「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

In this magnetic tape, cartridge a tape reel obtained by winding a magnetic tape is housed in a cartridge main body and the non-contact type memory element is disposed in the reel of at least one of the upper and lower flanges of the tape reel.例文帳に追加

カートリッジ本体に磁気テープを巻回したテープリールが収容された磁気テープカートリッジであって、テープリールの上フランジおよび下フランジの少なくとも一方のリール内に非接触式メモリ素子を配設したことを特徴とする磁気テープカートリッジ。 - 特許庁

To calculate the residual amount of ink correctly by preventing a backup domain in which information for calculating the residual amount of ink is stored separately from becoming unavailable when an abnormality occurs in a nonvolatile memory element.例文帳に追加

インク残量を算出するための情報を記憶した不揮発性記憶素子に異常が発生した場合に、その情報を別途記憶するためのバックアップ領域を使用することができないということを防止し、正確にインク残量を算出する。 - 特許庁

A unit cell constituting a memory of one bit is constituted of two magnetic resistance elements R22a, R22b magnetized so that respective direction of magnetization is reverse direction, and one semiconductor switch element T22 for selecting these magnetic resistance elements.例文帳に追加

１ビットのメモリを構成する単位セルが、互いの磁化の向きが反対向きとなるように磁化される２個の磁気抵抗素子Ｒ２２ａ、Ｒ２２ｂと、これら磁気抵抗素子を選択するための１つの半導体スイッチ素子Ｔ２２とから構成されている。 - 特許庁

To effectively prevent a magnetoresistance effect element from being eroded by oxygen or hydrogen or the like, concerning a magnetic memory device that utilizes a change in resistance based on the direction of a spin of a magnetic layer and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性層のスピンの向きに基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置及びその製造方法に関し、酸素や水素等による磁気抵抗効果素子の侵食を効果的に防止しうる磁気メモリ装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The power supply circuit 400 adjusts power to supply to the organic EL element 100 depending on the photovoltaic voltage AV measured by the photovoltaic voltage detection circuit 300 and the target illuminance value AL memorized by the target illuminance memory circuit 200.例文帳に追加

電源回路４００は、光起電圧検出回路３００で検出された光起電圧ＡＶと、目標照度記憶回路２００に記憶された目標照度値ＡＬと、に基づいて、有機ＥＬ素子１００に供給する電力を調整する。 - 特許庁

A resistive switching non-volatile memory element 1 is disclosed including a resistive switching metal-oxide layer 3 sandwiched between and in contact with a top electrode 4 and a bottom electrode 2, the resistive switching metal-oxide layer 3 having a substantially isotropic sub-stoichiometric metal-to-oxygen ratio.例文帳に追加

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子１は、上部電極４と下部電極２の間に挟まれて接触し、実質的に等方性で半化学量論的な金属と酸素の比を有する抵抗スイッチング金属酸化物層３を含む。 - 特許庁

A controller 20 reads camera information from the DPOF file to discriminate whether the solid-state image pickup element of the digital camera 22 is of a honeycomb type or a Bayer type, selects a corresponding filtering coefficient from a coefficient memory 16 and gives the selected coefficient to an image processing section 17.例文帳に追加

コントローラ２０は、ＤＰＯＦファイルからカメラ情報を読み出してデジタルカメラ２２の固体撮像素子がハニカム型かベイヤー型かを判別し、対応するフィルタリング係数を係数メモリ１６から選択して画像処理部１７に送る。 - 特許庁

In this case, the system controller 10 writes the parameter after adjustment by the user as the parameter set by the user, in the user setting area 32 of the memory by letting it correspond to the name of the program by the operation for registration of the user in the final control element 21.例文帳に追加

この場合、システムコントローラ１０は、操作部２１でのユーザの登録操作によって、ユーザによる調整後のパラメータを、番組の名称と対応づけて、ユーザ設定値のパラメータセットとして、メモリ３０のユーザ設定エリア３２に書き込む。 - 特許庁

