「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic memory element generates a leakage magnetic field in a parallel magnetization state, so the leakage magnetic field is made to operate on a permanent magnet to generate power.例文帳に追加

磁気メモリ素子は磁化状態が平行状態のときに漏洩磁界が生じるため、当該漏洩磁界を永久磁石に作用させて動力を発生する。 - 特許庁

The magnetic memory includes a switching element 6 controlled in its conductivity by a gate electrode 5 and three magnetoresistive elements 44, 48, 52 connected thereto in series.例文帳に追加

ゲート電極５によって伝導を制御されたスイッチング素子６と、それに直列接続された３つの磁気抵抗効果素子４４，４８，５２を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the reliability of an element operation can be improved by increasing the read margin and enhancing the accuracy of reading.例文帳に追加

読出しマージンを増加させて読出し動作の正確度を高め、素子動作の信頼性を向上させることが可能な半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The ultrasonic beam forming system, which has a simple constitution and is produced at a low cost, uses an analog random access memory (RAM) element in each beam forming channel.例文帳に追加

簡単かつ低コストな超音波ビーム成形システムは、それぞれのビーム成形チャネルについて、アナログのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）素子を使用している。 - 特許庁

The control circuit 20 performs write-in control for writing desired data in the memory cell 10 by varying a resistance value of the magnetic resistance element 11.例文帳に追加

制御回路２０は、磁気抵抗素子１１の抵抗値を変化させることによって、メモリセル１０に所望のデータを書き込むための書き込み制御を行う。 - 特許庁

An electronic camera includes: an imaging element imaging a subject image; a memory; a face detection section; a face recognition section; a speaker outputting sound to outside; and a control section.例文帳に追加

電子カメラは、被写体像を撮影する撮像素子と、メモリと、顔検出部と、顔認識部と、外部に音を出力するスピーカーと、制御部とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can improve current inductive capability, without causing drop in the junction breakdown voltage (JBV).例文帳に追加

ジャンクジョンブレークダウン電圧（ＪＢＶ）の低下なしで電流誘導能力を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the result of this, the overcurrent generated by the snap-back is suppressed, so that damage to the nonvolatile memory element can be reduced.例文帳に追加

その結果、スナップバックにより発生する過剰電流が抑制されることから、不揮発性メモリ素子に加わるダメージを低減することが可能となる。 - 特許庁

To provide a data processor which can be quickly and surely restarted even when a memory as a control element fails, and to provide a control method thereof.例文帳に追加

制御要素であるメモリに異常が生じた場合でも、その後の迅速かつ確実な再起動が可能なデータ処理装置及びその制御方法を提供。 - 特許庁

To provide a method for driving a liquid crystal element which responds with a low voltage and within a short period of time and has a memory property, without scattering a colored state.例文帳に追加

着色状態を散乱させることなく、低電圧かつ短時間で応答し、メモリ性を有する液晶素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The magnetic memory element whose integration degree is improved compared to a conventional case by adopting the vertical transistor 120 is obtained.例文帳に追加

このようにすれば、垂直型トランジスタ１２０を採用することによって従来に比べて集積度が向上した磁性体メモリ素子が具現される。 - 特許庁

To provide a method for driving a liquid crystal display element capable of driving a liquid crystal composite composition of a dual frequency liquid crystal exhibiting memory property and a polymer in a multi-dot matrix.例文帳に追加

メモリー性を示す２周波液晶と高分子の液晶複合組成物を多ドットマトリクス駆動できる液晶表示素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can stably perform writing, erasing, and reading in a repeated manner with quite a simple structure.例文帳に追加

構造が極めて単純で、かつ繰り返して書き込み、消去、読み出し動作を安定に行うことのできる、不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a write current is applied through a magnetic memory cell to initiate magnetic precession of the element to a desired magnetic state.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従えば、書込電流が磁気メモリセルを通して印加されて、所望の磁化状態への素子の磁気歳差運動を開始する。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁

