「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing process of a capacitor of a ferroelectric memory element comprises a step for separating the storing electrode by performing CMP for an insulating film until the Pt layer of the storing electrode is exposed by using acidic CMP slurry comprising organic acid.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子のキャパシタの製造工程において、有機酸を含む酸性のＣＭＰスラリーを利用し、貯蔵電極のＰｔ層が露出するまで絶縁膜をＣＭＰして貯蔵電極を分離する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a circuit for clamping a word-line voltage which can generate a pumping voltage of a potential being stable even for variation of power source voltage in a process in which power source voltage is pumped for not only a flash memory cell but an element driven by a high voltage.例文帳に追加

フラッシュメモリセルだけでなく、高電圧によって駆動される素子のために電源電圧をポンピングする過程において電源電圧の変化にも安定した電位のポンピング電圧を発生させ得るワードライン電圧クランピング回路を提供すること。 - 特許庁

The output of the image-pickup element 10 written to a magnetic tape T by a recording and reproducing circuit 26 at 30 frames par second via a CDS circuit 12, an AGC circuit 14, an A/D converter 16, a camera signal processing circuit 18, and a frame memory 20 and then.例文帳に追加

撮像素子１０の出力は、ＣＤＳ回路１２、ＡＧＣ回路１４、Ａ／Ｄ変換器１６、カメラ信号処理回路１８及びフレームメモリ２０を介して、毎秒３０フレームで記録再生回路２６により磁気テープＴに書き込まれる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a TMR element in which a high quality TRM film including a barrier layer having a high MR ratio and little pin hole can be obtained stably, and to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head and a method for fabricating a magnetic memory.例文帳に追加

高いＭＲ比を有すると共にピンホールの少ないバリア層を有する高品質のＴＭＲ膜を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

A pronunciation symbol dictionary 9 for speech conversion of a street name is provided, and a data memory selecting/reading section 13 for address speech conversion, when the street is present in an element of the structure, searches the dictionary and reads the pronunciation symbol of the street when it is present.例文帳に追加

ストリート名音声変換用発音記号辞書９を備え、住所音声変換用データ記憶部選択・読込部１３は構造体の要素でストリートが存在するときその辞書を検索し、存在するときにはその発音記号を読み込む。 - 特許庁

Because the nonvolatile memory element has the block layer 14 capable of blocking the phase change of the recording layer 13, radiation is inhibited to the side of the upper electrode 15, and a phase changing area P is largely limited when a write current is applied.例文帳に追加

本発明によれば、記録層１３の相変化をブロック可能なブロック層１４を有していることから、上部電極１５側への放熱が抑制されるとともに、書き込み電流を印加した場合の相変化領域Ｐが大きく制限される。 - 特許庁

The aseptic clothing 10 subjected to autoclave treatment, a discrimination tag 12 attached to the aseptic clothing and molded so as to be capable of withstanding the environment of autoclave treatment and the memory element 14 provided in the discrimination tag 12 and capable of withstanding autoclave treatment are provided.例文帳に追加

オートクレーブ処理される無菌衣１０と、この無菌衣１０に取り付けられオートクレーブ処理の環境に耐え得るように成形された識別タグ１２と、この識別タグ１２内に設けられオートクレーブ処理に耐え得る記憶素子１４とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory element comprises a first conductor 3 and a second conductor 5 arranged through an insulating film 4, and a connector 6 of phase transformation material for connecting the first conductor 3 and the second conductor 5 electrically.例文帳に追加

本発明の不揮発性記憶素子は、絶縁膜４を介して配置された第１導電体３と第２導電体５と、該第１導電体３と該第２導電体５とを電気的に接続する、相変化材料からなる接続体６とを備えている。 - 特許庁

The image processing apparatus stores pixel data from an image pickup element to a memory and processes the stored pixel data to obtain an image, and is provided with a changeover means that selects storage of pixel data with a high density within a prescribed range of a middle of the image in a vertical direction to the memory or storage of pixel data with a relatively low density in the entire range of the image.例文帳に追加

