「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

A routing address generating part 5 exclusively ORs one bit of a routing address as one part of the memory access address and one bit except the routing address of the memory access address for very vector element as a new routing address in place of one bit of the routing address.例文帳に追加

ルーティングアドレス生成部５は、各ベクトル要素毎に、メモリアクセスアドレスの一部であるルーティングアドレスの１ビットとメモリアクセスアドレスのルーティングアドレス以外の１ビットとの排他的論理和をとり、ルーティングアドレスの１ビットと置き換えて新たなルーティングアドレスとする。 - 特許庁

A process known as loading operation reads out an instruction and data from a cache memory element, decodes the instruction, converts a memory format into a register format, and writes the converted data in a register file block 56 in a floating point unit 50.例文帳に追加

キャッシュメモリ要素(81)からの命令及びデータの読み出し、該命令のデコード、メモリフォーマットからレジスタフォーマットへの変換の実行、及び該変換したデータの浮動小数点ユニット(50)のレジスタファイルブロック(56)への書き込みを行うプロセスは、ロード動作として知られる。 - 特許庁

An unsaved log processing part 205 temporarily saves an input log into a memory being the volatile storage element when a passage time from the last log recording time into a flash memory to the input time of the input log is less than a prescribed time interval.例文帳に追加

未保存ログ処理部２０５は、前回のフラッシュメモリへのログ記録時刻から入力されたログの入力時刻までの経過時間が所定の時間間隔未満であるとき、入力されたログを揮発性記憶素子であるメモリに一時保存する。 - 特許庁

This shape memory alloy heating system by electromagnetic induction has a transmitting part composed of an oscillator circuit, an amplifier circuit and a transmitting coil, a receiving part composed of a receiving coil and a resonance synchronization circuit, and a shape memory alloy element connected thereto as a load.例文帳に追加

発振回路、増幅回路及び発信コイルからなる発信部と、受信コイル及び共振同調回路からなる受信部、又これに接続された形状記憶合金素子を負荷とする電磁誘導による形状記憶合金加熱システムを作る。 - 特許庁

A synchronizing circuit is fabricated by directly inputting the same clock signals to the all memory elements used for capturing external video signals, and an edge trigger flip-flop is employed to the memory element and is connected in series to configure a shift register.例文帳に追加

外部からの映像信号の取り込み動作に使う記憶素子全てに同一のクロックを直接入力することで同期回路化した上で、記憶素子にエッジトリガフリップフロップを採用し、これらを直列に接続してシフトレジスタを形成する。 - 特許庁

To achieve a large capacity by improving a charge storage density in a semiconductor memory element containing a so called MONOS type structure memory cell having a tunnel insulating film, a charge storage film, a blocking film and a gate electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、トンネル絶縁膜、電荷蓄積膜、ブロッキング膜及びゲート電極を有する、いわゆるＭＯＮＯＳ型構造のメモリセルを含む半導体記憶素子において、その電荷蓄積密度を向上させ、大容量化を達成する。 - 特許庁

In a memory 24 of a scope 2 or a memory 37 of a processor 3, as setting information to be used in color conversion processing, a color conversion matrix in which each element data value is defined such that only a color involved in diagnosis is converted to a desired color is stored.例文帳に追加

スコープ２のメモリ２４またはプロセッサ３のメモリ３７には、色変換処理に用いる設定情報として、診断に関与する色のみが所望の色に変換されるように各要素データの値が定義された色変換マトリクスを記憶する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a control unit for disabling operation of a delay circuit at the time of read-out in the semiconductor memory element including the delay circuit for delaying respectively a bank address signal and a column address signal at the time of write-in.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、書込みの際にバンクアドレス信号とコラムアドレス信号をそれぞれ遅延させるための遅延回路を含む半導体メモリ素子において、読出しの際に前記遅延回路の動作をディスエーブルさせるための制御部を備えてなる。 - 特許庁

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure.例文帳に追加

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。 - 特許庁

To provide a transmission control device having no trouble in an engagement request when writing a learning value from a non-volatile memory into a volatile memory for correcting a hydraulic pressure command value during the engagement of a friction engaging element in hydraulic control of a transmission.例文帳に追加

変速機の油圧制御において摩擦係合要素を係合させるときの油圧指令値を補正するための学習値が不揮発性メモリから揮発性メモリに書き込まれているときに係合要求が生じても不具合を発生させない。 - 特許庁

