「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

A contact plug 19 is formed on the first bit wire 101, an MTJ element 82 of a second memory element is formed on the contact plug 19, a contact plug 23 is formed on the MTJ element 82, and a second bit line 102 is formed on the contact plug 23.例文帳に追加

第１ビット線１０１上にコンタクトプラグ１９が設けられ、コンタクトプラグ１９上に第２の記憶素子であるＭＴＪ素子８２が形成され、ＭＴＪ素子８２上にコンタクトプラグ２３が形成され、コンタクトプラグ２３上に第２ビット線１０２が形成される。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device consists of a liquid crystal display element 100 having a memory property, wherein display is performed by utilizing selective reflection of a cholesteric liquid crystal phase, and a frontlight 50 for illuminating the liquid crystal display element 100 from the observation side of the element 100.例文帳に追加

コレステリック液晶相の選択反射を利用して表示を行うメモリ性を有する液晶表示素子１００と、液晶表示素子１００の観察側から該素子１００を照明するためのフロントライト５０とからなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

A polarity of an electric power source applied to a Hall element 3 is switched by a switching circuit 2, a sensor signal from the Hall element 3 is sample-held before and after switching the polarity of the electric power source, an offset of the Hall element is extracted from sample holding values thereof, and the offset is stored in a memory 12.例文帳に追加

スイッチ回路網２によりホール素子３に与える電源の極性を切り替え、ホール素子３のセンサ信号を、電源の極性の切り替えの前後でサンプルホールドし、このサンプルホールド値からホール素子のオフセットを抽出し、オフセットをメモリ１２に記憶しておく。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

A memory element includes a MTJ structure consisting of: a memory layer which has magnetization perpendicular to the film surface and holds information by a magnetization state of a magnetic material; a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to the film surface serving as a reference for information stored in the memory layer; and an intermediate layer made of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とにより、ＭＴＪ構造を持つ。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The memory-cell array 4000 has a plurality of element separating regions 900, and each of the plurality of memory cells 410 has a source region, a drain region, a channel region interposed between the source and drain regions, a selecting gate 411 and a word gate 412 provided oppositely to the channel region, and a nonvolatile memory element 413 formed between the word gate 412 and the channel region.例文帳に追加

メモリセルアレイ４０００は、複数の素子分離領域９００を有し、複数のメモリセル４１０の各々は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域間のチャネル領域と、チャネル領域と対向して配置されたセレクトゲート４１１及びワードゲート４１２と、ワードゲート４１２とチャネル領域との間に形成された不揮発性メモリ素子４１３とを有する。 - 特許庁

To obtain a technology for integrating a logic element requiring high performance and a memory element requiring high quality and high integration on the same substrate while reducing a cost and the number of processes furthermore.例文帳に追加

高性能化が要求される論理素子と高品質かつ集積化が求められるメモリー素子とを同一基板上に集積化する技術の実現を図ると共に、更なるコスト低減、工程数削減などに寄与する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.例文帳に追加

エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage element by preventing the generation of a hole trap and a defect in a gate oxide film in a memory cell through a data erasing operation and stabilizing an operation by suppressing the fluctuation of element characteristics.例文帳に追加

データ消去動作によりメモリセルにホールトラップやゲート酸化膜の欠陥を生じさせにくく、素子特性の変動を抑制して動作の安定化を図った不揮発性半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

The variable resistance element 101 in a memory element 1 has the component of a variable resistance layer 22 that is made of a metal oxide, and changes in resistance according to a control condition (voltage pulse application).例文帳に追加

メモリ素子１における可変抵抗素子部１０１は、金属酸化物材料から形成され、制御条件（電圧パルスの印加）に応じて抵抗変化を生じる可変抵抗層２２をその構成要素として有している。 - 特許庁

Each network element NE being a component of a network has a memory 1 that stores element map information whose contents are a connection state between the NE and path map information whose contents are a connection state of paths passing through the NE.例文帳に追加

ネットワークを構成する各ネットワークエレメントＮＥは、ＮＥ間の接続状態を内容とするエレメントマップ情報と、ＮＥ内を通るパスの接続状態を内容とするパスマップ情報とを記憶するメモリ１を有する。 - 特許庁

A data structure converter 4-2 traces pointers in the order, starting from a leading element by using an address of the leading element for the data in the list structure, discretely disposed on the memory 5 and converts the data into data in an array structure.例文帳に追加

データ構造変換部４−２は、メモリ５上に離散的に配置されているリスト構造のデータに対し、先頭要素のアドレスを用いて、先頭要素からポインタを順に追跡し、配列構造のデータに変換する。 - 特許庁

The display area determining unit 3 monitors data present inside the virtual picture area of the virtual screen memory 2, detects an element disposed lowest in the virtual picture area or a visible element and performs scroll control.例文帳に追加

表示領域判定部３は、仮想画面メモリ２の仮想画面領域内に存在するデータを監視し、仮想画面領域の最も下方に配置されている要素や可視要素等を検出して、スクロール制御を行う。 - 特許庁

