「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

This provides a method for manufacturing the semiconductor device having the logic and the flash memory more microscopic than a level of 0.18 μm capable of easily and accurately manufacturing the groove element separation, and this provides the semiconductor device.例文帳に追加

従って、０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

In the optical pickup device for holography using a holographic memory technology, a beam shaping prism 301 is arranged between a spatial light modulation element SLM204 and an objective lens 214 for expanding a minor axis of an elliptical outgoing light from a laser beam source 201.例文帳に追加

ホログラフィックメモリ技術を用いたホログラフィ用光ピックアップ装置において、空間光変調素子ＳＬＭ２０４と対物レンズ２１４との間に、レーザ光源２０１からの楕円出射光の短軸を拡大するためのビーム整形プリズム３０１を配置する。 - 特許庁

The CPU 27 computes a heat storage correction value Cn from the newest history data stored in the hysteresis memory 28 after a specified unit is printed and equalizes the heat storage profile staggering by making each heating element generate a heat energy corresponding to the heat storage correction value Cn.例文帳に追加

ＣＰＵ２７は、所定単位の印刷後に履歴メモリ２８に格納された最新の履歴データから蓄熱補正値Ｃｎを算出し、この蓄熱補正値Ｃｎに対応した熱エネルギを各発熱素子に発生させて蓄熱分布のバラツキを平準化する。 - 特許庁

The emission time control part 12 controls the emission time based on the color mixture ratio data stored in the color mixture ratio memory part 15 and the emission amount measured by the light-receiving element 14 so that the chromaticity of light by the plurality of LEDs 1-4 may be the desired chromaticity.例文帳に追加

発光時間制御部１２は、複数のＬＥＤ１〜４による光の色度が所望の色度になるように、混色比率記憶部１５に記憶された混色比率データ及び受光素子１４により測定された発光量に基づいて、発光時間を制御する。 - 特許庁

An NAND I/F 116 uses a program delay element 220 to delay a signal obtained by returning an RE signal, and outputs the signal as a second clock CLK2, and latches and outputs data read from a NAND memory 10 by using the second clock CLK2.例文帳に追加

ＮＡＮＤ Ｉ／Ｆ１１６は、ＲＥ信号を帰還させた信号をプログラムブル遅延素子２２０で遅延させて第２のクロックＣＬＫ２として出力し、第２のクロックＣＬＫ２を使用して、ＮＡＮＤメモリ１０から読み出したデータをラッチして出力する。 - 特許庁

At that time, with respect to an element the display of which is determined in the structured document contained in the page the display of which is indicated, character data are looked ahead in a cache memory in parallel to the layout processing of a printing area for displaying the paragraph.例文帳に追加

そして、このとき、表示が指示されたページに含まれる構造化文書において、表示されることが確定した要素については、その段落が表示される版面領域のレイアウト処理が行われるのに並行して、文字データがキャッシュメモリに先読みされる。 - 特許庁

A line processing calculation part 17 successively executes prescribed row processing for each row adjacent in the column direction by using the element located at the corner part of the same column as that of the corner part being a reference of each partial matrix as a starting point for calculation, and also, successively stores the results in a dual port memory part 3.例文帳に追加

行処理演算部１７は、各部分行列の基準となる隅部と同列の隅部に位置する要素を起算点として、所定の行処理を列方向に隣接する行毎に順次実行し、結果をデュアルポートメモリ部３に順次記憶する。 - 特許庁

The controller 300 includes an f-V converter 302, a voltage limiter 304, an electrical-angle computing element 306, a sine-wave data table 308, a three-phase sine-wave voltage computer 310, a low-pass filter 312, a PWM preparation part 314, and a memory 318.例文帳に追加

制御装置３００は、ｆ−Ｖ変換部３０２と、電圧制限器３０４と、電気角演算器３０６と、正弦波データテーブル３０８と、三相正弦波電圧算出部３１０と、ローパスフィルタ３１２と、ＰＷＭ作成部３１４と、メモリ３１８とを備える。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

In a method of designing a fixed format emissive display, a computing device having a processor and a memory is used, wherein the display includes an array of emissive pixel elements, and each pixel element includes at least two sub-pixel elements made of different materials.例文帳に追加