撮像素子からの画素データをメモリに格納し、格納された画素データを処理して画像を得る画像処理装置であって、画像の垂直方向中心部の所定の範囲の密度の高い画素データのメモリへの格納と、画像の全範囲の相対的に密度の低い画素データのメモリへの格納を、選択して切り替える切替手段を備えている。 - 特許庁

The device comprises a pixel data location determination part which determines a location of pixel data so that a plurality of pixel data in each element texture which is located in the same position for a texture is continuously arranged on one image data storage memory for each of the same positions; and a pixel data storage part which stores the plurality of pixel data in one image data storage memory according to the determined storage position.例文帳に追加

テクスチャに対して同一位置にある、各要素テクスチャにおける複数の画素データが、同一位置毎に１つの画像データ格納メモリ上に連続して並ぶように、画素データの格納位置を決定する画素データ格納位置決定部と、決定された格納位置にしたがって、複数の画素データを１つの画像データ格納メモリに格納する画素データ格納部とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a plurality of word lines 3 disposed in parallel; a plurality of bit lines 4 disposed to intersect with the word lines 3; a plurality of memory cells, respectively disposed at intersection portions between the word lines 3 and the bit lines 4 and having a resistance change element 1 and a diode 2; a row decoder 42 for selecting the word lines 3; and a column decoder 43 for selecting the bit lines 4.例文帳に追加

半導体記憶装置は、平行に配置された複数のワード線３と、ワード線３に交差するように配置された複数のビット線４と、ワード線３とビット線４との各交差部に配置され、抵抗変化素子１及びダイオード２を含む複数のメモリセルと、ワード線３を選択する行デコーダ４２と、ビット線４を選択する列デコーダ４３とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes: a substrate; a semiconductor structure including a first part and a second part vertically extending to face each other, and a bottom part for connecting the first part and the second part to each other on the substrate; and a plurality of memory cells separately arranged along the first and second parts of the semiconductor structure and connected in series to one another.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、基板と、互いに対向するように垂直伸張する第１部及び第２部と、前記第１部及び第２部を連結する底部とを前記基板上に含む半導体構造物と、前記半導体構造物の前記第１部及び第２部に沿って離隔配置されて互いに直列に連結された複数のメモリセルと、を含む。 - 特許庁

To improve reliability of a flash memory device by applying a lower reading or detecting voltage as the temperature of an element is higher, and applying a higher reading or detecting voltage when a power supply voltage is higher to maintain an always constant threshold value voltage margin of a program cell or a deletion cell regarding the voltage generator of the flash memory device.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ装置の電圧生成器に関するものであり、素子の温度が高くなるほど読み出しまたは検出電圧を低く印加し、電源電圧が高い時は読み出しまたは検出電圧は高く印加することにより、常に一定のプログラムセルまたは消去セルのしきい値電圧マージンを維持するようにしてフラッシュメモリ装置の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic shape-memory alloy which includes Ni, Mn, at least one element selected from the group consisting of In, Sn and Sb, Co and/or Fe, and unavoidable impurities, and has high mechanical hardness, and to provide a method for easily manufacturing the ferromagnetic shape-memory alloy which has the high mechanical hardness.例文帳に追加

Ｎｉと、Ｍｎと、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｃｏおよび／またはＦｅと、不可避不純物と、からなる強磁性形状記憶合金に関し、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金、および、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金を容易に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element 1 is provided with a gate electrode 104 formed through a gate insulating film 103 on a semiconductor layer 102, a channel area arranged below the gate electrode 104, the diffusion areas 107ab of conductive types reverse to that of the channel area on both sides of the channel area, and a memory function body 109 having the function of holding charges on both sides of the gate electrode 104.例文帳に追加

メモリ素子１は、半導体層１０２上にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側で、チャネル領域と逆導電型の拡散領域１０７ａｂと、ゲート電極１０４の両側で、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１０９とを備える。 - 特許庁

