「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a printer, and an ink cartridge for use therein, in which data of the residual quantity of ink, and the like, can be rewritten surely even a memory element having a small number of rewritable times is mounted on an ink cartridge.例文帳に追加

インクカートリッジに搭載される記憶素子として書き換え許容回数の低いものを用いても、インク残量等データを確実に書き換えることのできるプリンタおよびこれに用いてインクカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is effective for preventing interference between adjacent cells by executing a program operation in a unit of word line and programming the cell sharing the same word lines, and to provide a programming method thereof.例文帳に追加

ワードライン単位でプログラム動作を実施して、同一ワードラインを共有するのセルをプログラムすることにより、隣接するセル間での干渉防止に有効なフラッシュメモリ素子とそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The system includes a mechanical flow rate regulating unit 8 that operates a valve element by using a shape-memory alloy spring, acting on a return passage 42a between a heat exchanger 43 and an accumulation tank 44 being a gas-liquid separation unit.例文帳に追加

熱交換器４３と、気液分離部であるアキュームタンク４４との間の戻り路４２ａに対し形状記憶合金製のバネを用いて弁体を作動させる機械式の流量調整手段８を介装させる。 - 特許庁

To provide a phase-change memory where low-current high-speed operation becomes possible and reliability is improved, since the heat, generated between the phase-change substance and the electrode, is quickly released to the outside without the heat moving into an element.例文帳に追加

相変化物質と電極間に発生した熱が素子の内部に移動せずに迅速に外部に放出されるため、低電流高速動作が可能になり、信頼性が向上する相変化メモリを提供する。 - 特許庁

Concerning the method and the device suitable for executing this method, the output level of each wavelength detected by a photo-electric detecting element(PD) at ordinary time is converted to a digital value by an A/D converter 13 and corresponding to a timing signal from the outside, this value is stored in a memory 17.例文帳に追加

光電検出素子（PD）で検出された各波長の平常時の出力レベルをA/D 変換器（13）によりディジタル値に変換し、この値を外部からのタイミング信号に応じてメモリ（17）に記憶しておく。 - 特許庁

In constitution executing the developing processing due to a developing processing part 5 wherein a plurality of processings are enabled by constitutional alteration, a memory address of a drawing element and a developing processing constitution ID are allowed to correspond to each other to be stored in a table.例文帳に追加

構成変更により複数の処理を可能とした展開処理部による展開処理を実行する構成とし、描画要素の格納アドレスと展開処理構成ＩＤとを対応させてテーブルに記憶する。 - 特許庁

A plotting circuit 154 writes the image element data read from the read address of the fixed address area 155A to a write address in a frame buffer memory 156 to be stored in response to the reception of a fixed address specification display command.例文帳に追加

描画回路１５４は、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリア１５５Ａの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリ１５６における書込アドレスに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

A signal only in a vertical OB line in output signals of a solid-state imaging element 101 quantized in an A/D converter 103 is selected by an OB line selector 105 and is stored in a line memory 106.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器１０３で量子化された固体撮像素子１０１の出力信号のうち、垂直ＯＢラインの期間のみの信号がＯＢライン選択器１０５で選択されてラインメモリ１０６に格納される。 - 特許庁

Furthermore, power consumption of the nonvolatile memory element can be reduced by differentiating the width, thickness and material of the first conductor 2 and the second conductor 4 from those of the third conductor 5.例文帳に追加

さらに、第１導電体２及び第２導電体４と、第３導電体５とを、異なる幅、厚さ、及び、材料で形成することにより、不揮発性記憶素子を低消費電力化することが可能となる。 - 特許庁

Each output from an image pickup element 1 is connected with IC blocks 31, 32 which carry out actual image processing, and after each output is processed, one image is composed finally and reserved in an external memory as a file.例文帳に追加

撮像素子１からの各出力毎に実際の画像処理を行うＩＣブロック３１，３２を接続し、各出力を個別に処理したうえで最終的に１つの画像を構成し、ファイルとして外部メモリに記憶する。 - 特許庁