固定フォーマット発光性ディスプレイの設計方法であって、プロセッサおよびメモリを有する計算装置を使用するものが記載され、ディスプレイはアレイとなった発光画素素子を備え、各々の画素素子は、異なる材料からなる少なくとも２個の副画素素子を含む。 - 特許庁

The variable-resistance nonvolatile memory element can memorize information with the resistance change by the application of electrical stress, and consists of at least an electrode 2 formed on a substrate 1 and an oxide pn junction formed on the electrode 2.例文帳に追加

電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、基板１上に形成された電極２と、電極２上に形成された酸化物ｐｎ接合を少なくとも備えてなる。 - 特許庁

In starting, only when it is confirmed that the program data which are stored in the nonvolatile memory 13a in advance are program data capable of driving the connected image pickup element 16 effectively, the driving timing generating apparatus 13 is started using the program data.例文帳に追加

起動時には、予め不揮発性メモリ１３ａに保存されているプログラムデータが、接続されている撮像素子１６を有効に駆動し得るプログラムデータであることが確認された場合にのみ、当該プログラムデータを用いて駆動タイミング発生装置１３を起動する。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is increased in data loading speed in a page buffer by selecting data input via an IO pad to make only a desired data bus active, and prevents a power loss by reducing current consumption by an excess current.例文帳に追加

ＩＯパッドを介して入力されるデータを選択してプログラムを希望するデータパスだけをアクティブさせて、ページバッファへのデータロード速度を改善し、過度電流により電流消費を低減して電力損失を防止できるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

Writing into the memory element is executed by the application of a voltage to electrically connect the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112 via a conductive portion formed by the fusion of the nano-particles 114 composed of the conductive material.例文帳に追加

記憶素子への書き込みは、電圧の印加により導電性材料よりなるナノ粒子１１４の融着により形成される導電部を介して第１の導電層１１０と第２の導電層１１２とが電気的に接続させることにより行う。 - 特許庁

A memory device 40 comprises a latch circuit 41 to hold an output from an IL0 of a control circuit 31, a transistor 42 turned on by an output from the latch circuit 41, and fuse element 43 situated removably on a source line to the control circuit 31.例文帳に追加

４０は記憶装置で、制御回路３１のILO からの出力を保持するラッチ回路４１と、ラッチ回路４１からの出力でＯＮするトランジスタ４２と、制御回路３１への電源ラインに着脱可能に配置されるヒューズ素子４３とから構成される。 - 特許庁

To suppress electric field concentration generated at the edge part of an STI region (groove type element separation region) even when the MOS transistor of multiple power sources is formed in a peripheral circuit and to eliminate the kink characteristics of the MOS transistor in a semiconductor device loaded with an MONOS type nonvolatile memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリ搭載半導体装置で、周辺回路に多電源のＭＯＳトランジスタを形成してもＳＴＩ領域（溝型素子分離領域）のエッジ部に生じる電界集中を抑制し、ＭＯＳトランジスタのキンク特性をなくす。 - 特許庁

This optical amplifier comprises an optical coupler 2, stages of amplifiers 3, 4, and 7, an equalizer 5, a variable optical attenuator 6, a temperature detecting element such as a thermistor 9, a photodiode(PD) 10, an AD converter 13, an arithmetic unit (CPU) 11, and an external memory 16 between input and output ends.例文帳に追加

入出力端間に光カプラ２、複数段の増幅器３、４、７、イコライザ５、可変光アッテネータ６、サーミスタ９等の温度検出素子、フォトダイオード（ＰＤ）１０、ＡＤ変換器１３、演算装置（ＣＰＵ）１１および外部メモリ１６により構成される。 - 特許庁

When reading a plurality of accompaniment elements out of a memory part 6 and playing a automatic accompaniment, a control part 1 reads the accompaniment elements out sequentially and plays them in a playing order set with a reservation switch and an element selection switch of a switch part 4.例文帳に追加

制御部１は、メモリ部６に記憶された複数種類の伴奏エレメントを読み出して自動伴奏を行う場合に、スイッチ部４の予約スイッチ及びエレメント選択スイッチで設定された演奏順序に基づいて、各伴奏エレメントを順次読み出して演奏する。 - 特許庁

To dispose a non-contact type memory element (MIC) for recording the contents etc., of information recorded to a magnetic tape according to a request for a recording and reproducing device etc., using a magnetic tape cartridge in such a manner that the top surface of the cartridge case forms an angle of 45° with the bottom surface thereof.例文帳に追加

