「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, the transistor 4 executes selection of a memory cell while playing a role of a fusible element simultaneously.例文帳に追加

従って、トランジスタ４は、同時にヒュージブル素子の役割を果たしながらメモリセル選択の機能を実行し、上記構成は、溶断に必要なプログラミング電流で動作可能なトランジスタがより少数しか必要ない。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can stably write information by efficiently utilizing a magnetic field which is formed by a current that passes through a writing line, and to provide a magnetic memory device.例文帳に追加

書込線を流れる電流によって形成される磁界を効率よく利用し、情報の書込を安定して行うことのできる磁気抵抗効果素子およびそれを備えた磁気メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell which applies a voltage required to change it into a high resistance state or a low resistance state, to a variable resistance element by suitably controlling the resistance value.例文帳に追加

抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element using a nematic liquid crystal, which is easily fabricated, which has a memory property and a wide viewing angle display characteristic compatible with each other, which is highly precise and which has a wide viewing angle and low power consumption.例文帳に追加

簡便に作製できる、メモリー性と広視野角表示特性を両立した高精細、広視野角かつ低消費電力のネマチック液晶を用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has simple structure, allows low-power drive and high-speed operation, and is provided with one resistive element and one switch, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

簡単な構造を有し、低電力駆動及び高速の動作が可能で、かつ１つの抵抗体及び１つのスイッチを備えた不揮発性半導体メモリ素子、及び、その駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recorder which has a magnetic reproducing head equipped with a high-output magneto-resistive effect element, and a random access magnetic memory which has a magnetization inversion function by a high-polarization spin injection means.例文帳に追加

高出力な磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生ヘッドをもつ磁気記録装置と高偏極スピン注入手段による磁化反転機能を持つランダムアクセス磁性メモリを提供する。 - 特許庁

To make a lens interchangeable type camera applicable to a camera body having an image pickup element of a different configuration without increasing the size of a memory and, in addition, to enable the system to reduce the deterioration of picture qualities caused by shading.例文帳に追加

レンズ交換式のカメラシステムに於いて、メモリが大型化することなく、異なる構成の撮像素子を有したカメラボディにも適用可能で、且つシェーディングによる画質の低下を低減すること。 - 特許庁

To prevent influence of an element reducing reliability possessed by end cells in NAND-connected cells, that is, a cell of the most upper part or the lowest part of a series string, in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＮＡＮＤ接続されるセルの中の端セル、即ち、連続ストリングの最上部または最下部のセルが持っている信頼性を低下させる要素の影響を防止する。 - 特許庁

The non-polar type nonvolatile memory element is formed by utilizing the characteristics in which a resistance value changes depending on a change in voltage applied to an oxide film by a single electrode, wherein the oxide film is an oxide film made of aluminum.例文帳に追加

単一電極による酸化膜への電圧の変化によって抵抗値が変わる特性を利用したノンポーラ型の不揮発性メモリー素子であって、その酸化膜がアルミの酸化膜である。 - 特許庁

A memory element obtained by anodizing a bulk aluminum plate or an aluminum thin film formed by sputtering or evaporation coating, in a solution of oxalic acid or sulfuric acid, especially exhibits excellent characteristics as a non-polar type.例文帳に追加

バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。 - 特許庁

Then, the correspondence relation of the proper intensity of the reflected light to the intensity of the reflected light received actually by the light-receiving element 12 of the radiation thermometer 10 is stored in the memory 6 as a calibration data.例文帳に追加

そして、適正反射光強度と実際に放射温度計１０の受光素子１２が受光した反射光強度との対応関係をキャリブレーションデータとしてメモリ６内に格納する。 - 特許庁

When it is detected that the output signal of the sensor 30 (a light-receiving element 32) is changed to 'L' from 'H', a time measuring part 42 stops the time measuring operation, and it reads out the measured time so as to be stored in a memory.例文帳に追加