The resistance change memory device includes a number of memory cells, each having two transistors parallel connected between the first node and connection node and a variable resistance element at least in two different resistance states with its one end connected to the connection node, and arranged in a matrix consisting of a first axis and a second axis; and a number of bit lines BL.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ装置は、第１ノードと接続ノードとの間に並列接続された２つのトランジスタと、一端を接続ノードと接続され且つ抵抗値が異なる少なくとも２つの状態を有する抵抗変化素子と、を各々が具備し、第１軸および第２軸からなる行列状に配置された複数のメモリセルＭＣと、複数のビット線ＢＬと、を含んでいる。 - 特許庁

The data management system memory part 2 comprises a volatile or nonvolatile memory element rewritable to the same address, and has an area (a control information table) storing management information about sectors constituting the erasure blocks and an area (a data tag table) storing distinction information distinguishing the data that is a target of the data processing request, data storage place information and its state information.例文帳に追加

データ管理システムメモリ部２は、揮発性または不揮発性の同一アドレスに対して書き換え可能なメモリ素子からなり、消去ブロックを構成するセクタの管理情報を格納する領域（制御情報テーブル）と、データ処理要求の対象となるデータを識別する識別情報、データの格納場所情報とその状態情報を格納する領域（データタグテーブル）を有する。 - 特許庁

A valve mechanism adopting the shape memory alloy element is prepared by covering a pipe to be closed with a fastening means 1 made of thick and cylindrical sponge, surrounding its outer periphery by two arcuate outer plates 3 connected to both sides around an opening shape memory alloy piece 2, and attaching a strip-like bias spring 4 to its outer side along the outer plate.例文帳に追加

この形状記憶合金素子を用いたバルブ機構として、被閉塞管を厚肉円筒状のスポンジ等で作られた緊縛具１で包み、その外周を開放用形状記憶合金片２を中心として両側に接合された２枚の円弧状の外板３で取り巻き、さらにその外側に外板に添わせて帯状のバイアスばね４を取り付けた構造のものを用いる。 - 特許庁

By inserting the external memory 3 to the storage medium use slot 25 of the television receiver 1A, the television receiver 1A is allowed read reservation data from the external memory 3, specify a broadcast program corresponding to the reservation data from the EPG received and stored in advance and make the reservation on the basis of the information element denoting the broadcast program.例文帳に追加

そして、この外部メモリ３をテレビジョン受信機１Ａの記憶媒体用スロット２５に挿着することで、テレビジョン受信機１Ａがこの外部メモリ３から予約データを読み出し、予め受信し記憶してあるＥＰＧから上記予約データに対応する放送番組を特定して、この放送番組を表す情報要素をもとに予約設定を行うようにしたものである。 - 特許庁

A system control circuit 50 of an image processing apparatus 100 performs defective pixel correction processing, for an output of a photographing element 14, on level and address information of a defective pixel of an imaging element 14 stored in a nonvolatile memory 56 using predetermined thresholds different for each of R, G and B in accordance with white balance mode setting for correcting photographing conditions or a color temperature of a light source in photographing.例文帳に追加

画像処理装置１００のシステム制御回路５０は、不揮発性メモリ５６に記憶されている撮像素子１４の欠陥画素のレベルとアドレス情報に対し、撮影条件や撮影時の光源の色温度を補正するためのホワイトバランスモード設定に応じて、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に異なった所定のしきい値を用いて、撮影素子１４の出力に関し欠陥画素の補正処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁

When size difference in which the first size is smaller than a second size of the exposure surface provided in an image pickup element 116 is later determined on the basis of lens information read from the interchangeable lens 102, raw image data corresponding to the full image obtained on the exposure surface of the image pickup element 116 is stored in a memory card 176 along with the addition of lens information acquired from the interchangeable lens.例文帳に追加