磁気テープカートリッジを使用する記録再生装置等の要求に応じて、磁気テープに記録された情報の内容等を記録する非接触式メモリ素子（ＭＩＣ）を、カートリッジケースの底面に対してその上面が４５度の角度をなすように配設する。 - 特許庁

In the printing press, at least one file for regenerating a visual and/or acoustic help instructions is stored in a memory device and alloted to at least one of a mechanical element, a machine function and/or an erroneous function or error setting.例文帳に追加

本発明による解決法では、視覚的かつ／または音響的なヘルプ指図を再生するための少なくとも１つのファイルが記憶装置に保存され、少なくとも１つの機械要素、機械機能、および／または誤機能または誤設定に割り当てられる。 - 特許庁

To provide a recorder, a recording method and a computer readable memory in which both recording speed drop due to deficient number of recording elements and cost increase due to presence of a recording element not used at all or not used for a long time can be prevented.例文帳に追加

記録素子数不足による記録速度の低下及び全く不使用あるいは不使用時間の長い記録素子が存在することによるコストアップの発生をともに防止することが可能な記録装置、記録方法及びコンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁

To display information relating to an optical memory element, which is a design of characters and patterns or the like and purposing improvement of decorative design, for example, information of manufacturing numbers, lot numbers or the like, a mark for adjusting a position or the like, without affecting to a reproduction image.例文帳に追加

再生像に影響を与えることなく、例えば文字，模様等のデザインであって意匠性の向上を目的とする情報、例えば製造番号，ロット番号等の情報、位置合わせ用マークなどの光メモリ素子に関する情報を表示可能とする。 - 特許庁

To find out a polyboride having a nature of developing residual magnetization as a new function which is not known at all in conventional polyborides, and to provide a magnetic memory element as well as a magnetic field sensor which employ the polyboride and which are excellent in resistance to acid, resistance to heat or the like.例文帳に追加

従来の多ホウ化物には知られていない全く新しい機能として、残留磁化を発現する性質を有する多ホウ化物を見出し、それを使用した耐酸性、耐熱性等に優れた磁気メモリー素子や磁場センサー素子を提供する。 - 特許庁

On the other hand, active width Lc of the gate end at the side of a capacitor for information accumulation of the MISFET for memory cell selection is set narrower than the minimum machining dimensions, thus increasing the influence of the boron segregation to the insulating film for composing the element separation region (a).例文帳に追加

一方、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの情報蓄積用容量素子側のゲート端の活性幅Ｌｃを最小加工寸法よりも狭くすることにより、素子分離領域ａを構成する絶縁膜へのボロン偏析の影響を大きくする。 - 特許庁

In a synchronous semiconductor memory device operated synchronizing with a clock, the element receives a command via at least one input pin synchronizing with a first edge 26 of the clock, and receives an address via the input pin synchronizing with a second edge 28 of the clock.例文帳に追加

クロックに同期して動作する同期式半導体メモリ素子において、前記クロックの第１エッジ２６に同期して、少なくとも一つの入力ピンを介してコマンドを受信し、前記クロックの第２エッジ２８に同期して、前記入力ピンを介してアドレスを受信する。 - 特許庁

To provide the capacitor of a semiconductor memory element together with its manufacturing method, wherein the yield voltage of a dielectrics film between a storage electrode and a plate electrode is raised while affected with no unconformity between the storage electrode and an embedded contact hole.例文帳に追加

ストレージ電極と埋没コンタクトホールとの不整合に影響を受けないようにして、ストレージ電極とプレート電極との間の誘電体膜の降伏電圧を強化させることができる半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法を提供するにある。 - 特許庁

In the memory element with a first electrode 22, a second electrode, and an oxide semiconductor layer 24 formed by calcium praseodymium manganate on the first electrode, a metal oxide layer 26 is provided between the second electrode 28 and the oxide semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１電極２２と、第２電極と、第１電極上にマンガン酸カルシウムプラセオジウムにより形成された酸化物半導体層２４とを備えるメモリ素子において、第２電極２８と酸化物半導体層２４との間に金属酸化物層２６を設けた。 - 特許庁

To provide a method of forming a transistor of a NAND flash memory element by which the performance of the transistor in a cell region and a peripheral region is improved by defining an active width wider than a real STI pitch by forming a step STI profile using a spacer.例文帳に追加

