realizing high picture quality while attaining miniaturization of the device and a low production cost without increasing the memory capacity in the pixel driving circuit and without making the breakdown voltage of each switching element higher.例文帳に追加

画素駆動回路におけるメモリの容量値などの増大や各スイッチング素子の高耐圧化などを図ることなく、装置の小型化、低製造コストを図りつつ、高画質を実現する。 - 特許庁

To provide a gate electrode forming method of a flash memory element, in which CD (critical dimensions) of a gate electrode can be secured by controlling the thickness of a sidewall oxidation film formed in a sidewall of the gate electrode so as to be uniform.例文帳に追加

ゲート電極側壁に形成される側壁酸化膜の厚さを均一に制御してゲート電極のＣＤ(critical dimension)を確保可能にするフラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

An ink cartridge 800 serving as a liquid container is provided with a liquid sensor 802 having a piezoelectric element for detecting a consuming condition of liquid inside a container and a consumption information memory 804 serving as a recording means.例文帳に追加

液体容器としてのインクカートリッジ８００は、容器内の液体の消費状態を検出する圧電素子をもつ液体センサ８０２と、記憶手段としての消費情報メモリ８０４とを備える。 - 特許庁

In this circuit, when a switch 1c and a resistance element 1d are disposed and a memory cell array and control circuit are in a standby state, the internal voltage VccD is measured and can be output from an output terminal.例文帳に追加

この回路において、スイッチ１ｃ、抵抗素子１ｄを設け、メモリセルアレイおよびコントロール回路がスタンバイ状態である際に、内部電圧VccDを測定し、出力端子から出力できるようにした。 - 特許庁

The first layer including the first metal oxide layer 111 and the second layer including the second metal oxide layer 114 form a p-n junction, thereby the memory element is imparted with rectifying capability.例文帳に追加

第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層はｐ−ｎ接合を形成し、これによりメモリ素子に整流性が付与される。 - 特許庁

To provide a memory device which can be driven with low power consumption and hardly has wire disconnection by generating a magnetic field needed for magnetization reversal without increasing a wiring current in a vertically magnetized TMR element.例文帳に追加

垂直磁化ＴＭＲ素子において、配線電流を増大させることなく、磁化反転に必要な磁場を発生させ、低消費電力で、配線の断裂が生じにくいメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that can improve the withstand voltage between element regions of a high-voltage transistor without the occurrence of clacks and crystal defects, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

クラックや結晶欠陥の発生なしに高電圧トランジスタの素子領域間の耐圧を向上できるようにした不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Contracted images having contracted image sizes are stored in the image memory 16a by conducting such extraction processing and storage processing to all picture-element blocks constituting the image.例文帳に追加

このような抽出処理及び記憶処理を、画像を構成するすべての画素ブロックに対して行うことによって、画像メモリ１６ａには、画像サイズが縮小した縮小画像が記憶される。 - 特許庁

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing variations in resistance value according to the difference of a PCMO crystallinity of a variable resistive element and completely securing a circuit operational margin.例文帳に追加

可変抵抗体のＰＣＭＯ結晶化度の違いによる抵抗値バラツキを抑え、回路動作マージンを十分確保することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing system capable of easily and quickly rewriting data stored in a storage element built in a memory device independently of data to be inputted.例文帳に追加

本発明は、入力されるデータとは無関係にメモリデバイス内部の記憶素子に対するデータの書換えが容易に且つ高速で行なうことができるようした情報処理システムを提供することにある。 - 特許庁

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage.例文帳に追加

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of standby, both ends of a variable resistance type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by each pre-charge circuit 402 of a bit line and a source line.例文帳に追加

スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子４０３の両端、即ち、ビット線ＢＬとソース線ＳＬとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路４０２によりプリチャージ電位Ｖｐに設定される。 - 特許庁

A radio tag writer records manufacturing data comprising a lot number and a serial number or the like of the solid-state imaging apparatus 2 and inspection data comprising the flaw data or the like of a solid-state imaging element to a memory of the radio tag 10.例文帳に追加

無線タグ１０のメモリには、固体撮像装置２のロット番号やシリアル番号等からなる製造データと、固体撮像素子の傷データ等からなる検査データとを無線タグライタによって記録する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device that achieves high capacity and integration, while reducing malfunction of a magnetic memory element due to an induction field generated by current flowing in wiring.例文帳に追加

配線に流れる電流によって発生した誘導磁界による磁気記憶素子の誤作動を低減しつつ、大容量化および高集積化を図ることができる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element with improved operational stability, as compared to the case where at least one of an intermediate insulating film, a semiconductor layer, and a tunnel insulating film does not contain gallium oxide.例文帳に追加