In the memory cell 81 of the storage element 80, first storage area for rewriting the residual quantity of ink of the ink cartridges 107K and 107F is located to be accessed earlier than a second storage area for storing read only data.例文帳に追加

また、記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第１の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第２の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

When minor abnormal condition occurs, a second abnormality memory element 136 operates to activate a second alarm and indicator 109b, so that the evacuating drive is performed by a second means using throttle valve travel control and the fuel cutting control at the same time.例文帳に追加

軽度異常発生時は第二の異常記憶素子１３６が動作し、第二の警報・表示器１０９ｂを動作させ、モ−タ１０３によるスロットル弁開度制御と燃料カット制御を併用した第二の手段による退避運転を行う。 - 特許庁

By containing it, or by using it, for example, a three-dimensional memory material and a three-dimensional recording medium, an optical control material and an optical control element, a photocuring material and an optical modeling system, a fluorescence material for multiphoton fluorescence microscope, and a multiphoton fluorescence microscope, are constructed.例文帳に追加

これを含有するか、用いて、例えば、三次元メモリ材料と三次元記録媒体、光制限材料と光制限素子、光硬化材料と光造形システム、多光子蛍光顕微鏡用蛍光材料と多光子蛍光顕微鏡を構成する。 - 特許庁

Writing into the memory element is executed by the application of a voltage to electrically connect the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112 via a conductive portion formed by the fusion of the nano-particles composed of the conductive material.例文帳に追加

記憶素子への書き込みは、電圧の印加により導電性材料よりなるナノ粒子の融着により形成される導電部を介して第１の導電層１１０と第２の導電層１１２とが電気的に接続させることにより行う。 - 特許庁

To realize a memory characteristic which is excellent in both a transparent state and a light dispersion state regarding a high polymer dispersed liquid crystal element provided with a high polymer/liquid crystal compound layer that is formed by dispersing a two-frequency driving liquid crystal inside a high polymer compound layer.例文帳に追加

二周波駆動液晶を高分子化合物層内に分散させてなる高分子・液晶複合体層を備えた高分子分散型液晶素子において、透明状態と光分散状態の良好なメモリー性を実現する。 - 特許庁

A printer 20 selects a drive signal that effectively excites residual vibration of a piezoelectric element in simultaneously-outputted first/second drive signals DS1, DS2 on the basis of frequency information 135 stored in a memory 130.例文帳に追加

プリンタ２０は、メモリ１３０に記憶されている周波数情報１３５に基づき、同時に出力された第１の駆動信号ＤＳ１および第２の駆動信号ＤＳ２のうち、圧電素子の残留振動を有効に励起する駆動信号を選択する。 - 特許庁

A target value (target displacement quantity xt) related to a displacement quantity (actual displacement quantity x) in the displacement of the valve element from a full close position to a full open position or from the full open position to the full close position is stored in the memory of an electronic control device.例文帳に追加

電子制御装置のメモリには、弁体を全閉位置から全開位置、或いは全開位置から全閉位置にまで変位させる際についてその変位量（実変位量ｘ）にかかる目標値（目標変位量ｘｔ）が記憶されている。 - 特許庁

The variable resistance element in each first memory cell has a first recording layer made from oxide of a first metallic material and a second recording layer that is made from the first metallic material and is formed so as to be adjacent to the first recording layer.例文帳に追加

第１のメモリセルの可変抵抗素子は、第１の金属材料の酸化物により形成された第１記録層と、第１の金属材料により形成され、且つ、第１記録層と接するように形成された第２記録層とを有する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and a manufacturing method thereof capable of reducing a load in an etching process for a storage electrode and a plate electrode, and capable of realizing higher integration of a ferroelectric capacitor module.例文帳に追加

ストレージ電極およびプレート電極のエッチング工程における負荷を軽減させるとともに、強誘電体キャパシタモジュールを高集積化させることができる強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR CELL CONTAINING LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体及びその製造方法、並びにそのシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体含む太陽電池、不揮発メモリ素子、感光素子とその製造方法 - 特許庁