The digital camera 1 converts a subject image into an electric signal by an imaging element 5 and digitally processes and records the electric signal on a memory card 16 as a recording medium, and the secondary battery 25 is used as the power source for this camera.例文帳に追加

本デジタルカメラ１は、被写体像を撮像素子５により電気信号に変換し、デジタル処理して記録媒体であるメモリカード１６に記録するカメラであり、本カメラの電源として２次電池２５が使用される。 - 特許庁

To provide a reading operation method of a non-volatile element, which suppresses channel boosting and hot electrons, to prevent a change in threshold voltage distribution of a memory cell, at reading operation.例文帳に追加

読出動作の際、チャンネルブスティングの発生を抑制し、ホットエレックトロンの発生を防止し、これによりメモリセルのしきい値電圧分布の変化を防止することができる不揮発性素子の読出動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel nonvolatile memory element which consists of only an anode layer, a cathode layer and a switching layer, enables the switching layer to be manufactured through simple high-yield processes, is rewritable and operates at high speed.例文帳に追加

陽極層、陰極層、スイッチング層のみからなり、スイッチング層を湿式法により簡便かつ歩留りの高い工程で製造でき、書き換え可能で高速動作可能な、新規の不揮発性のメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a bias level generating circuit of a flash memory element in which oscillation can be prevented by making a bias level being suitable for the operation, when cell-program operation is performed or verification of program is performed.例文帳に追加

セルプログラム動作を行なうかプログラム検証を行なう場合、該当動作に適したバイアスレベルを作ることにより、オシレーションを防止することができるフラッシュメモリ素子のバイアスレベル生成回路を提供すること。 - 特許庁

To enable, when a data processing apparatus issues a query on whether image data of a document element exists in a cache memory, if another data processing apparatus is creating the image data, the fact to be detected and coped with.例文帳に追加

あるデータ処理装置が、ある文書要素の画像データがキャッシュメモリに存在するかどうかを問い合わせた場合に、別のデータ処理装置がその画像データを作成中であれば、その旨を知って対応できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor memory element is configured so as to include the tunnel insulating film formed on the semiconductor substrate and an HfON type charge storage film containing Bevan cluster type structure crystals formed on the tunnel insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に形成されたBevan cluster 型構造の結晶を含むＨｆＯＮ電荷蓄積膜とを含むようにして半導体記憶素子を構成する。 - 特許庁

To mix memory circuits, logic circuits, or logic circuits in high density in a semiconductor device, by enabling a large capacity of capacitive element required for a semiconductor device to be effectively formed within a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体装置に必要な大容量の容量素子が半導体チップ内に効果的に形成できるようにし、メモリ回路、ロジック回路あるいはアナログ回路が半導体装置に高密度に混載できるようにする。 - 特許庁

Furthermore, this method includes a step to distinguish a transition between clock systems by analyzing an integrated circuit, and a step to insert an additional memory element into a location having the transition of the clock systems in the integrated circuit.例文帳に追加

この方法はさらに、集積回路を分析することで、クロックシステム間の遷移を識別するステップ、および追加のメモリ要素を集積回路内の前記クロックシステムの遷移を持つ箇所に挿入するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing composite of ferroelectric material and ferromagnetic material which has both ferroelectricity of ceramic ferroelectric material and ferromagnetism of ceramic ferromagnetic material, and can be used as a memory element or the like.例文帳に追加

セラミック強誘電体の強誘電性とセラミック強磁性体の強磁性とを兼備しメモリー素子などとして用いることを可能とする強誘電体と強磁性体との複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

This non-volatile memory element is provided with a pair of gate electrodes formed in spacer configurations at the both side walls of a fin, and a pair of storage nodes formed between the gate electrodes and a semiconductor substrate.例文帳に追加