本発明は、中間絶縁膜、半導体層、及びトンネル絶縁膜のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、動作安定性の向上した不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a calibration method of electronic chip capable of calibration of electronic chip by simply disposing electronic chip so as to come in contact with a single element and requires no use of nonvolatile memory.例文帳に追加

電子チップを単一の要素と接するように配置するだけで、その電子チップの較正を行うことができ、また不揮発性メモリの使用を必要としない、電子チップの較正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁

The present invention provides the high-speed nonvolatile optical memory element utilizing inversion in magnetization by a current injected in the free layer through irradiation with optical pulses of circular or elliptic polarized light.例文帳に追加

又本発明は、円偏光または楕円偏光の光パルスを照射することにより、自由層に注入された電流が磁化を反転させることを利用した高速メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory element, in which a manufacturing process of a TFT is isolated from the manufacturing process of a ferroelectric capacitor, and mutual processes do not exert influence upon other device.例文帳に追加

ＴＦＴの製造プロセスと強誘電体キャパシタの製造プロセスとを分離し、互いの製造プロセスが他方のデバイスに影響を与えない強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A coding scheme reduces the need for an adder or memory element for obtaining multiple modulus values, and the use of carry save addition with carry propagation addition enhances the computational speed of the multiplication module.例文帳に追加

コーディングスキームは、マルチプルモジュラス値を得るための加算器及びメモリ素子の必要性を減少させ、キャリ貯蔵加算及びキャリ電波加算の使用は、掛け算モジュールの計算速度を向上させる。 - 特許庁

To provide an electronic blackboard capable of displaying data in a non-power display mode with the use of a display part configured of a memory liquid crystal display element and manually entering data without the necessity to use a marker by virtue of a pen position detecting means.例文帳に追加

メモリー性液晶表示素子で表示部を構成することで無電力表示を可能とし、またペン位置検出手段によりマーカーを使うことなく手書き入力が可能な電子黒板。 - 特許庁

A memory array (25) and an addressing circuit (30) are formed by creating a circuit element (26) in the cross-point of two layers (70, 76) made of an electrode conductor, and the two layers are separated by a semiconductor material layer (72).例文帳に追加

メモリアレイ(25)とアドレス指定回路(30)が、電極導体の2つの層(70,76)の交点に回路エレメント(26)を作成することにより形成され、それらの2つの層は半導体材料の層(72)により分離される。 - 特許庁

To provide a metal oxide element where a metal oxide layer exhibiting ferroelectric characteristics is arranged on a semiconductor substrate in order to attain a memory ensuring more stable storage, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

より安定な記憶保持が行えるメモリを実現するため、強誘電特性を示す金属酸化物層を半導体基板上に配置した金属酸化物素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element is provided with a bottom electrode 12; a top electrode 17 provided on the bottom electrode 12; and a recording layer 18 containing the phase change material, and connecting the bottom electrode 12 to the top electrode 17.例文帳に追加

下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた上部電極１７と、相変化材料を含み、下部電極１２と上部電極１７とを接続する記録層１８とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a phase-change memory element including a step that supplies a bivalent first precursor, containing germanium (Ge) onto a lower film, where the phase-change layer is formed is provided.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric memory element is directly connected to ferroelectric capacitors arranged on at least two rows in which one expanded plate lines adjoin each other in a cell array region.例文帳に追加

この強誘電体メモリ素子は一つの拡張されたプレートラインがセルアレイ領域内で隣り合う少なくとも二つの行上に配列された強誘電体キャパシタと直接的に接続される。 - 特許庁

To provide a dielectric memory in a solid stacked capacitive element wherein both deterioration in an oxygen diffusion preventive layer and occurrence of a crack on an interlayer insulation film can be inhibited, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

立体スタック型の容量素子において、酸素拡散防止層の劣化と、層間絶縁膜でのクラックの発生とが共に抑えられた誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable high integration and to cancel increase in the download time of a template vector from a memory to a correlation value computing element even when the number of templates and the number of vector dimensions are increased.例文帳に追加

テンプレート数およびベクトル次元数が増加した場合でも高集積化が実現できるようにするとともに、メモリから相関値演算器へのテンプレートベクトルのダウンロード時間の増大も解消する。 - 特許庁

Analog signals outputted from the solid-state image pickup element inside an image pickup part 11 are converted to digital signals in an A/D converter 12 and the converted digital signals are delayed for one frame in a frame memory 15.例文帳に追加