スペーサを用いたステップＳＴＩプロファイルを形成して実際ＳＴＩピッチより広いアクティブ幅を確保することにより、セル領域と周辺領域のトランジスタ性能を向上させるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法を提供する。 - 特許庁

To arrange a noncontact memory element (MIC) for recording contents or the like of information recorded in a magnetic tape so that its upper surface forms an angle of 45 degrees with respect to the bottom face of a cartridge according to a request from a recording/reproducing device or the like that uses a magnetic tape cartridge.例文帳に追加

磁気テープカートリッジを使用する記録再生装置等の要求に応じて、磁気テープに記録された情報の内容等を記録する非接触式メモリ素子（ＭＩＣ）を、カートリッジケースの底面に対してその上面が４５度の角度をなすように配設する。 - 特許庁

A shape memory alloy made oil spring 24 is arranged inside a heat sink 20 for radiating heat generated from a heating element 12, and a position of a sliding terminal of a slide volume 22 changes according to displacement of the coil spring 24 changing with temperature of the heat sink.例文帳に追加

発熱素子１２の発生する熱を放散させるヒートシンク２１の内部に形状記憶合金製のコイルバネ２３を配置し、ヒートシンクの温度に応じて変化するコイルバネ２３の変位に応じてスライドボリューム２２の摺動端子２２ｂのポジションが変化する。 - 特許庁

An extracting function 31 extracts the configuration element such as a server main body, a memory and a disk which corresponds to previously set system specifications 1, and the delivery date from an order/stock management system 6, a configuration library 7 and parts data 8 and prepares an extraction table.例文帳に追加

抽出機能３１は予め設定されたシステム仕様１に該当するサーバ本体やメモリ、及びディスク等の構成要素及び納入日を発注／在庫管理システム６と構成ライブラリ７と部品諸元８とから抽出して抽出表を作成する。 - 特許庁

A display image data generating section 112 subjects an image data recorded in a memory medium 158 to a resizing process by using one of a plurality of stored resizing algorithms, and generates a display image data suited to the number of display pixels of a display element 128.例文帳に追加

表示画像データ生成部１１２は、複数備えられるリサイズアルゴリズムのいずれかを用い、記憶媒体１５８に記録される記録画像データに対してリサイズ処理を施し、表示素子１２８の表示画素数に適合した表示画像データを生成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory element which stores data by holding electric charge in a floating gate 18 includes a MOS transistor 13 having the floating gate 18, and a capacitor C consisting of a metal layer with one end of the capacitor C connected to the floating gate 18.例文帳に追加

フローティングゲート１８に電荷を保持してデータを記憶する不揮発性半導体記憶素子であって、該フローティングゲート１８を有するＭＯＳトランジスタ１３と、メタル層で構成されたキャパシタＣとを有し、キャパシタＣの一端がフローティングゲート１８に接続されている。 - 特許庁

The analog signal level-converted by an input transformer group 1 is converted into a digital signal by a sample-and-hold circuit 3, a multiplexer 4, and an A/D converter 5 and stored into a memory 6 as voltage power data, after the high frequency element thereof is removed by an analog filter 2.例文帳に追加

入力トランス群１によりレベル変換されたアナログ信号はアナログフィルタ２にて高周波成分の除去が行われ、サンプルホールド回路３、マルチプレクサ４及びＡ／Ｄ変換器５にてデジタル信号に変換され、メモリ６に電圧、電力データとして格納される。 - 特許庁

The headphone 1 is provided with input-output terminal receiving parts 44 and 45 for an analog signal line and has a slot (external storage element mounting part)27 for a memory stick for fetching music data to the hard disk player 12, a terminal connection receiving part 23 for a USB cord or the like.例文帳に追加

ハードフォン１はアナログ信号ライン用入、出力端子受け部４４、４５を備えると共に、ハードディスクプレーヤー１２に音楽データを取り込むためのメモリースティック用スロット（外部記憶素子装着部）２７、ＵＳＢコード用端子接続受け部２３などを有する。 - 特許庁

An N+-type semiconductor region 6, where the lower electrode 49 of the capacitor element Cn is connected, is formed in an active region which is wider in area than an active region, where the source and drain (N--type semiconductor region 11) of a memory cell selection MISFET Qs are provided.例文帳に追加