フィンの両側壁にスペーサ形態にそれぞれ形成された一対のゲート電極と、ゲート電極と半導体基板との間にそれぞれ形成された一対のストレージノードと、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM, FERROELECTRIC CAPACITOR AND PIEZOELECTRIC ELEMENT, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, INK-JET RECORD HEAD, INK-JET PRINTER, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

有機薄膜の形成方法、強誘電体膜、圧電体膜、強誘電体キャパシタの製造方法、圧電素子の製造方法、強誘電体メモリ、圧電アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンタ、および電子機器。 - 特許庁

To provide an ink vessel wherein data such as a quantity of residual ink can be surely rewritten even when an inexpensive memory element to be mounted on the ink vessel is used and an ink device using the ink vessel.例文帳に追加

インク容器に搭載される記憶素子として安価なものを用いても、インク残量などといったデータを確実に書き換えることのできるインク容器、そのインク容器を用いるインク装置を提供すること。 - 特許庁

A solid image pickup device 1 is a CCD (charge coupled device) element having a all-pixel-reading mode and a horizontal-image-mixture-reading mode, and has a line memory placed between a horizontal transfer CCD and a vertical transfer CCD.例文帳に追加

固体撮像素子１は、全画素読み出しモードと水平画素混合読み出しモードとを有するＣＣＤ素子であり、水平転送ＣＣＤと垂直転送ＣＣＤとの間にラインメモリが配置されている。 - 特許庁

To provide a memory element in which a manufacturing cost can be reduced markedly, without the need for using expensive materials, read-out of data is non-destructive, and a cell area can be made small, and which can cope to future scalings over a long period.例文帳に追加

高価な材料を用いる必要がなく製造コストを格段に引き下げることができ、データの読み出しが非破壊で、セル面積を小さくでき、将来のスケーリングに永く対応できる記憶素子を提供する。 - 特許庁

In the imaging apparatus, a correction signal is obtained by driving a vertical transfer register (302) in a state that a signal charge from a photo-electric converting element (301) is not read out to the vertical transfer register (302), and stored in a field memory (7).例文帳に追加

撮像装置は、光電変換素子（３０１）からの信号電荷を垂直転送レジスタ（３０２）に読み出さない状態で垂直転送レジスタ（３０２）を駆動して補正信号を得て、フィールドメモリ（７）に記憶する。 - 特許庁

A total control operation unit 312 stores a plurality of drive patterns, in which the reading timing of the pixel signal in the imaging element is differentiated from each other, in a memory 307 in association with a plurality of noise sources, respectively.例文帳に追加

メモリ部３０７には全体制御・演算部３１２は撮像素子における画素信号の読み出しタイミングを互いに異ならせた複数の駆動パターンがそれぞれ複数のノイズ源に対応付けて記憶されている。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁

The cell units CU0, CU1 have configurations similar to that of a memory cell, and each include a tunnel magnetic resistance element and an access transistor ATR coupled in series between a bit line BL and a ground voltage Vss.例文帳に追加

各セルユニットＣＵ０，ＣＵ１は、メモリセルと同様の構成を有し、ビット線ＢＬと接地電圧Ｖｓｓとの間に直列に結合された、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory where wiring can easily be arranged so that wiring for writing current passes the face of a magnetoresistance effect element for a multiple number of times and enlargement of a storage region due to wiring can be suppressed.例文帳に追加

書き込み電流を流す配線が磁気抵抗効果素子の面上を多数回通過するように該配線を容易に配設でき、且つ、該配線による記憶領域の拡大を抑えることができる磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The memory element includes a booster (220) connected between the node and power source voltage, the booster applies voltage boosted during read-out operation to the node, this boosted voltage is higher than the power source voltage.例文帳に追加

メモリ素子は、ノードと電源電圧との間に接続された昇圧器（２２０）を含み、昇圧器は読出し動作中に昇圧された電圧をノードに与え、この昇圧された電圧は電源電圧よりも高い。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device in which the number of parts of a toggle cell is reduced and integration degree is improved by sharing an access transistor with a plurality of magnetoresistive element(thin film magnetic material) in the toggle cell.例文帳に追加