その後、交換レンズ１０２から読み出されたレンズ情報に基づいて、撮像素子１１６に設けられた露光面の第２サイズより第１サイズが小さいサイズ不一致と判定される場合には、撮像素子１１６の露光面で得られる全体画像に相当するＲＡＷ画像データを、交換レンズから取得したレンズ情報を付加してメモリカード１７６に記憶する。 - 特許庁

The resistive memory element has a first electrode, a first insulating layer which is formed on the first electrode and has a first hole which exposes a part of the first electrode, a first resistance change layer which is brought into contact with the exposed first electrode and extended on the first insulating layer at a periphery of the first hole and a first switching element which is electrically connected to the first resistance change layer.例文帳に追加

第１電極、第１電極上に備わったものであり、第１電極の一部を露出させる第１ホールを有する第１絶縁層、露出された第１電極と接触され、第１ホール周囲の第１絶縁層上に拡張された第１抵抗変化層、及び第１抵抗変化層と電気的に連結された第１スイッチング素子を備える抵抗性メモリ素子である。 - 特許庁

To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加

高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The imaging element unit 51 comprises an imaging element 61 performing photoelectric conversion of the object image, an A/D conversion circuit 202 performing digital conversion of the output signal, a memory circuit 205 storing an adjustment value for matching the lens barrel unit 2 and the imaging circuit unit 1, and a trimming circuit 204 for correcting the output from the A/D conversion circuit 202 depending on the adjustment value.例文帳に追加

撮像素子ユニット５１は、被写体像を光電変換する撮像素子６１と、この出力信号をデジタル変換するＡ／Ｄ変換回路２０２と、レンズ鏡筒ユニット２と撮像回路ユニット１の整合をとるための調整値を記憶する記憶回路２０５と、調整値に応じてＡ／Ｄ変換回路２０２の出力を補正するトリミング回路２０４を具備している。 - 特許庁

The ferroelectric memory device includes a first word line WL extending in a first direction, a plurality of element regions 112 placed in the first direction on both sides of the first word line WL, and a plurality of first ferroelectric capacitors 170 respectively connected with the plurality of element regions 112 and driven by the first word line WL.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置を、第１の方向に延在する第１のワード線ＷＬと、第１のワード線ＷＬの両側に、第１の方向に配列された複数の素子領域１１２と、複数の素子領域１１２にそれぞれ接続され、第１のワード線ＷＬにより駆動される複数の第１の強誘電体キャパシタ１７０と、を有する構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory part where, provided in an element formation region within a chip region of a wafer, a cell is formed using a trenched capacitor, a bonding pad 304 provided around the element formation region, and a dummy trench 303 formed, at least, either above a dicing line 305 of the wafer or below the bonding pad 304.例文帳に追加

ウェハにおけるチップ領域中の素子形成領域に設けられ、セルがトレンチ型キャパシタを用いて形成されたメモリ部と、前記素子形成領域の周辺に設けられたボンディングパッド３０４と、前記ウェハにおけるダイシングライン３０５上、前記ボンディングパッド３０４下方の少なくともいずれかに形成されたダミートレンチ３０３とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This correction information creating device is provided with a storage control part 123 for making a memory 116 store the number of pixels from defective pixels 602 included in an imaging element 107 existing just before in the reading direction (y direction) of the imaging element 107 and pixels read first in the reading direction (y direction) and information indicating the necessity/non-necessity of correction while associated with each other.例文帳に追加

補正情報作成装置は、撮像素子１０７に含まれる各欠陥画素６０２について、撮像素子１０７の読み出し方向（ｙ方向）において直前に存在する、欠陥画素６０２及び読み出し方向（ｙ方向）において最初に読み出される画素からの画素数と、補正の要否を示す情報と、を関連付けてメモリ１１６に記憶させる記憶制御部１２３を備える。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

The semiconductor memory element is provided with a DFM register 16 for temporarily storing pin setting information on input/output pins of the element, and a test control circuit 15 for controlling the DFM register 16 so that the pin setting information is stored therein by the setting from the outside and the stored pin setting information is read out from the DFM register 16 by the setting from the outside.例文帳に追加