容量素子Ｃn の下部電極４９が接続されるｎ^+ 型半導体領域６は、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）が形成された活性領域より広い面積の活性領域に形成される。 - 特許庁

An element region for holding a passing word line 36 of a block selector of the TC parallel unit serially connected type ferroelectric memory is connected by a lower electrode wiring of the capacitor, a hierarchical word line can pass thereon, and hence high integration is realized.例文帳に追加

また、ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリのブロックセレクター部の、通過ワード線３６を挟む素子領域の接続をキャパシタの下部電極配線にて行い、その上を階層ワード線が通過できるようにすることで、高集積化を達成する。 - 特許庁

In the memory element, information written in the magnetic body 10 can be read by detecting the current value of the current flowing in the first wiring 14 when electrons are moved from the second wiring 15 to the first wiring 14.例文帳に追加

この記憶素子は、第２の配線１５から第１の配線１４に電子を移動させた場合において、第１の配線１４に流れる電流の電流値を検出することによって、磁性体１０に書き込まれた記憶情報を読み取るようになっている。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC.例文帳に追加

このメモリセルＭＣの読み出し動作時には、温度依存性がない第１の電圧がビット線ＢＬｓに印加され、ダイオード２１の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第１の電圧より低い第２の電圧がワード線ＷＬｓに印加された状態で、メモリセルＭＣを流れる電流の変化に応じて相変化素子２０の抵抗状態がリード回路３２により検知される。 - 特許庁

For the liquid crystal display element composed of the liquid crystal composite composition of the dual frequency liquid crystal exhibiting memory property and the polymer, pulse voltage is applied to scanning electrodes R1-Rm and signal electrodes C1-Cn arranged in a matrix form, to bring the pixels at the intersecting positions into scattering or transparent state.例文帳に追加

メモリー性を示す２周波液晶と高分子の液晶複合組成物からなる液晶表示素子に対して、マトリクス状に配置した走査電極Ｒ１〜Ｒｍと信号電極Ｃ１〜Ｃｎにパルス電圧を印加して、交差位置にある画素を散乱または透明状態にする。 - 特許庁

When this method is used, the material of the substrate 1 can be selected freely and, accordingly, the manufacturing cost of the memory element can be reduced, because various kinds of semiconductor elements, such as the TFT, etc., constituting the peripheral circuits 21 and 22 can be obtained by only manufacturing necessary portions as TFT substrates.例文帳に追加

この製法により、周辺回路２１，２２を構成するＴＦＴ等の各種半導体素子はＴＦＴ基板として必要な部分のみ作成すればよいため、メモリ素子の基板１として材質を自由選ぶことができ、メモリ素子の製造コストを下げることができる。 - 特許庁

Each of the interpolation elements is composed of a half band pass filter and a polyphase filter serially connected thereto and in the polyphase filter, signals resulting from a delay element, a coefficient memory, a multiplexer, a multiplier and an adder circuit are processed in a rounding circuit and then outputted as an interpolated sample value.例文帳に追加

補完要素はハーフバンドパスフィルタとこれに直列に接続されたポリフェイズフィルタによって構成されこのポリフェイズフィルタは遅延要素、係数メモリ、マルチプレクサ、乗算器、加算回路から得た信号を丸め回路で処理された後補完されたサンプル値として出力される。 - 特許庁

The capacitative element includes: a lower electrode formed of a silicon film of the same layer as the control gate electrode CG; a capacitative insulator film formed of the insulator film of the same layer as the insulator film 5; and an upper electrode formed of the silicon film of the same layer as the memory gate electrode MG.例文帳に追加

容量素子は、制御ゲート電極ＣＧと同層のシリコン膜で形成された下部電極と、絶縁膜５と同層の絶縁膜で形成された容量絶縁膜と、メモリゲート電極ＭＧと同層のシリコン膜で形成された上部電極とを有している。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element operating method that can improve the speed of stabilizing the charges and re-coupling electrons and holes, reduce or prevent the reverse charges remaining in the charge trap layer in a programmed state and erased state, and secure the stabilized programmed state and erased state.例文帳に追加

電荷の安定化及び電子と正孔との再結合速度を向上させ、プログラム状態や消去状態で、反対電荷が電荷トラップ層内に残っていることを減らしたりまたは防止し、プログラム／消去状態の安定性を確保させる不揮発性メモリ素子の作動方法を提供する。 - 特許庁