トグルセルに関して、複数の磁気抵抗素子（薄膜磁性体）に対してアクセストランジスタを共有することによりトグルセルの部品点数を削減して集積度を向上させた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

Security for data stored on the removable memory element 160 communicatively coupled with the mobile electronic device 100 is obtained by the encryption of the data using authentication information stored in a removable identification element 140 communicatively coupled with the mobile electronic device 100.例文帳に追加

移動体電子装置１００に通信可能に接続されている着脱可能記憶素子１６０に格納するデータの保護は、移動体電子装置１００に通信可能に接続されている着脱可能識別素子１４０に格納されている認証情報を用いてデータを暗号化することにより実現される。 - 特許庁

A control part 30 stores in a memory part 35 a signal of difference between the signal input to the control part 30 when a light source 10 is turned off and a first light receiving element 20A is under a dark condition and the signal input to the control part 30 when the light source 10 is lighted and the first light receiving element 20A is under a dark condition.例文帳に追加

制御部３０は、光源１０を消灯させ第１受光素子２０Ａを暗状態にした時に制御部３０に入力される信号と、光源１０を点灯させ第１受光素子２０Ａを暗状態にした時に制御部３０に入力される信号との差分の信号を記憶部３５に記憶する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal display element 10 having laminated layers of display layers 11B, 11G, 11R using selective reflection of a chiral nematic liquid crystal, driving circuits 103, 104, 105 for those elements, a circuit 106 to detect the temperature of the element 10, a controller 107, and a temperature compensation table memory 109.例文帳に追加

カイラルネマティック液晶の選択反射を利用した表示層１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒを積層した液晶表示素子１０と、それらの駆動回路１０３，１０４，１０５と、素子１０の温度を検出するための回路１０６と、コントローラ１０７と、温度補償テーブルメモリ１０９とを備えた液晶表示装置。 - 特許庁

A fluid injection device 1 stores a correction factor β for correcting an individual difference of the piezoelectric element 401 and a correction factor αn for a temperature characteristic in a waveform correction memory 702 of a pulsation generating section 100, and a temperature sensor 701 for detecting temperature in the vicinity of the piezoelectric element 401 is installed in the pulsation generating section 100.例文帳に追加

流体噴射装置１は、圧電素子４０１の個体差を補正するための補正率βおよび温度特性の補正率αｎを脈動発生部１００の波形補正メモリ７０２に記憶し、脈動発生部１００には、圧電素子４０１近傍の温度を検出する温度センサ７０１が設置されている。 - 特許庁

On receiving designation to the effect that a channel for transmitting a certain sound element data is determined from a presentation control means 91, the channel management means 92 determines a reproduction channel for transmitting sound element data on the basis of channel information about each channel stored in the channel information buffer memory 94b.例文帳に追加

チャンネル管理手段９２は、あるサウンド要素データを送出するためのチャンネルを決定する旨の指示を演出制御手段９１から受けたときに、チャンネル情報バッファメモリ９４ｂに記憶されている各チャンネルについてのチャンネル情報に基づいて当該サウンド要素データを送出するための再生チャンネルを決定する。 - 特許庁

The temperature control element 8 comprises the lower outer peripheral surface of the lower wall member 16 allowed to holdingly abut on the step part 19 of the mounting member 17 by the extension at a high temperature of a coiled shape memory alloy 18 as a thermally-actuated member having one end fixed to the cover member 5 and the other end fixed to the temperature control element 8.例文帳に追加

温度制御機素８は一端を蓋部材５に固定し他端を温度制御機素８に固定した温度応動部材としてのコイル状の形状記憶合金１８の高温時の伸張力によって取付部材１７の段部１９に下壁部材１６の外周下面が当接保持される。 - 特許庁

A data element rearrangement logic 808 responds to a signal for designating the endian mode and a signal for designating the data element size, in order to rearrange the read bytes so that the data elements will not change, regardless of the endian mode used by the memory at the time of storing them in the SIMD register 812.例文帳に追加