素子の入出力ピンのピン設定情報を一時記憶するＤＦＭレジスタ１６と、外部からの設定によりこのＤＦＭレジスタ１６へピン設定情報の記憶を実行させ、外部からの設定によりこのＤＦＭレジスタ１６から記憶されているピン設定情報の読出しを実行させるテスト制御回路１５とを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The flash memory element includes trenches formed in a predetermined region on the semiconductor substrate with a constant interval, embedded floating gates 112 formed by being embedded in the trenches, a plurality of element isolation films formed between the embedded floating gates, and a dielectric film 114 and a control gate 116 formed in the upper portion of the embedded floating gates 112.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子は、半導体基板上の所定の領域に一定間隔で離隔されて形成されたトレンチと、上記トレンチを埋め込んで形成された埋め込みフローティングゲート１１２と、上記埋め込みフローティングゲート間に形成された複数の素子分離膜と、上記埋め込みフローティングゲート１１２の上部に形成された誘電体膜１１４及びコントロールゲート１１６含むものである。 - 特許庁

The text voice synthesizing system is provided with a memory card 2-3 for recording a voice data as a text data, storing a word dictionary 4 and an element piece dictionary 5, and having a word dictionary for each usage 6, and can access information by using an index and keyword search.例文帳に追加

音声データをテキストデータとしてメモリカード２−３に記録し、単語辞書４、素片辞書５をメモリカード２−３に格納し、用途別単語辞書６をもつ形態で、見出し、キーワード検索による情報アクセスができるテキスト音声合成システムを構成する。 - 特許庁

This magnetic memory element utilizing a current induction switching comprises: a magnetic resistance structure containing a lower electrode and a free layer disposed on the lower electrode in which the distance between two sides opposed to each other is changed; and an upper electrode disposed on the magnetic resistance structure.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成され、対向する２辺の間隔が変化する自由層を備える磁気抵抗構造体と、磁気抵抗構造体上に形成された上部電極と、を備える電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子。 - 特許庁

The control part 34 judges the kind of the forceps connected based on data stored in advance in a memory 35 by the information on the kind of the forceps received from the coagulation dissection forceps 22 and controls output of the electric power on each exothermic element 21.例文帳に追加

前記制御部３４は、前記凝固切開鉗子２から受信した鉗子の種類の情報によって、メモリ３５に予め記憶されているデータに基づき、接続されている鉗子の種類を判断して発熱素子２１毎に電力の出力制御を行う。 - 特許庁

The buffer system includes a multi-purpose memory constitution element 32 which not only buffers information transferred between a peripheral storage device and a host computer system, but also stores a scratch pad accessible by a controller processor 52 and/or instructions.例文帳に追加

バッファシステムは、周辺記憶装置とホストコンピュータシステム４間で転送される情報をバッファするためだけでなく、コントローラプロセッサ５２によりアクセス可能なスクラッチパッドおよび／または命令の格納に使用するようにすることができる多目的メモリ構成要素３２を含んでいる。 - 特許庁

A lighting rate of the light emitting element is obtained on the basis of the image data written in the image memory 13, and period control data for controlling a period t1 of each scan line is read out from a lookup table 14 on the basis of the lighting rate and dimmer setting data.例文帳に追加

画像メモリ１３に書き込まれた画像データに基づいて発光素子の点灯率が求められ、前記点灯率およびディマー設定データに基づいてルックアップテーブル１４より、走査ライン毎の期間ｔ１を制御する期間制御データが読み出される。 - 特許庁

The device comprises an FPGA 12 as a configurable device, an interface for configurating the FPGA 12, and a memory element 21 wherein a program defining the hardware constitution of the FPGA 12 is written, which is arranged exterior of the device body A and is connected via the interface.例文帳に追加

