「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

The read circuit decides data logic stored in the memory cell, based on the read voltage of the read node which varies with a current, flowing in the variable resistance element and the negative resistor circuit, according to the initial voltage.例文帳に追加

読み出し回路は、初期電圧に応じて可変抵抗素子および負性抵抗回路に流れる電流により変化する読み出しノードの読み出し電圧に基づいて、メモリセルに保持されているデータの論理を判定する。 - 特許庁

To fabricate a folding CCD memory in a pixel of a "video signal integration element" capable of ultrahigh-speed imaging of a reproducible phenomenon under low illumination by fine CMOS process (only one layer of silicide is provided).例文帳に追加

再現性のある現象を低照明下で超高速度撮影できる「映像信号積算素子」の画素内の折り畳みＣＣＤメモリーを微細ＣＭＯＳプロセス（１層のシリサイドしか提供されていない）で作る。 - 特許庁

The apparatus for producing a patch holds matrix data D in which a plurality of elements are arranged in row and column directions and each element is provided with values from 0 to n (n is an arbitrary positive integer) in a memory.例文帳に追加

貼付剤製造装置は、メモリに、複数の要素が行方向および列方向に配列されるとともに各要素に０〜ｎ（ただし、ｎは任意の正の整数）までの値が付与されたマトリクスデータＤを保持している。 - 特許庁

To provide a printer in which the data of the residual quantity of ink or the like can be rewritten surely even if a memory element having a small number of rewritable times is mounted on an ink cartridge, and an ink cartridge for use in the printer.例文帳に追加

インクカートリッジに搭載される記憶素子として書き換え許容回数の低いものを用いても、インク残量等データを確実に書き換えることのできるプリンタおよびこれに用いてインクカートリッジを提供する。 - 特許庁

An electronic camera performs charge storage in an imaging element 2 according to an imaging instruction, stores a swept out image signal in a memory 8, and is also used for reproduction display by the display apparatus 7 and recording in a recording medium 13.例文帳に追加

電子カメラは、撮影指示に応じて撮像素子２に電荷蓄積させ、掃き出させた画像信号をメモリ８に格納し、表示装置７による再生表示にも記録媒体１３への記録にも用いる。 - 特許庁

A prism 11 separates an input light beam, and a memory 21B stores a photographing signal Db, based on an optical image from an image- pickup element 12B and horizontally inverted corrects the horizontal inversion by changing the read sequence.例文帳に追加

入力光線をプリズム１１で分解し、撮像素子１２Ｂからの左右反転された光学像に基づく撮像信号Ｄbをメモリ２１Ｂに書き込むと共に読み出し順序を変更して左右反転を補正する。 - 特許庁

The memory element 12 is equipped with a function of storing a parameter for correction based on the voltage drop property, and the electric capacity of the battery cell is computed from the voltage of the measured battery cell, using the parameter stored in advance, as a correction.例文帳に追加

メモリ素子は（１２）、電圧降下特性に基づく補正用パラメータの記憶機能を備え、電池セルの電気容量は、予め記憶されたパラメータを補正値として使用し、測定した電池セルの電圧から演算する。 - 特許庁

The magnetic memory element having a nonmagnetic layer 14 between a first ferromagnetic layer 13 and a second ferromagnetic layer 15 is obtained by constituting the nonmagnetic layer 14 of a material which is changed in its electrical characteristics by an external magnetic field.例文帳に追加

第１の強磁性層１３と第２の強磁性層１５の間に非磁性層１４を有する磁気メモリ素子において、外部磁界により電気的特性が変化するもので非磁性層１４を構成する。 - 特許庁

Rewriting of record is performed by irradiating the optical memory element whose fluorescent intensity is increased by excited light irradiation with irradiation light having intensity higher than that of the excited light to decrease the fluorescent intensity.例文帳に追加

励起光照射により蛍光強度を増加させた光メモリ素子に、励起光よりも高い強度を有する照射光を照射して蛍光強度を減少させることにより記録の書き換えを行う。 - 特許庁

The network element units 11 to 18 each has an input part to which packet data are inputted, a buffer memory in which the inputted packet data are stored, and an output part for outputting the stored packet data to the outside.例文帳に追加

各ネットワークエレメントユニットは、パケットデータが入力される入力部３１と、入力されたパケットデータを蓄積するバッファメモリ３２と、蓄積されたパケットデータを外部に出力する出力部３３とを有している。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus capable of performing image transformation that does not bring about much image degradation by collectively performing gradation conversion and density conversion even when no mass memory or a fast computing element are provided.例文帳に追加

