「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

In the display action of the organic electroluminescence display device 2, the control data are read from the fuse memory element 300 to an adjustment value register group 304 used for the control of the electronic volume.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置２の表示動作では、ヒューズメモリ素子３００から制御データが調整値レジスタ群３０４に読み出され、電子ボリュームの制御に供される。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus and a control method which do not require any memory dedicated to storage of light-shielding image data for detecting a defective pixel of an imaging element.例文帳に追加

撮像素子の欠陥画素検出用の遮光時の画像データを格納する専用のメモリを必要としない安価な撮像装置及び制御方法を提供する。 - 特許庁

Data read out of the memory M are segmented by a computing element 28, held in an arithmetic result register 32, and sent to the processor P through a processor interface circuit 10.例文帳に追加

メモリＭから読み出されたデータは、演算器２８で切出し処理されて、演算結果レジスタ３２に保持され、プロセッサインタフェース回路１０を介してプロセッサＰに送られる。 - 特許庁

To suppress the generation of at a step at the end face of a conductive plug in the upper region of a capacitance element in a semiconductor device including a memory and a logic.例文帳に追加

メモリ部とロジック部とを含む半導体装置において、容量素子の上部の領域において、導電プラグの終端面における段差の発生を抑制する。 - 特許庁

On the ferromagnetic layer 14 which will becomes the memory layer of the MTJ element 1, a closed magnetic path layer 17 is formed through metal layers 15, 16 and with a central part being separated from the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層１４の上に、金属層１５、１６を介するとともに中央部を離間して閉磁路層１７を設ける。 - 特許庁

The image element data read out of a read out address of the fixed address area in response to the reception of a fixed address designation display command are written and stored into a frame buffer memory.例文帳に追加

そして、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリアの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

With a clock signal applied to the D flip-flop M3 as a reference, time is delayed by 't', '2t', and '3t', respectively, and the D flip-flops of a memory element operate with time delay.例文帳に追加

ＤフリップフロップＭ３に印加されるクロック信号を基準に，“ｔ”，“２ｔ”，“３ｔ”時間ずつ遅延し，メモリ素子の各Ｄフリップフロップは互いに時差をおいて動作する。 - 特許庁

A pull-down element (PD) is provided corresponding to each word line for adjusting, according to fluctuations in threshold value voltage of a memory cell transistor, a voltage level when a word line (WL) is selected.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するプルダウン素子（ＰＤ）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To provide the new device configuration of an electronic element or an electronic device including one transistor/one capacitor type random access memory (RAM) for high speed access and high density.例文帳に追加

高速アクセスと高密度化のための１トランジスタ１キャパシタ型ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含む、電子素子又は電子装置の新規なデバイス構造を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.例文帳に追加

コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE LAYER WITH DIFFERENT CRYSTALLINE LATTICE STRUCTURE IN ONE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT WITH TITANIUM-DIFFUSION PREVENTING MEANS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

１層で異なる結晶格子構造を有する相変化層及びその形成方法、並びにＴｉ拡散防止手段を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The byte code executing mechanism 1 receives the judged result, and operates the writing or reading of information by referencing the designated element by using the whole memory as a data storage area.例文帳に追加

バイトコード実行機構１は、この判別結果を受けて、メモリ全体をデータ格納領域として、指定された要素を参照して情報の書込みまたは読出しを行う。 - 特許庁

To provide a user data management device allowing mutual information equipment terminals to safely move specific user data without using an external storage element, such as, memory card.例文帳に追加

メモリカード等の外部記憶素子を用いずに、情報機器端末同士で特定のユーザデータの移動を安全に行うことが可能なユーザデータ管理装置を提供する。 - 特許庁

A microcomputer 10 uses tables and calculation formulas stored in a memory 11 to obtain driving conditions of a cooling part 15 and a display element 6 on the basis of the detection results.例文帳に追加

マイコン１０は、メモリ１１に記憶されたテーブルや演算式を用いて、これらの検出結果に基づき、冷却部１５や表示素子６の駆動条件を求める。 - 特許庁

Also, a magnetic information storage device in which high integration can be obtained by utilizing such a magnetic information recording element and applying it to the magnetic information storage device (memory).例文帳に追加