Thereafter, the crystallizing process of a semiconductor active layer with effective continuous oscillation laser irradiation is employed to manufacture a minute semiconductor memory element whose active layer surface is flat.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、金属元素を添加して加熱処理を行った後、連続発振レーザ照射を行う半導体活性層の結晶化プロセスを用いて、活性層表面が平坦で、かつ、微細な半導体記憶素子を作製する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric material including a bismuth element allowing a small amount of leak current and a large amount of self-polarization, a ferroelectric capacitor utilizing the ferroelectric material, and a highly integrated semiconductor memory utilizing the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

リーク電流が少なく自発分極量の大きいビスマス元素を含む強誘電性材料、この強誘電性材料を用いた強誘電体キャパシタ、並びにこの強誘電体キャパシタを用いた高集積の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, a connection part 60 has a potential being approximate to write-in voltage, an electric field having a direction being inverse to polarization caused in ferroelectric substance in the memory element 20 becomes small or its direction becomes the same direction as polarization, and a data holding characteristic is improved.例文帳に追加

これにより接続部６０は書き込み電圧に近い電位を持ち、記憶素子２０内の強誘電体材料に発生する分極と逆向きの電界が小さく又は分極と同じ方向になり、データ保持特性が改善される。 - 特許庁

A light receiving element of an image pickup section 18 placed corresponding to a color filter of a color separation filter CF of a digital still camera 10 receives a light, an A/D converter section 20 converts an obtained image pickup output into image digital data and a buffer memory 22 stores the image data.例文帳に追加

ディジタルスチルカメラ10は、色分解フィルタCFの色フィルタに対応して配設されている、撮像部18の受光素子で受光し、得られた撮像出力をA/D 変換部20手段でディジタル信号の画像データに変換し、バッファメモリ22に画像データを記憶する。 - 特許庁

The text widget receives the offer of a report specification table under the control of a screen transition sub-system, and generates a screen constituting element under the Draw instruction of the window, and sets it in the display line for plotting, and successively develops screen data to a page memory in response to a display request.例文帳に追加

テキストウィジェットは画面遷移サブシステムの管理下にあるレポート仕様テーブルの提供を受けウィンドウのDraw指令により画面構成要素を生成し描画用ディスプレイラインにセットし、ディスプレイ要求により画面データを逐次ページメモリに展開する。 - 特許庁

Each memory cell includes a two-element latch circuit consisting of a first transistor (N type MOSFET), and of a second transistor (P type MOSFET) being two elements latch circuit, and a third transistor (N type MOSFET) connected to an input-cum-output terminal of the latch circuit.例文帳に追加

各メモリセルは、第１のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）と、第２のトランジスタ（Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ）なる２素子ラッチ回路と、前記ラッチ回路の入力端子兼出力端子に接続されている第３のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）を含む。 - 特許庁

A closed magnetic path layer 16 is provided on a ferromagnetic layer 14 that becomes the memory layer of a laminated MTJ element 1, and the ferromagnetic layer 14 and a closed magnetic path layer 16 are jointed via metal layers 15 and 15' at both ends and are separated at a central part.例文帳に追加

積層したＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層１４の上に閉磁路層１６を設け、両端部において金属層１５、１５´を介して強磁性層１４と閉磁路層１６を接合し、かつ中央部においては離間させる。 - 特許庁

To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とＲＴＯ工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

When a display panel 6 is driven to emit light, the switch 31 is connected to the side a, and the organic EL element E1 is driven by a driving voltage of an analog amplifier circuit 37 based on the brightness characteristic information read out of the brightness information memory 35.例文帳に追加

表示パネル６を発光駆動させる場合には、スイッチ３１はａ側に接続され、輝度情報メモリ３５より読み出した輝度特性の情報に基づいて、アナログ増幅回路３７による駆動電圧で有機ＥＬ素子Ｅ１が駆動される。 - 特許庁