大容量のメモリー、高速な演算器を備えていなくても、階調変換および密度変換を一括しておこなうことで画質低下の少ない画像変換が可能な画像処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a plate line forming method enabling an electrical connection by contacting an upper electrode of a ferroelectric substance without connection through a contact, relating to forming the ferroelectric substance memory element.例文帳に追加

本発明は強誘電体の記憶素子の形成方法に関するものであり、コンタクトを通じず直接強誘電体の上部電極に接触して電気的接続が成されるプレートライン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer capable of reducing times and labors when a user purchases consumables, in the printer for executing printing for an image data, using the consumables attached with a memory element allowing reading-out and writing-in for data.例文帳に追加

データの読出し及び書込みが可能な記憶素子が取り付けられた消耗品を用いて画像データの印刷を実行するプリンタにおいて、ユーザが消耗品を購入する際の手間を軽減できるプリンタを提供する。 - 特許庁

A magnetic memory element MM includes a fixed layer 1 which has a fixed magnetization direction and a recording layer 3 which has at least an easy magnetization axis and which is varied in its magnetization direction by an external magnetic field.例文帳に追加

磁気記憶装置における磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固着層１と、少なくとも磁化容易軸を有し外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含んでいる。 - 特許庁

To shape each magnetoresistive effect element in a magnetic memory strictly beyond the resolution limit of photolithography when it is shaped to be effective for suppressing the variation of an inverted magnetic field.例文帳に追加

磁気メモリ装置における各磁気抵抗効果素子を反転磁界ばらつき抑制に効果的な形状とするのにあたり、その形状をフォトリソグラフィの解像度限界を超えて厳密に形成することを可能とする。 - 特許庁

In a noncontinuous mode in the still picture mode, a still picture compression circuit 30 compresses a photographed image (exposed image by an image pickup element 12) at that point of time in response to depression of a release switch 40 and a flush memory 32 records the compressed image.例文帳に追加

静止画モードの非連動モードでは、レリーズスイッチ４０の押下に応じて、その時点の撮影画像（撮像素子１２の露光画像）を静止画圧縮回路３０で圧縮し、フラッシュメモリ３２に記録する。 - 特許庁

The initializing signal to each storage element circuit of the memory circuit is supplied by one signal line 14, and a pMOS 00-1, in which a source electrode is connected to a high power source Vdd by the initializing signal, is transferred to the ON state.例文帳に追加

メモリ回路の各記憶素子回路への初期化信号を１本の信号線１４で供給し、該初期化信号でソース電極が高電源Ｖddに接続されているｐＭＯＳ ００-1をオン状態に遷移させる。 - 特許庁

This circuit is controlled with the first bit and word lines, and further provided with a clear logic circuit for setting a memory element to a first value when the first bit and word lines are active.例文帳に追加

また、この回路は、第１のビット線及び第１のワード線によって制御され、前記第１のビット線及び前記第１のワード線が活動状態の場合、メモリ素子を第１の値に設定するクリア論理回路を備える。 - 特許庁

An antenna element 10 is mounted on one main surface of the laminated substrate 101, and circuit elements such as an IC 201 for down converter, a CPU chip 301, and a flash memory 302 are mounted on the other main surface thereof.例文帳に追加

積層基板１０１の一方主面にはアンテナ素子１０が実装され、他方主面にはダウンコンバータ用ＩＣ２０１、ＣＰＵチップ３０１およびフラッシュメモリ３０２等の実装回路素子が実装されている。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive element 10 including a fixed layer 12 whose magnetization direction is fixed, a recording layer 14 whose magnetization direction is variable and a nonmagnetic layer 13 disposed between the fixed layer 12 and the recording layer 14.例文帳に追加

磁気メモリは、磁化方向が固定された固定層１２と、磁化方向が可変の記録層１４と、固定層１２と記録層１４との間に設けられた非磁性層１３とを含む磁気抵抗素子１０を具備する。 - 特許庁

The multi-timing control section includes a plurality of timing controllers which in turn reads data from the memory element, in response to a reset signal and outputs a power supply control signal to control the timing of the output of an analog power supply.例文帳に追加

マルチタイミング制御部は、リセット信号に応答して順次にメモリ素子からデータを読み込む複数のタイミングコントローラーを含み、アナログ電源の出力のタイミングを制御する電源制御信号を出力する。 - 特許庁