To obtain a storage device where sufficient data reliability is obtained and that flexibly copes with a change in the data reliability of a storage element of a memory chip.例文帳に追加

十分なデータ信頼率が得られるとともに、メモリチップの記憶素子のデータ信頼率の変化に柔軟に対応することができる記憶装置を提供する。 - 特許庁

An FPN (Fixed Pattern Noise) memory 14 stores a digital pixel signal in a dark state outputted from a logarithmic conversion solid-state imaging element 11 on the basis of the scanning clock.例文帳に追加

ＦＰＮメモリ１４は、走査クロックに基づいて対数変換型固体撮像素子１１から出力された暗時のディジタル画素信号を記憶する。 - 特許庁

The gate terminal of each side wall memory element 522 is connected to a word line 523, the source terminal is connected to the ground, and the drain terminal is connected to a bit line 523.例文帳に追加

各サイドウォールメモリ素子５２２のゲート端子はワード線５２３に、ソース端子はグランドに、ドレイン端子はビット線５２４にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

The apparatus executes a way memoization, which may utilize a memory address buffer element that is operable to store information associated with previously accessed addresses.例文帳に追加

本装置はウエイ記憶を実行し、ウエイ記憶は以前にアクセスしたアドレスに関連する情報を格納するよう動作するメモリアドレスバッファ要素を利用する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of providing a low operation current, high integration, and a higher speed, and to provide its operating method and its manufacturing method.例文帳に追加

低い動作電流、高集積化及び高速度化を提供できる不揮発性メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an internal power generation circuit of semiconductor memory element which can suppress potential raise of internal power caused by dark current flowing in a pull-up driving part.例文帳に追加

プルアップ駆動部に流れる暗電流による内部電圧の電位上昇を抑制できる半導体メモリ素子の内部電圧発生回路を提供すること。 - 特許庁

To incorporate accurately an optical memory element in the prescribed position in a drive by simplifying structure of a drive and suppressing a manufacturing cost low.例文帳に追加

ドライブの構造を簡素化し、コストを低く抑えることができるようにし、ドライブ内の所定位置に光メモリ素子が精度良く装着されるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of retaining multiple-valued information and available as a multiple-valued memory or a neuron element of a neuron computer, and its driving method.例文帳に追加

多値メモリやニューロンコンピュータのニューロン素子として利用可能な、多値情報を保持できる半導体装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element where a sufficiently long hold time to permit practical use is achieved even if a tunnel insulating film is made thin.例文帳に追加

トンネル絶縁膜を薄くしても、実用化に耐える十分に長い保持時間を実現する半導体記憶素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a driving circuit and method of a display element having display memory property in which coloring and color erasing are switched over by potential difference of applied voltages.例文帳に追加

印加する電圧の電位差で着色及び消色を切替える表示メモリ性を有する表示素子の駆動回路及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

When the memory element is in logical HIGH state, the ions are moved towards the cannel region 23 by the polarity of an electric field, so that the channel region 23 becomes conductive.例文帳に追加

メモリ素子が論理ハイ状態を表すときには、電界の極性によりイオンはチャネル領域の方向に移動しチャネル領域が導通状態となる。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor storage element wherein a data can be written by preventing the effect to other circuits with no increase in chip area of a memory LSI.例文帳に追加

メモリLSIのチップ面積を増加させずに、他の回路へ影響を防止し、高信頼性でデータの書込みが可能な半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein the coupling ratio of floating gates is ensured to an utmost and an element which is smaller than a conventional case can be obtained.例文帳に追加

フローティングゲートのカップリング比を最大限確保し且つより小さいサイズの素子を実現することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A switching element for disconnecting DC current with the finish of reading data from the memory is inserted to a path through which the DC current flows.例文帳に追加

メモリからのデータの読み出し終了と共に直流電流を遮断するためのスイッチ素子を直流電流が流れる経路に挿入する。 - 特許庁

Since a deep trap is formed by doping with a transition metal in the high dielectric film, a retention characteristics of the nonvolatile semiconductor memory element is improved.例文帳に追加