また、このような磁気情報記録素子を利用して磁気情報記憶装置（メモリ）に適用することで、高集積化可能な磁気情報記憶装置が得られる。 - 特許庁

Thereby, an electric power consumption of the phase change memory element can be decreased by reducing a contact area of the heating electrode 106 and the phase change substance pattern 116a.例文帳に追加

これによって、加熱電極１０６と相変化物質パターン１１６ａの接触面積を減少させて相変化記憶素子の消費電力を減少させることができる。 - 特許庁

To ensure bistability comprising a complete planar state exhibiting specular reflection and a focal conic state in a liquid crystal display element provided with a liquid crystal layer with memory.例文帳に追加

メモリー性を有する液晶層を備えた液晶表示素子において、正規反射を示す完全プレナー状態とフォーカルコニック状態の双安定性を確保する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element which is subjected to reformation and prevented from deteriorating in data holding properties before delivery.例文帳に追加

くせ付けが行なわれるメモリ素子について、出荷前におけるデータ保持特性の劣化を防止することができる不揮発性メモリの製造方法等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁

Meanwhile, magnetization difficult axis regions 112 and 114 which have the property not desirable as the memory cell are not used as a component of the tunnel magnetoresistance element TMR.例文帳に追加

一方、メモリセルとして望ましくない特性を有する磁化困難軸領域１１２，１１４は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの構成部分としては、用いられない。 - 特許庁

In the printer 1, a sequential access type EEPROM having a small number of rewritable times is employed as a memory element 80 mounted on an ink cartridge 107K, 107F.例文帳に追加

プリンタ１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆに搭載の記憶素子８０として、シーケンシャルアクセスタイプであり、書き換え許容回数の低いＥＥＰＲＯＭを用いる。 - 特許庁

To provide constitution of a semiconductor memory in which redundancy relieving can be normally performed even when defect is caused in a program element storing a defective address.例文帳に追加

不良アドレスを記憶するプログラム素子に欠陥が生じた場合においても、冗長救済を正常に実行することが可能な半導体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

For example, a digital video signal corresponding to an output of the color solid-state imaging element 11 is fed to an image pattern detection circuit 41c via a 4H line memory 41b.例文帳に追加

たとえば、カラー固体撮像素子１１の出力に対応するデジタル映像信号は、４Ｈラインメモリ４１ｂを介して、画像パターン検出回路４１ｃに送られる。 - 特許庁

To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子（１００）における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁

This memory device comprises a capacitive element C1 connected to an input end for receiving an input signal Vccd through a switch SW1.例文帳に追加

本発明は、端子がスイッチＳＷ１を介して、入力信号Ｖｃｃｄを受け取るための入力端に接続された容量性エレメントＣ１を含むメモリデバイスに関する。 - 特許庁

To provide a resistance change element capable of binarization or multivalued configuration and of controlling a change in resistance with precision, a memory cell array, and a resistance change device.例文帳に追加

本発明によれば、２値又は多値化が可能で抵抗の変化を制度よく制御できる抵抗変化素子、本発明のメモリセルアレイ、及び抵抗変化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device using a nonvolatile variable-resistance element with a large capacity which can be inexpensively produced, suppress sneak current, and be rapidly operated.例文帳に追加

大容量で安価、回り込み電流が抑制され、且つ、高速動作が可能な不揮発性の可変抵抗素子を用いる不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

A light-emitting element 10 writes driving current values of each of the LED chips 11-13 in a flash memory 16 when a MCU 15 takes a writing order from outside.例文帳に追加

発光素子１０は、外部からＭＣＵ１５に書き込み命令が与えられると、各ＬＥＤチップ１１〜１３の駆動電流値をフラッシュメモリ１６に書き込むことができる。 - 特許庁

To provide a resistance control method for a nonvolatile variable resistance element that allows a plurality of memory cells to be written, erased, and forming processed simultaneously.例文帳に追加

複数のメモリセルに対して同時に書き込み動作、消去動作、及び、フォーミング処理を行うことのできる不揮発性可変抵抗素子の抵抗制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory element including a ferroelectric layer increased in uniformity in a polarization direction to increase accuracy in writing and reading.例文帳に追加