センサ３０（受光素子３２）の出力信号が”Ｈ”から”Ｌ”に変化したことを検出すると時間計測部４２に計測を停止させ、計測時間を読み取り、メモリに記憶する。 - 特許庁

A photographing image by an imaging element 14 is stored for a fixed time in a precedent image memory 20b via a camera signal processor 16 and a compressing/extending device 18 by starting the prerecording mode.例文帳に追加

プレ記録モードの開始により、撮像素子１４による撮影画像が、カメラ信号処理装置１６及び圧縮伸長装置１８を介して先行画像メモリ２０ｂに一定時間分、蓄積される。 - 特許庁

To provide a display element which is hardly degraded in display quality even in repetitive use over a long period of time, is driven at a low voltage, has an excellent memory property, and makes a multi-color display.例文帳に追加

長期間にわたる繰り返し使用においても表示品質の劣化が少なく、低電圧での駆動が可能で、優れたメモリー性を有し、多色カラー表示が可能な表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has an anti-fuse, which prevents written information from being analyzed even through the use of a technique that analyzes the presence or absence of charge-up on a gate electrode, as a memory element.例文帳に追加

ゲート電極へのチャージアップの有無を解析する手法を用いても、書き込まれた情報を解析することができないようにするアンチヒューズをメモリ素子として有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a first large size tape cartridge C1 having a large size in the height, a placing part 32 is provided in the raised bottom condition on the internal bottom surface of the body case 1, and a memory element 25 is placed on this placing part 32.例文帳に追加

高さ寸法の大きい第１の大型テープカートリッジＣ１においては、その本体ケース１の内底面上に載置部３２を底上げ状に設け、この載置部３２上にメモリ素子２５を載置する。 - 特許庁

The first large-sized tape cartridge C1 of the greater height size is provided with a loading part 32 like a raised bottom on the inner base surface of its body case 1 and the memory element 25 is placed on the loading part 32.例文帳に追加

高さ寸法の大きい第１の大型テープカートリッジＣ１においては、その本体ケース１の内底面上に載置部３２を底上げ状に設け、この載置部３２上にメモリ素子２５を載置する。 - 特許庁

An internal parameter control signal generating unit 110-0 which generates the internal parameter control signal R <0> includes an antifuse element 90-0 formed by a data holding capacitor 85 of a memory cell.例文帳に追加

内部パラメータ制御信号Ｒ＜０＞を生成する内部パラメータ制御信号生成ユニット１１０−０は、メモリセルのデータ保持キャパシタ８５によって形成されるアンチヒューズ素子９０−０を含む。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a resistance variable layer 7 having a value of resistance varied with an application of a voltage, constituting a resistance variable type memory element and formed on the second electrode 6 while being in contact with the second electrode.例文帳に追加

また、さらに、電圧の印加により抵抗値が変化し、抵抗変化型の記憶素子を構成し、第２電極６上に接して形成された抵抗変化層７を含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

Information on the module is received from information source by the communication element 46 on the tag side to read and process it later while the module is held in the container, and the information is selectively stored in the tag memory 44.例文帳に追加

モジュールが容器内にある間に、後に読み出して処理できるよう、タグ側通信素子４６により情報源からそのモジュールに関する情報を受信し、タグメモリ４４内に選択的に格納する。 - 特許庁

A signal obtaining section 107 samples, from an ultrasound probe 103, acoustic signals detected by the probe elements corresponding to the selected partial region and stores the sampled acoustic signals in an element data memory 108.例文帳に追加

信号取込み部１０７は、超音波探触子１０３から、選択された部分領域に対応するプローブ素子で検出された音響信号をサンプリングし、素子データメモリ１０８に格納する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device mounting a semiconductor memory 31 and a semiconductor switching element 32 mixedly on a semiconductor substrate 1 which can be manufactured through a simple process at a low cost.例文帳に追加