データ要素再整理ロジック８０８は、ＳＩＭＤレジスタ８１２に記憶されるとき、メモリにより使用されているエンディアンモードに関係なく、データ要素が変化しないように、読み出されたバイトを再整理するために、エンディアンモードを指定する信号、及びデータ要素サイズを指定する信号に応答する。 - 特許庁

A switching element and a storage node linked with the switching element are provided and the storage node is a phase-change random access memory having a bottom electrode, a top electrode, a phase-change substance layer interposed between the bottom electrode and the top electrode, and an adhesion interfacial layer interposed between the bottom electrode and the phase-change substance layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びスイッチング素子に連結されるストレージノードを具備し、ストレージノードは、下部電極及び上部電極、下部電極と上部電極間との間に介在された相変化物質層、及び、下部電極と相変化物質層との間に介在される粘着界面層を有する相変化メモリ素子である。 - 特許庁

A recognizing device 1 of an optical reflecting element 2 is provided with an illuminating means 4 for radiating illuminating light, a photodetector 5 for receiving reflected light from the optical reflecting element 2, a signal processing part, an A/D converter, a memory and a CPU or the like and performs pattern recognizing processing by comparing image data with previously stored reference data.例文帳に追加

反射光学素子２の認識装置１は、照明光を照射する照明手段４、反射光学素子２からの反射光を受光する受光素子５、信号処理部、Ａ−Ｄ変換器、メモリ、ＣＰＵなどを備え、画像データと予め記憶された基準データとを比較してパターン認識処理を行う。 - 特許庁

In the case of operating the full frame transfer type CCD element 109 in the frame transfer system, and electron beam interruption plate 112 shields part of electron beams emitted onto a scintillator 107 to form a light shield area in part of the full frame transfer type CCD element 109, and the part is used for a memory section.例文帳に追加

フルフレームトランスファ型ＣＣＤ素子１０９をフレームトランスファー方式で動作させるときは、電子線遮断板１１２によってシンチレータ１０７に照射される電子線の一部を遮断してフルフレームトランスファ型ＣＣＤ素子１０９の一部に遮光領域を作り、そこをメモり部として利用する。 - 特許庁

A switch element (51) comprising single channel type MOS transistors are provided at the halfway of a path in which high voltage (EXWL) supplied to a memory array (10) from an external terminal when a test is transmitted, it is not necessary that supply voltage is reset without omission during a test by turning off the switch element (51) at switching a word line.例文帳に追加

テスト時に外部端子からメモリアレイ（１０）に供給される高電圧（ＥＸＷＬ）を伝達する経路の途中に単一チャネル型のＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子（５１）を設け、ワード線切換え時に該スイッチ素子をオフさせることでテスト中にいちいち供給電圧をリセットする必要をなくした。 - 特許庁

To provide a disk memory system, having an electric power supply unit obtaining stable output voltage without having to depend on a load current, by using a circuit constitution with no short-circuiting impediment element in the output of the electric power supply unit, and correcting a voltage drop of the output voltage caused by a voltage drop element of an output diode, transistor, etc.例文帳に追加

電源装置出力の短絡障害要素の無い回路構成を用い、出力ダイオード、トランジスタ等の電圧降下素子に起因する出力電圧の電圧降下を補正し、負荷電流に依存がなく安定な出力電圧が得られる電源装置ユニットを有するディスク記憶システムを提供する。 - 特許庁

When a need is generated to expand the character data of the scalable form including the attribute divided constituting elements which are the same as the attribute divided constituting elements that are already expanded into the element character data of the bit map form, and the bit map element character data stored in the font cache memory 106 are reused.例文帳に追加

既にビットマップ要素文字データに展開された属性分割構成要素と同一の属性分割構成要素を含むスケーラブル形式の文字データをビットマップ形式の文字データに展開する必要が発生したときには、フォントキャッシュメモリ１０６に保存しておいたビットマップ要素文字データを再利用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