Also, a capacitative element or noise elimination circuit electrically connected with a write word line is provided to reduce or remove a signal other than a control signal such as a short pulse or noise that may be input to a memory cell from a drive circuit and the like.例文帳に追加

また、書き込みワード線に電気的に接続する容量素子またはノイズ除去回路を設けることで、駆動回路等からメモリセルに入力されうる制御信号とは異なる短パルスやノイズ等の信号を低減または除去することができる。 - 特許庁

When the patient or the care-taker presses the recommendation switch in the hand switch 4, the signal is inputted from the hand switch 4 to an MPU 1, and the MPU 1 reads the recommended values of the angle of back raising, the angle of knee raising and the height of the frame (bed) from a memory element 3.例文帳に追加

患者又は介護者が手元スイッチ４の推奨スイッチを押下すると、その信号が手元スイッチ４からＭＰＵ１に入力され、ＭＰＵ１は、記憶素子３から、背上げ角度、膝上げ角度及びフレーム（ベッド）高さの推奨値を読み出す。 - 特許庁

A means for calculating a distance between the paper terminal end detection sensor and a paper feeding hole detection sensor; a means for calculating a distance between the printing mechanism part and the paper terminal end detection sensor; and a means for memorizing the distance in the non-volatile memory element are added.例文帳に追加

用紙終端検出センサと用紙送り穴検出センサ間の距離を算出する手段と、印刷機構部と用紙終端検出センサ間の距離を算出する手段と、当該距離を不揮発性記憶素子に記憶する手段を付加した。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

In this memory, the gate of an n-channel transistor 21 is connected to the word line of the side of an output of each word line driver 4 and the source of the n-channel transistor 21 is connected to the gate of the replica transistor 23 which is connected to a dummy bit line 25 via a switching element 22 for selection.例文帳に追加

各ワード線ドライバ４の出力側のワード線２０にｎ-chトランジスタ２１のゲートが接続され、ダミービット線２５に接続のレプリカトランジスタ２３のゲートにｎ-chトランジスタ２１のソースが選択用スイッチング素子２２を介して接続されている。 - 特許庁

There is provided a driving method of the magnetic memory element, in which current variation depending on the direction of the current is reduced by changing a gate voltage of a transistor when applying the current in order to record data to a magneto-resistance structure.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗構造体にデータを記録するために電流を印加する際、トランジスタのゲート電圧を変化させることによって、電流方向による電流量の変化を減少させることができる磁気メモリ素子の駆動方法である。 - 特許庁

Specifically, before an oxidation process for allowing the bird's beak to enter, the memory cell is covered with an oxidation-resistant film 308 or an oxide-nitride film, or an STI trench of the peripheral circuit is formed first, then the bird's beak of the end of the element region of the peripheral circuit is formed large.例文帳に追加

具体的には、バーズビークを入れる酸化工程の前に、メモリセル部を耐酸化性膜（３０８）あるいは酸窒化膜で覆うか、周辺回路部のＳＴＩ溝を先に形成し、周辺回路素子領域端部のバーズビークを大きく形成しておく。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus of which the cost can be reduced by reducing the storage capacity of a memory by reading an image of an imaging range corresponding to zoom magnification from a solid-state image pickup element at the time of digital zooming, and to provide an imaging method.例文帳に追加

デジタルズーム時には、ズーム倍率に応じた撮像範囲の画像を固体撮像素子から読み出すことによりメモリの記憶容量を低減し、これにより撮像装置のコストを低減することができる撮像装置および撮像方法を提供する。 - 特許庁

The optical memory element 10 having a recording layer for the optical recording is housed in a cartridge 12, and opening parts 13A, 13B for passing a recording/reproducing light and an opening/closing member 14 enabled to shield them are arranged on the cartridge 12.例文帳に追加

光記録用の記録層を有した光メモリ素子１０がカートリッジ１２内に収納され、カートリッジ１２に、記録／再生光の通過用の開口部１３Ａ，１３Ｂと、これを遮蔽し得る開閉部材１４とが設けられている光記録媒体１１。 - 特許庁