半導体基板１上に半導体スイッチング素子３１と半導体記憶素子３２とを混載した半導体装置であって、簡単なプロセスで容易に作製でき、低コスト化できるものを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device mounting a semiconductor memory 31 and a semiconductor switching element 32 mixedly on a semiconductor substrate 1 which can be fabricated through a simple process at a low cost.例文帳に追加

半導体基板１上に半導体記憶素子３１と半導体スイッチング素子３２とを混載した半導体装置であって、簡単なプロセスで容易に作製でき、低コスト化できるものを提供すること。 - 特許庁

To provide a perovskite manganese oxide thin film which shows a charge alignment phase becoming a principle of the enormous resistance change at a temperature not lower than room temperature and can be applied to a memory element or the like.例文帳に追加

メモリ素子等に適用可能な、巨大抵抗変化の原理となる電荷整列相を室温以上において示すペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To prevent the lifting and peeling of a ferroelectric layer on the outer periphery edge of a semiconductor wafer in a semiconductor device comprising a ferroelectric capacitor for use in a nonvolatile memory element etc.例文帳に追加

不揮発性記憶素子等に用いられる強誘電体キャパシタを備えた半導体装置について、半導体ウェハの外周縁部上における強誘電体層の浮きや剥がれを防止すること。 - 特許庁

Even if a semiconductor element formed in the memory array portion 42 itself is higher than that in the peripheral circuit portion 44, the upper surfaces of both semiconductor elements are made nearly the same level.例文帳に追加

メモリアレイ部４２に形成される半導体素子自体の高さが周辺回路部４４に形成されるそれより高い場合であっても、双方の半導体素子の上面の高さをほぼ同一にできる。 - 特許庁

To provide a resistance memory element, provided with a resistive layer including a metal oxide and a metal ion dopant, which can be formed at low temperatures and has superior electrical properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低温形成が可能であり、かつ優秀な電気的特性を有する、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層を備えた抵抗メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, P-type impurity ions 8 for element-isolating memory cells are implanted using the gate electrode 3 and the side wall oxide film 7 as masks for the formation of P-type impurity regions.例文帳に追加

その後、ゲート電極３及びサイドウォール酸化膜７をマスクとしてメモリセルの素子分離のためのＰ型不純物のイオン注入８をすることによって、Ｐ型不純物領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of minimizing a magnetic tunnel junction (MTJ) element while preventing a short circuit between an upper electrode and a lower electrode or contact failure between the upper electrode and wiring.例文帳に追加

上部電極と下部電極との間の短絡、あるいは、上部電極と配線との接触不良を抑制しながら、ＭＴＪ素子を微細化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enable quick big deformation, unfrequent wrong operations and high speed actuation in the actuation element or actuator of very simple structure using a shape memory alloy.例文帳に追加

形状記憶合金を用いた極めて簡単な構成の動作エレメント又はアクチュエータであって、大きな変形が迅速に生じるとともに、誤作動が少なく、かつ高速動作が可能なものとする。 - 特許庁

The ferroelectric memory element 1 has a ferroelectric layer 5 of a tetragonal structure composed of BiFeO_3 having (001) orientation formed on a perovskite type electrode 4 deposited on an Si oxide film.例文帳に追加

Ｓｉ酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極４上に、テトラゴナル構造で（００１）配向のＢｉＦｅＯ_３からなる強誘電体層５を有してなる強誘電体メモリ素子１。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

This method performs programming and erasing by applying composite pulses of DC pulses contributing to programming or erasing and AC perturbations pulses promoting re-coupling and relocating of charges to a nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子にプログラムや消去に寄与するＤＣパルスと電荷の再結合や再配置を促進するＡＣ摂動パルスとの複合パルスを印加してプログラムや消去を行う作動方法である。 - 特許庁

To provide a structured document processor capable of further effectively utilizing a hardware resource such as a memory in processing such that an element content in a structured document is outputted by use of a style sheet.例文帳に追加