これにより、高誘電膜内に遷移金属をドーピングして深いトラップを形成させるため、不揮発性半導体メモリ素子のリテンション特性を改善しうる。 - 特許庁

A rhythm deformation/sound quality deterioration table is generated by subjectively evaluating rhythm deformation quantities and sound quality deterioration degrees and stored into a memory 6 for element selection.例文帳に追加

韻律変形量と音質劣化度合との主観評価を行なって韻律変形・音質劣化テーブルを作成して素片選択用メモリ６に格納する。 - 特許庁

The memory element ME is disposed over a slit on a local wiring formed so as to have the slit of ≥100 nm on its one part.例文帳に追加

また、記憶素子ＭＥは、その一部に１００ｎｍ以下の幅のスリットを有して形成されたローカル配線上に、スリットを跨いで配置されている。 - 特許庁

A second coil spring 313 is made of shape memory alloy and generates force acting on a valve element 309 in a direction to enlarge opening degree of a valve opening 310.例文帳に追加

弁口３１０の開度を拡大させる向きの力を弁体３０９に作用させる第２コイルバネ３１３を形状記憶合金製とする。 - 特許庁

In the switching element driving circuit 110, operation processing is executed by a central processing unit (CPU) or a memory circuit Me etc. which is built in a microcomputer 111.例文帳に追加

スイッチング素子駆動回路１１０では、マイコン１１１に内蔵された中央演算処理回路ＣＰＵ又はメモリ回路Ｍｅ等によって演算処理を行う。 - 特許庁

The plotting circuit 154 writes the image element data read from the automatic transfer area 155B to the write address in the frame buffer memory 156 to be stored.例文帳に追加

描画回路１５４は、自動転送エリア１５５Ｂから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリ１５６における書込アドレスに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

To obtain a display element using a low-molecular weight liquid crystal, capable of reversibly transferring by only electric stimulation between different two states having memory property.例文帳に追加

メモリー性を有する異なる２状態間を電気刺激のみで可逆的に遷移させる事が可能な低分子液晶を用いた表示素子を提供する。 - 特許庁

The sensing circuit 10 includes a cross coupling type sensing circuit 48 for connection to a memory element, a pull-up circuit 44, and a multistage pull-down circuit 50.例文帳に追加

感知回路１０は、メモリ素子、プルアップ回路４４及び多段のプルダウン回路５０と結合するための交差結合型感知回路４８を含む。 - 特許庁

According to one embodiment, the information contained in a memory element can be uploaded to a central processing location or other position defined by user.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、メモリ素子に含まれる情報を中央処理ロケーションまたはユーザによって定義された他の位置にアップロードすることができる。 - 特許庁

To provide a metal thin film which is manufactured at a low cost and is excellent in memory property, responsiveness and light resistance in the case of being used as an electrochromic element.例文帳に追加

安価に製造することができ、エレクトロクロミック素子として用いたときに、メモリー性、応答性、耐光性に優れた金属系の薄膜を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device having a memory element of simple structure having an organic compound layer interposed between a pair of conductive layers and the method of manufacturing it are provided.例文帳に追加

一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multiport memory device capable of executing various multimedia functions with an external device equipped with an application element required of independent data processing.例文帳に追加

独立的なデータ処理が要求される応用素子を備えた外部装置と多様なマルチメディア機能を行うことができるマルチポートメモリ素子を提供する。 - 特許庁

Next, after removing the first buried element isolation insulating film 22, the bottom face thereof and the source region of a memory central transistor are ion injected with impurities.例文帳に追加

そして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２を除去した後に、その底部とメモリセルトランジスタのソース領域とに不純物をイオン注入する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MATERIAL, FERROELECTRIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FILM, FERROELECTRIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, FERROELECTRIC MEMORY AND PIEZOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

強誘電体材料、強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリならびに圧電素子 - 特許庁