分極方向の均一性が高められた強誘電体層を有し、書き込み及び読み出しに際しての精度を高め得る強誘電体メモリ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a technique for promoting microfabrication, while suppressing an OFF current of a polysilicon diode as a selection element in a nonvolatile memory device, by reducing thickness of the device.例文帳に追加

不揮発性記憶装置において、選択素子であるポリシリコンダイオードのオフ電流を抑制しつつ、デバイスの厚さを低減することで微細化を推進する技術を提供する。 - 特許庁

The memory element is formed by using a precursor without containing hydrogen as an interlayer insulation substance.例文帳に追加

メモリ素子及びその製造方法について開示し、該メモリ素子は、層間絶縁物質として水素を含まない前駆体を使用して形成したメモリ素子及びその製造方法である。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing occurrence of a consecutive pixel defect although the capacity of a memory for storing addresses of defective pixels is selected smaller than the capacity equivalent to the number of all pixels of an solid-state imaging element.例文帳に追加

欠陥画素のアドレス記憶用のメモリの容量を固体撮像素子の全画素数相当より少ないものとしながら、連続画素欠陥を防止できるようにする。 - 特許庁

The hologram memory element 1 uses a lithium niobate or lithium tantalate single crystal containing 1-5 mol%, in total, of one or more selected from Mg, Sc, Zn and In and one or more group VIII elements such as Fe, Co, Ni, Ru, Rh and Pd.例文帳に追加

ニオブ酸リチウム単結晶体またはタンタル酸リチウム単結晶体中に、Ｍｇ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｉｎのいずれか１種以上とＦｅを合計１〜５モル％含有して成る。 - 特許庁

To provide a detachable function-expansion electronic device capable of expanding functions of the electronic device without an effort to record data and a memory element used by the electronic device.例文帳に追加

データの記録に手間を要することなく、電子装置の機能も拡張可能な着脱式機能拡張電子装置と、これに用いるメモリ素子とを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having a magnetoresistance effect element which efficiently utilizes a magnetic field for achieving stable data writing and the stable storage of written data.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリデバイスにおいて、磁界を効率よく利用して書込を安定して行い、かつ、書き込まれた情報を安定して保持する。 - 特許庁

Whereby, the information memory element, which has high matching with a semiconductor process, can be microfabricated, is less in a power consumption, and is longer in information holding time, can be attained.例文帳に追加

これにより、半導体プロセスとの整合性が高く、微細化が可能であり、低消費電力で情報保持時間が長い情報記憶素子を実現することができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device with less defective element by preventing the occurrence of over-program even when a rewrite frequency is increased, and to obtain a control method thereof.例文帳に追加

書き換え回数が増大した場合であっても、オーバープログラムの発生を防止し、不良素子を減少できる半導体記憶装置およびその制御方法が得られる。 - 特許庁

To provide a storage element having a composition where it can hold low a voltage value required for initialization operation, and secure fully breakdown voltage of a memory layer.例文帳に追加

記憶層の耐圧を充分に確保することを可能にすると共に、初期化動作に必要な電圧値を低く抑えることが可能な構成の記憶素子を提供する。 - 特許庁

An n layer 11a as a component of a drain of an EEPROM memory cell 41 is simultaneously formed together with the n layer 11a of another element 42b of a mask ROM 42.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭメモリセル４１のドレインの構成要素であるｎ層１１ａと共に、マスクＲＯＭ４２の他方の素子４２ｂのｎ層１１ａを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a flash memory element which reduces a programmed threshold voltage variation by preventing coupling and securing uniformity, and to provide its driving method and a manufacturing method.例文帳に追加

カップリングを防止し且つ均一性を確保することにより、プログラムしきい値電圧変動を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁

For that purpose, an actual change condition which is a change condition of revolution speed of each rolling element 8a, 8b at the time is compared with a normal change condition stored in memory.例文帳に追加

この為に、その時点での上記各転動体８ａ、８ｂの公転速度の変化状態である実変化状態を、メモリに記憶させた正常変化状態と比較する。 - 特許庁