To provide a phase change memory element for preventing degradation and heat loss in a programming region by forming a lower electrode contact layer from a phase change material in order to solve the problem of element degradation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子の劣化問題を解決するために、下部電極コンタクト層を相変化物質から形成し、プログラミング領域での劣化及び熱損失を防止した相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a circuit board 1 in which a component 6 is mounted on a multilayer board 5 formed by alternately laminating a thermoplastic resin film 2 and a conductor pattern 3, a wireless IC4 equipped with a wireless communication circuit element 11 and a memory element 12 is arranged.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルム２と導体パターン３とを交互に積層した多層基板５に部品６を搭載した回路基板１に、無線通信回路素子１１と記憶素子１２とを備えた無線ＩＣ４を配置した。 - 特許庁

To provide an information recording element excellent in moldability and processability, especially an information recording element wherein an organic material exhibiting dielectric characteristics available as a nonvolatile memory is employed in a dielectric layer.例文帳に追加

成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which changes resistance by injecting a highly concentrated charge into a channel using an electrical double layer method and also to provide a memory element using the field effect transistor as a switching element.例文帳に追加

電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To suppress an increase of a memory capacity used for correcting a displacement of each read position of imaging element rows when an image of an original is enlarged and read by using a plurality of imaging element rows disposed side by side.例文帳に追加

並べて配置された複数の撮像素子列を用いて原稿の画像を拡大して読み取る際に、撮像素子列間の読み取り位置のずれを補正するために使用するメモリの容量の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a spin injection element and a spin field effect transistor capable of application to a memory and a logic element based on the spin valve effect obtained by injecting carriers spin-polarized from a ferromagnetic substance at normal temperatures.例文帳に追加

常温で強磁性体からスピン分極されたキャリアを半導体に注入して得られるスピンバルブ効果から、メモリ及び論理素子への応用が可能なスピン注入素子及びスピン電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that stably performs an erasing operation of a resistance change element by reducing interconnect resistance between a selection transistor and the resistance change element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

選択トランジスタと抵抗変化素子との間の配線抵抗を低減して、抵抗変化素子の消去動作を安定して行うことを可能にする半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sticking evaluation memory 13c stores a cumulative light emission time corresponding to the driving time of each light emitting element from the start point of driving to a current point as information showing the degree of deterioration of the light emitting element.例文帳に追加

焼き付き評価メモリ１３ｃには、駆動開始時点から現時点までの各発光素子の駆動時間に対応した累積発光時間が当該発光素子の劣化程度を示す情報として格納される。 - 特許庁

In order to obtain the exposure characteristics by each laser light emitting element LD, data is written in each memory in the first mode and then each LD is driven, thus detecting the exposure characteristics of each element and generating its correction data.例文帳に追加

そして、各レーザ発光素子ＬＤによる露光特性を得るためには、第１のモードでデータを各メモリに書き込み、その後で各ＬＤを駆動することで、各素子の露光特性を検出し、その補正データを生成する。 - 特許庁

The display area determining unit 3 monitors data present inside the virtual picture area of the virtual screen memory 2, detects an element disposed lowest in the virtual picture area or a visible element and performs scroll control.例文帳に追加

表示領域判定部３は、仮想画面メモリ２の仮想画面領域内に存在するデータを監視し、仮想画面領域の最も下方に配置されている要素や可視要素等を検出して、スクロール制御を行う。 - 特許庁

The second memory cell consists of a second resistance change element, having one end connected to a third bit line, and third and fourth FETs, connected in parallel between the other end of the second element and a fourth bit line.例文帳に追加

第２メモリセルは、一端が第３ビット線に接続される第２抵抗変化素子と、第２抵抗変化素子の他端と第４ビット線との間に並列接続される第３及び第４ＦＥＴとから構成される。 - 特許庁

The magnetic memory comprises a magnetoresistance effect element (10), and wiring structures (21 to 24) to which the writing current for making a writing magnetic field for writing data act on the element (10) is made to flow.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、磁気抵抗効果素子（１０）と、データを書き込むための書き込み磁場を磁気抵抗効果素子（１０）に作用させる書き込み電流が流される配線構造（２１〜２４）とを具備する。 - 特許庁

Comparison logic monitors the window 34 of the queue 30 and selects one or plural queue elements 32 to be sent to the element 20 representing a memory access request that is not sent to the element 20 yet.例文帳に追加

比較論理が、この待ち行列のウィンドウを監視し、データ記憶要素にまだ送られていないメモリ・アクセス要求を表すデータ記憶要素へ送るための１つまたは複数の待ち行列要素を選択する。 - 特許庁

A depth (D) of a separation groove separating an element formation inter-area forming MISFETQs for information transfer constituting a DRAM memory cell is double or longer of the shortest distance (W) between the element formation areas.例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリセルを構成する情報転送用ＭＩＳＦＥＴＱｓが形成される素子形成領域間を分離する分離溝の深さ（Ｄ）を、前記素子形成領域間の最短距離（Ｗ）の２倍以上とする。 - 特許庁