撮像部１１内の固体撮像素子より出力されるアナログ信号を、Ａ／Ｄ変換器１２でデジタル信号に変換し、変換されたデジタル信号をフレームメモリ１５で１フレーム遅延する。 - 特許庁

The printing system stores position information showing a relation between the positions of dots formed by ink droplets discharged in accordance with picture element data and the positions of picture elements on a medium corresponding to the image data in a memory.例文帳に追加

予め、画素データに応じて吐出されるインク滴が形成するドットの位置と、その画素データに対応する媒体上の画素の位置との関係を示す位置情報をメモリに記憶する。 - 特許庁

The unit 6 receives data from a system bus control circuit 51 and a memory element control circuit 52, executes operation corresponding to an instruction outputted from the circuit 54 and transfers the operation result to the circuit 52.例文帳に追加

演算装置６はシステムバス制御回路５１やメモリ素子制御回路５２からのデータを受取って制御回路５４の指示に応じて演算を行い、その演算結果をメモリ素子制御回路５２へ渡す。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in a semiconductor memory device in which an under-drive is applied to the pull-down switching element of a sense amplifier in order to compensate for poor driving capability during a log voltage operation.例文帳に追加

低電圧動作の場合に駆動能力が劣る現象を補完するためにセンス増幅器のプルダウンスイッチング素子にアンダードライブを適用した半導体メモリ装置のセンス増幅回路を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element capable of securing operating current by increasing an effective channel width by coping with the decrease of a gate area incidental to large scale integration and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高集積化に伴うゲート面積の減少に対応して有効チャネル幅を増大させて、動作電流を確保することができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a tire capable of accurately arranging a reinforcement element made of shape memory alloy at an angle of 0° to a tire equatorial plane in a textile and of maintaining better fatigue resistance of the textile.例文帳に追加

形状記憶合金で出来た０°の補強要素を内蔵する織地中に正確に配置すること及び耐疲労性の大きい織地とすることの双方を可能にするタイヤを提供する。 - 特許庁

Image data generated through imaging and digital conversion by an imaging element are compressed by a RAW compressing unit 41 by an irreversible compression method and temporarily held as compressed image data in a memory.例文帳に追加

撮像素子により撮像されてデジタル変換された画像データは、ＲＡＷ圧縮部４１によって非可逆圧縮方式により圧縮され、圧縮画像データとしてメモリに一時的に保持される。 - 特許庁

After data for use in the formation of the dot are generated by applying image processing to image data so as to determine the presence or absence of the formation of the dot for each pixel, the data are supplied to the raster forming element from memory.例文帳に追加

ドットの形成に用いられるデータは、画像データに画像処理を施して画素毎にドット形成の有無を判断することで生成した後、該データをメモリからラスタ形成要素に供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of a floating gate of a memory cell transistor can be freely set regardless of the thickness of a resistance part of a resistive element in a peripheral circuit, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

周辺回路の抵抗素子の抵抗部の厚さに依らずにメモリセルトランジスタの浮遊ゲートの厚さを自由に設定することのできる半導体装置、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second pseudo-memory cell transistor 10 comprises a fifth gate 2, formed on the element separation layer 21; and a sixth gate 3 formed on the side of the fifth gate 2 to face the fourth gate 3.例文帳に追加

第２擬似メモリセルトランジスタ１０は、素子分離層２１上に形成された第５ゲート２と、第５ゲート２の側面に第４ゲート３と対向するように形成された第６ゲート３とを備える。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its driving method in which data are never destroyed by read-out, and neither a selection transistor for read-out nor element separation for write-in/erasing is required.例文帳に追加

読み出しによるデータの破壊がなく、読み出し用の選択トランジスタが不要で、かつ書き込み消去のための素子分離も不要な不揮発な半導体記憶装置とその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The first embodiment includes: an image sensor (204) for capturing a dark image (234); a memory element (232) for storing the dark image (234); and a logic circuit (250) to assign a mathematical function (237) to the dark image (234).例文帳に追加

本発明の１実施形態は、ダークイメージ(234)を捕捉するためのイメージセンサ(204)、ダークイメージ(234)を格納するためのメモリ(232)素子、及び、ダークイメージ(234)に数学関数(237)を割り当てるための論理回路(250)を備える。 - 特許庁

Further, the control circuit 16 calculates and corrects the signal stored in the memory 17, and generates data corresponding to the quantity of the light received by each light receiving element if an object is scanned at a constant speed.例文帳に追加

さらに制御回路１３は、メモリ１７に蓄積された信号を演算して補正し、対象物上で走査が等速で行われた場合の各受光素子の受光量に対応するデータを生成する。 - 特許庁