To provide a highly reliable nonvolatile memory cell which can be mounted in a CMOS manufacturing process, and sufficiently exhibits capabilities in writing, reading, and erasing while suppressing an increase in element area.例文帳に追加

ＣＭＯＳ製造プロセス工程内で実装が可能で、素子面積の拡大を抑制しながらも、書き込み、読み出し、及び消去の能力を十分に発揮できる信頼性の高い不揮発性メモリセルを提供する。 - 特許庁

Since the context parameter of the syntax element decoded in the first half is evacuated from the arithmetic register to the evacuation register, CABAC decoding processing is progressed without performing load processing or store processing into a main memory 300.例文帳に追加

また、前半に復号されるシンタックス要素のコンテキスト変数は、演算レジスタから退避レジスタに退避されるため、メインメモリ３００へのロード処理またはストア処理を行うことなくＣＡＢＡＣ復号処理が進められる。 - 特許庁

To provide a method of depositing a metal oxide insulating film by which leakage current density can be reduced and device characteristics and reliability can be improved in the deposition of the insulating film for a nonvolatile semiconductor memory element.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Provided is the semiconductor device having a non-volatile memory cell which includes a writing transistor using an oxide semiconductor, a reading transistor using semiconductor material different from the writing transistor, and a capacitative element.例文帳に追加

酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ、該トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve data maintenance characteristics of a nonvolatile memory element of variable resistance type, having a laminate structure comprising a lower electrode, metal oxide and an upper electrode by reducing the probability of detrapping of electric charges from interface trap.例文帳に追加

下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。 - 特許庁

In either of the first and second non-volatile memory elements 108A, 108B, data are memorized, and the other is made not to function as a data memorizing element.例文帳に追加

第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂの一方は、データが記憶され、第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂの他方は、データを記憶する素子として機能させないことができる。 - 特許庁

In the display device whose response speed is improved by using an overdrive correction circuit which adjusts voltage impression quantity to a liquid crystal element, the number of frames per second is increased by a memory and a frame converter circuit.例文帳に追加

液晶素子に電圧印加量を調整するオーバードライブ補正回路を用いて応答速度を改善した表示装置であって、メモリとフレームコンバータ回路によって１秒当たりのフレーム数を増加させる。 - 特許庁

A semiconductor device has a nonvolatile memory cell comprising: a write transistor using an oxide semiconductor; a p-channel read transistor using a semiconductor material different from the write transistor; and a capacitative element.例文帳に追加

酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ、該トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用のｐチャネル型トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multiport memory element capable of preventing a first high data error phenomenon in initial operation in a current sensing system global data bus transmission and reception structure without inducing any problems in the transmission of raw data.例文帳に追加

本発明は、ローデータ伝送時問題を誘発しないながら、電流センシング方式のグローバルデータバス送受信構造における初期動作時最初ハイデータエラー現象を防止できるマルチポートメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

A memory element 12 is provided to store predetermined kinds of normal working state data in a state that the consumable part (a load 14) is in a normal state, and a standard deterioration time or the standard number of deterioration working times.例文帳に追加

消耗部品（負荷14）の正常な状態における予め定めた種類の正常時稼動状態データと、標準劣化時間または標準劣化稼動回数とを記憶しておく記憶素子12を設ける。 - 特許庁

To reduce the number of operations by a microcomputer, to reduce the monitoring memory capacity, to correctly reproduce the generation of the gate pulse and the glitch, and to greatly shorten the tracing time for the cause of failures of a switching element.例文帳に追加

マイクロコンピュータの演算数を低減し、モニタ用メモリ容量の低減を図ると共に、ゲートパルスとグリッジの発生を正確に再生し、スイッチング素子の故障原因の追跡時間を大幅に短縮させることにある。 - 特許庁

The memory element has a structure composed of a multi-ferroic solid material 1 and is disposed such that its upper and lower metal electrodes 2 and 2' are applied with the electric field, thereby using electric charge and magnetization induced between the upper and lower metal electrodes 2 and 2'.例文帳に追加

メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。 - 特許庁

To vary output timing of read data from a memory 1 and absorb a difference between characteristics of elements due to a difference and secular change per each device and element by corresponding even to high speed data exchange and not increasing a circuit scale.例文帳に追加

メモリ１からのリードデータの出力タイミングを可変し、装置毎、素子毎のバラツキや経年変化による素子の特性の違いを、高速のデータ受け渡しにも対応し、回路規模を増大させることなく吸収する。 - 特許庁