A processor coupled to the memory 104 applies the respective stored configuration elements correlated to the objective design element to the objective design element, according to an order indicated by the consecutive number.例文帳に追加

メモリ(104)に結合されたプロセッサは、対象となっている設計要素に関連付けられたそれぞれの格納されたコンフィギュレーション要素を、対象となっている設計要素に、連続番号によって示された順序で適用する。 - 特許庁

The display area determination part 3 monitors data present within the virtual screen area of the virtual screen memory 2, and detects an element, a visual element or the like disposed at the bottom of the virtual screen area to perform scroll control.例文帳に追加

表示領域判定部３は、仮想画面メモリ２の仮想画面領域内に存在するデータを監視し、仮想画面領域の最も下方に配置されている要素や可視要素等を検出して、スクロール制御を行う。 - 特許庁

This converter can sample at the timing according to the selection signal SEL and convert the analog signal input from a wave receiving element into the digital signal so as to eliminate a variable delay element and a memory and reduce the number of components.例文帳に追加

選択信号ＳＥＬに応じたタイミングでサンプリング動作して、受波素子から入力されるアナログ信号をディジタル信号に変換するので、可変遅延素子やメモリが不要になり、部品点数を削減できる。 - 特許庁

The transmission control unit 186 controls the base station antenna 130 etc., to transmit the message when a combination of pieces of received element information corresponds to a combination of pieces of element information stored in the memory 142.例文帳に追加

送信制御部１８６は、受信された要素情報の組合わせが、メモリ１４２が記憶した要素情報の組合わせに対応している場合、メッセージを送信するように、基地局アンテナ１３０などを制御する。 - 特許庁

The static memory comprises first and second driving transistors 2 and 4, and a first organic EL element 1 and a second organic EL element 3 are connected to the first and second driving transistors 2 and 3 respectively.例文帳に追加

第１および第２の駆動トランジスタ２，４によりスタティックメモリを形成し、この第１および第２の駆動トランジスタ２，３にそれぞれ第１の有機ＥＬ素子１と、第２の有機ＥＬ素子３をそれぞれ接続する。 - 特許庁

A CPU 439 at least selects image data of the image pickup element 214a or image data of the image pickup element 214b and stores the selected image data to a frame memory 435 on the basis of the setting by an operation member 407.例文帳に追加

ＣＰＵ４３９は操作部材４０７による設定に基づいて、撮像素子２１４ａの画像データおよび撮像素子２１４ｂの画像データの少なくとも一方を選択してフレームメモリ４３５に記憶させる。 - 特許庁

Since effective channel length is ensured, even if the element is shrunk, a high reliability stabilized nonvolatile semiconductor memory 60 can be realized.例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリ６０では、素子が微細化されても、その実効的なチャネル長が確保されるので、安定で、高い信頼性を実現できる。 - 特許庁

Since effective channel length is ensured, even if the element is microfabricated, a high reliability stabilized nonvolatile semiconductor memory 10 can be realized.例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリ１０では、素子が微細化されても、その実効的なチャネル長が確保されるので、安定で、高い信頼性を実現できる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing the influence of a parasitic transistor formed in an end of an element region of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの素子領域の端部に形成される寄生トランジスタの影響を軽減することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory access common control circuit 13 receiving the signal 300 generates a RAM control signal data group 200 and transmits it to the RAM element 10.例文帳に追加

信号３００を受信したメモリアクセス共通制御回路１３は、ＲＡＭ制御信号・データ群２００を作成してこれをＲＡＭ素子１０へ送信する。 - 特許庁

A pattern detector 59 performs the pattern recognition from an image obtained through a pre-photographing operation of the image pickup element 14, and a result of the recognition is stored in a memory 30.例文帳に追加

パターン検出部５９は、撮像素子１４の撮影前の取り込み画像からパターン認識を行い、認識結果をメモリ３０に記憶する。 - 特許庁

In the electronic apparatus, air quantity regulating plates 1-6 composed of a shape memory alloy are located on each of exhaust portions of substrates mounting a heating element.例文帳に追加

電子装置内において、発熱素子を搭載した基板の各排気部ごとに形状記憶合金から成る風量調整板１〜６が設置されている。 - 特許庁

The matrix data read from the memory banks 310-313 are rearranged and supplied to a computing element by reading control circuits 360, 370.例文帳に追加

メモリバンク３１０乃至３１３から読み出された行列データは読出し制御回路３６０および３７０によって並び替えられて演算器に供給される。 - 特許庁

To prevent power loss and erroneous operation of chips due to the power loss by reducing peak current to a cell caused by the operation of page buffers in reading a flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の読出しに際して、ページバッファの動作によるセルへのピーク電流を減らして、パワーダウン及びそれによるチップの誤動作を防止する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal element which is capable of switching between the two states that have a memory characteristic by driving voltage of 100 V or less in a room temperature.例文帳に追加

室温において１００Ｖ以下の駆動電圧により、メモリー性を有する２状態間をスイッチングさせる事が可能な液晶素子を提供する。 - 特許庁