スタイルシートを用いて構造化文書中の要素内容を出力する処理において、よりメモリなどのハードウェア資源を有効活用することができる構造化文書処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

In a display element which is equipped with a driver (transistor) and a display (liquid crystal panel), the driver is constituted of a memory transistor 20, which has an accumulation region 16 capable of charge accumulation.例文帳に追加

１の下地部１０上に駆動部（トランジスタ）および表示部（液晶パネル）を備える表示素子において、電荷を蓄積可能な蓄積領域１６を有するメモリトランジスタ２０により駆動部を構成する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device comprising a magnetoresistance effect element having good magnetic characteristics and exhibiting excellent writing characteristics by minimizing degradation of a magnetic resistance change rate due to heat treatment.例文帳に追加

熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To write information by each bit in an OTP memory using a storage element of an insulation film breakdown type which stores the information by breakdown of a gate insulation film.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜を破壊することにより情報を記憶するような、絶縁膜破壊型の記憶素子を用いたＯＴＰメモリにおいて、１ビットずつ情報の書き込みを実行できるようにする。 - 特許庁

To reduce the amount of data to be stored in a timing generator with built-in memory for generating a timing pulse to be used for driving a solid-state image pickup element, and to provide the flexible function of this timing generator.例文帳に追加

固体撮像素子の駆動に用いられるタイミングパルスを生成するためのメモリ内蔵型タイミングジェネレータに格納すべきデータの量を低減し、かつ同タイミングジェネレータの柔軟な機能を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic element such as a DRAM semiconductor memory with which proper capacitor characteristics or recording characteristics can be obtained even if the capacitor structure is very small, or a field effect transistor.例文帳に追加

本発明は、容量構造が非常に小さくとも、好適な容量特性や記録特性が得られるＤＲＡＭ半導体メモリまたは電界効果トランジスタ等の電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structured document processor capable of further effectively utilizing a hardware source such as a memory in processing such that an element content in a structured document is outputted by use of a style sheet.例文帳に追加

スタイルシートを用いて構造化文書中の要素内容を出力するような処理において、よりメモリなどのハードウェア資源を有効活用することができる構造化文書処理装置えお提供する。 - 特許庁

To provide an element having a laminate gate structure such as a non-volatile memory in which a hole to be formed in an insulating film on the source/drain areas is made shallow, and the dimension is easily made fine.例文帳に追加

不揮発性メモリ等の積層ゲート構造をとる素子において、ソース及びドレイン領域上の絶縁膜に形成する孔を浅くし、寸法の微細化を容易にできる構造を提供する。 - 特許庁

A digital camera 1 is provided with an imaging element 102, a display control section 106, a video memory 107, a monitor 108, a field angle revision switch 203, a cross-key 205, a display changeover switch 206, and a display replacement switch 207.例文帳に追加

デジタルカメラ１は、撮像素子１０２、表示制御部１０６、ビデオメモリ１０７、モニタ１０８、画角変更スイッチ２０３、十字キー２０５、表示切替スイッチ２０６、表示入替スイッチ２０７を備える。 - 特許庁

A control circuit 24 reads the position information indicating the installation position from the memory 26, and causes a light-emitting element 28 to output the position information and identification information of the PLC modem device 20 as an optical signal.例文帳に追加

制御回路２４は、メモリ２６から設置位置を示す位置情報を読み出し、位置情報とＰＬＣモデム装置２０の識別情報を発光素子２８から光信号として出力させる。 - 特許庁

The substrate 100 has a first surface for mounting the substrate 100 on a nonstandard memory element 50, a pin matching circuit, and a second surface structured so as to connect the matching circuit to the standard pin configuration.例文帳に追加

インタフェース基板１００は、非標準メモリ素子５０に実装するための第１面、ピン整合回路、ならびにピン整合回路を標準ピン構成に結合するように構成された第２面を有する。 - 特許庁