コンフィギュアラブルデバイスであるＦＰＧＡ１２と、ＦＰＧＡ１２をコンフィギュレーションするためのインターフェイスと、ＦＰＧＡ１２のハード構成を規定するプログラムが書き込まれ、装置本体Ａの外部に配置され、インターフェイスを介して接続される記憶素子２１とを備える。 - 特許庁

In the liquid crystal display element 1 based on the liquid crystal layer 5 with memory composed of a cholesteric liquid crystal and so on, rubbing- treated thin film resin layers 23, 33 having ≥l60° more desirably ≥80° pretilt angle are formed on boundaries in contact with the liquid crystal layer 5.例文帳に追加

コレステリック液晶などのメモリー性を有する液晶層５による液晶表示素子１において、その液晶層５との界面に、６０°以上より望ましくは８０°以上のプレチルト角をもち、ラビング処理された樹脂薄膜層２３，３３を形成する。 - 特許庁

When the output section outputs the data read out from the buffer memory to the device of the succeeding stage, the section outputs the data in order from the line close to the picture origin of the picture data after the data are rotated based on a set rotational angle and the picture element close to the picture origin (step Sa4).例文帳に追加

バッファメモリから読み出した画像データを後段の装置に出力する際、設定された回転角度に基づく回転後の画像データの画像原点に近いラインから順番に、かつ画像原点に近い画素から順番に出力している（ステップＳａ４）。 - 特許庁

By applying the horizontal alignment interface in the completely wetted state to a liquid crystal display element, a liquid crystal optical switching device is obtained, for which alignment is 360° rotatable inside a horizontal plane with an external field (an electric or magnetic field) and which does not have switching threshold, while having a memory properties.例文帳に追加

上記水平配向の完全ぬれ状態の界面を液晶表示素子に応用することで、外場（電場・磁場）により水平面内に３６０度配向回転可能で、メモリ性を持ちながらスイッチング閾値のない、液晶光スイッチングデバイスを得る。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively and a contact area between a lower electrode and the phase transformation film can be made uniform over the entire region of a substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相変化膜の相変化に必要な電流を効果的に低減し、基板の全領域に亘って、下部電極と相変化膜との間の接触面積を均一にすることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent a thin film of a dielectric material or ferroelectric material having a high dielectric constant from deteriorating owing to hydrogen or water that an inter-layer insulating film or passivation film of an element of a memory semiconductor device using the thin film contains and stress of those films.例文帳に追加

高誘電率を有する誘電体材料または強誘電性材料の薄膜を用いたメモリ半導体装置の素子の層間絶縁膜やパッシベーション膜に含まれる水素や水およびこれら膜の応力が原因となる上記薄膜の劣化を防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric memory element 1 includes: forming an electrode 3 on a substrate 2; preparing a laminated body in which a ferroelectric layer 4 is laminated on an electrode 3; and carrying out heat treatment to the laminated body under a gas atmosphere containing moisture ≥23 g/m^3.例文帳に追加

基板２上に電極３が形成されており、電極３上に強誘電体層４が積層されている積層体を用意し、水分を２３ｇ／ｍ^３以上含むガス雰囲気下で積層体を熱処理する、強誘電体メモリ素子１の製造方法。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element in which fluctuation in the threshold voltage is suppressed even when information write and erase operations are repeatedly performed, compared with the case where at least one of an intermediate insulating layer, charge storage layer, and tunnel insulating layer does not include gallium oxide.例文帳に追加

本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

The dimensions of the helical antenna element 12 are changed by state change of a shape memory alloy, by a change in temperature, by activation of a piston by fluidic pressure, by linear motion of a conical tip, and by a manual screw-type adjustment.例文帳に追加

らせん形アンテナ素子１２の寸法は、形状記憶合金の状態を変えることと、温度を変えることと、流体圧を介してピストンを作動させることと、円錐形の先端を直線的に動かすことと、手動でねじ類を調節することとにより変化する。 - 特許庁