In a voice recognition device, a data block DB 21 including all the parameters which can be traced from information stored in one unigram element UE 12 is collectively transferred from the HDD to a memory.例文帳に追加

本発明の音声認識装置においては、１つのユニグラムエレメントＵＥ１２に格納されている情報から辿ることができる全てのパラメータを含むデータブロックＤＢ２１を、一括してHDDからメモリに転送するようにする。 - 特許庁

An information recording medium used for a fade-in memory is an arrangement in which metal nano-particles 16 are processed to nano-scale and self-organized on a semiconductor chip, and the metal nano-particles 16 are a basic unit of an information recording element.例文帳に追加

フェードインメモリに用いる情報記録媒体は、金属ナノ粒子１６をナノスケールに加工し半導体チップ上に自己組織化させた配列体で金属ナノ粒子１６を情報記録素子の基本単位とする。 - 特許庁

To provide a rational and efficient learning correction control by improving a memory renewal method of a correction amount data in the case of making learning corrections on an operating pressure on a friction element at speed change time.例文帳に追加

変速時に摩擦要素に対する作動圧の学習補正を実行する際の補正量データの記憶更新方式を改善して該学習補正制御を合理的かつ効率的なものとすることを課題とする。 - 特許庁

In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio.例文帳に追加

この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。 - 特許庁

Thus, operations for reading the generated data from the memory so as to supply them to the raster forming element are made extremely simple; the image processing speed is increased; and further, the image can be rapidly printed.例文帳に追加

こうすれば、生成したデータをメモリから読み出してラスタ形成要素に供給するための操作が極めて簡素なものとなり、画像処理速度が向上して、延いては、画像を迅速に印刷することが可能となる。 - 特許庁

The transfer data after being stored in a temporary memory 2 are read out with a 1st readout signal of a control part 1, a CRC computing element 4 performs CRC operation, and CRC operation data are outputted from a selector 5.例文帳に追加

転送データは、一時メモリ２に格納された後、制御部１の１回目の読出信号により読み出されＣＲＣ演算器４にてＣＲＣ演算が行われ、セレクタ５からＣＲＣ演算データが出力される。 - 特許庁

To provide a conductive liquid-crystal material which exhibits excellent conductivity even in a room temperature range and has properties such as excellent charge mobility, and to provide a liquid-crystal composition, a liquid crystal element and an information memory medium.例文帳に追加

室温域でも優れた導電性を発現し、電荷移動度にも優れる等の特性を有する導電性液晶材料、更には液晶組成物び液晶半導体素子、更には情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

The area of each OEL element corresponds to a value shown by an image signal of each memory cell connected thereto, and the area ratio is set to S1:S2:S3:S4:S5:S6=1:2:4:8:16:32, so that light is emitted at a brightness proportional to the area.例文帳に追加

各ＯＥＬ素子の面積は、接続された各メモリセルの画像信号が示す値に対応し、その面積比は、Ｓ１：Ｓ２：Ｓ３：Ｓ４：Ｓ５：Ｓ６＝１：２：４：８：１６：３２となっており、面積に比例した明るさで発光するように設定されている。 - 特許庁

To provide an optical information recorder being a hologram memory system which operates at a high speed and can be miniaturized, and can provide lower price and higher reliability by using a reflection type spatial light modulation element having a simple structure.例文帳に追加

ホログラムメモリシステムである光情報記録装置において、高速で動作し、かつ微細化可能であり、さらに簡単な構造を有する反射型の空間光変調素子を使用して、低コスト化、高信頼化を図る。 - 特許庁

To prevent the deterioration of the characteristics of a ferroelectric element or ferroelectric memory caused by the damage given to the periphery of a capacitor by etching and, in addition, the bad influence of electric fields exerted upon a ferroelectric substance in the periphery of the capacitor.例文帳に追加

強誘電体素子あるいは強誘電体メモリにおいてキャパシタ周囲のエッチングダメージによる特性劣化を防止し、かつキャパシタ周囲の強誘電体に電界が及ぶことによる悪影響を防止する。 - 特許庁

To improve the efficiency at the time of thermal printer main body initial setting, head replacing work, or the like by providing a memory means for storing various kinds of information concerning a heat generating element and a driving circuit in a thermal head.例文帳に追加

サーマルヘッドに、発熱素子及び駆動回路に関する各種情報を記憶する記憶手段を備えたことによって、熱転写プリンタの本体の初期設定又はヘッド交換作業等の効率化を図る。 - 特許庁