The spin memory has a ferromagnetic word line, a nonmagnetic bit line crossing the ferromagnetic word line, a wiring opposed to the ferromagnetic word line, and the magneto-resistance effect element 201 provided between an intersection part of the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line, and the wiring.例文帳に追加

強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。 - 特許庁

When the start key of a final control element 16 is operated, set in a mode for recording a test pattern, the image data of a test pattern stored in an image memory 18 are read out, and the image data of the test pattern are recorded in two sheets of recording paper 73 and 74 in a recorder 15.例文帳に追加

テストパターンを記録するモードに設定されて、操作部１６のスタートキーが操作されると、画像メモリ１８に記憶しているテストパターンの画データが読み出されて、そのテストパターンの画データが記録部１５で記録紙７３，７４に記録される。 - 特許庁

Further, the magnetic memory element stays in a parallel state/anti-parallel state once the value is written by supplying a current, and electric power need not be continuously supplied so as to continuously obtain the power, so that the power consumption is reduced.例文帳に追加

また磁気メモリ素子は一度電流を流して値を書き込めば平行状態／反平行状態を維持するものであり、従って動力を継続して得るにあたり電力を与え続ける必要性はなく、この面で低消費電力化が図られる。 - 特許庁

An electrophoretic element can omit cyclic refreshing operation which is normally necessary since a state of writing which is completed once is stable and an image is held with a digital video signal held in the memory circuit when a still picture display is made.例文帳に追加

電気泳動素子は、一度書き込んだ状態が安定であるため、静止画表示の際は、メモリ回路に保持されているデジタル映像信号によって画像が保持されるため、通常必要とされる周期的なリフレッシュ動作を省略することが出来る。 - 特許庁

In the optical memory head reproducing device, a plurality of vertical resonator surface emitting semiconductor laser elements are arranged in a matrix state in a laser element substrate part, also, a minute tip part is projected and provided on a core surface surrounded by cladding.例文帳に追加

光メモリヘッド再生装置においては、レーザ素子基板部に複数の垂直共振器表面発光半導体レーザ素子が行列に配列され、また、微細先端部がこの基板部上のクラッドで囲まれたコア表面上に突出し設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an integrated circuit which reduces a current value of a magnetoresistive element used for read and write of information without increase in area of memory cells when viewed from above, and inhibits read/write errors and a short circuit between magnetoresistive elements.例文帳に追加

メモリセルの平面視における面積を増加せずに、磁気抵抗素子の情報の読み書きに用いる電流値を低減しながら、読み書きエラーや磁気抵抗素子間の短絡が抑制された集積回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The imaging device 1 includes a solid-state imaging element 3, a defect information memory 7 which stores, in advance, information relating to the types of defects of defective pixels and information relating to the defective levels of defective pixels, and a defect correction circuit 6 for correcting image data of defective pixels.例文帳に追加

撮像装置１は、固体撮像素子３と、予め欠陥画素の欠陥種類情報及び欠陥レベル情報を記憶する欠陥情報メモリ７と、欠陥画素の画像データに関する補正を行う欠陥補正回路６とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor memory using the fuse element for changing the function of the device, a void is provided between two wiring portions formed in the same step, and a conductive material buried in the void is used as a fuse.例文帳に追加

デバイスの機能切り替えにヒューズ素子を用いた半導体記憶装置において、同一工程からなる２配線間にボイドを設け、前記ボイド内に導電性材料を埋め込んだものを電気溶断ヒューズとして用いる事により解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of flash memory element, capable of sufficiently decreasing the critical dimension of the active region, increasing the surface area of the floating gate, realizing uniform and flat floating gate, and suppressing the production of moats.例文帳に追加

活性領域の臨界寸法を十分減らすこと、フローティングゲートの表面積を増加させること、均一で平坦なフローティングゲートを実現すること、及びモウト発生を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