To provide a programming memory for enabling a fast operation of a phase-change memory including a phase-change element changed between an amorphous state (reset state) and a crystal state (set state), and a reading method corresponding to the programming method.例文帳に追加

アモルファス状態（リセット状態）と結晶状態（セット状態）との間で遷移する相変化素子を有する相変化メモリに対する、高速動作を可能とするプログラム方法と、このプログラム方法に対応した読み出し方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having circuit constitution in which stress is not applied to ferroelectric capacitors even if the other element of a memory cell is driven by controlling a signal applied to a word line, plate line, and a bit line at the time of test of stress.例文帳に追加

ストレス試験時に、ワード線、プレート線及びビット線にかかる信号を制御することにより、メモリセルの他の素子を駆動しても、強誘電体キャパシタにはストレスがかからないようにする回路構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enable performing write-in, verifying, or the like for a storage element storing trimming information, replacement information, or the like without providing an exclusive circuit, in a non-volatile semiconductor memory in which electrical write-in and erasure can be performed like a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能な不揮発性記憶装置において、専用の回路を設けることなくトリミング情報や置換情報等を記憶する記憶素子への書込みやベリファイなどを行なうことができるようにする。 - 特許庁

The electron emission efficiency of each element on the row to be driven for correction is stored in a correction data memory 115, and a video data corresponding to the row to be corrected during one field display drive is stored in an image data memory 116.例文帳に追加

補正データメモリ１１５には補正駆動するべき補正対象行上の各素子の電子放出効率が格納され、画像データメモリ１１６には１フィールドの表示駆動中に補正対象行に対応する映像データが格納される。 - 特許庁

To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

A manganese oxide memory element having a huge electric resistance memory function uses manganese oxide having a 214 type crystal structure such as Eu_0.5Ca_1.5MnO_4 or a manganese oxide having a 327 type crystal structure such as PrCa_2Mn_2O_7.例文帳に追加

巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子において、Ｅｕ_0.5 Ｃａ_1.5 ＭｎＯ_4 のような２１４型結晶構造をもつマンガン酸化物、もしくはＰｒＣａ_2 Ｍｎ_2 Ｏ_7 のような３２７型結晶構造をもつマンガン酸化物を用いる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 50 includes a memory cell 1, a precharge control circuit 2, a power source circuit 3 for antifuse element writing, a bit line driver DRBL, a word line driver DRWL, a multiplexer MUX1, and a multiplexer MUX2.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置５０には、メモリセル１、プリチャージ制御回路２、アンチヒューズ素子書き込み用電源回路３、ビット線ドライバＤＲＢＬ、ワード線ドライバＤＲＷＬ、マルチプレクサＭＵＸ１、及びマルチプレクサＭＵＸ２が設けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device in which a leak path can be formed in a metal oxide without applying a high voltage when the nonvolatile memory device having a variable-resistance element made of the metal oxide is manufactured.例文帳に追加

金属酸化物からなる抵抗変化素子を有する不揮発性記憶装置を製造する際に、高い電圧を印加することなく金属酸化物中にリークパスを形成することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device achieves a programmable register that utilizes a nonvolatile resistive storage element with a resistive state changed according to a current value, consequently the nonvolatile memory device can adjust redundancy and a reference level in a software manner.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、電流値に応じて抵抗状態が変化する不揮発性抵抗記憶素子を利用したプログラム可能なレジスタを実現してソフトウェア的にリダンダンシー及びレファレンスレベルを調整することができるようになる。 - 特許庁

Process parameters are measured by calf or on-chip built-in test on a set of selected chips on a wafer, and the result is memorized in a memory element in each chip.例文帳に追加

ウェハ上の選択された１組のチップ上でカーフまたはオンチップ組込試験によりプロセス・パラメータが測定され、その結果が各チップ内の記憶素子に記憶される。 - 特許庁

To provide a composite image formation system capable of separating a region of a hand-written element from an image read by a scan unit, even when the memory resource is not abundant.例文帳に追加

メモリ資源が潤沢でない場合であってもスキャンユニットで読み取った画像から手書き要素の領域を分割できる合成画像形成システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a structure in which etching of an insulating film in an element isolation trench and etching of an insulating film in an alignment trench can be simultaneously conducted by using one mask.例文帳に追加

素子分離トレンチ内の絶縁膜のエッチングとアライメントトレンチ内の絶縁膜のエッチングとを、１つのマスクを用いて同時に行える構造の半導体メモリを提供する。 - 特許庁

In a case of a two-axis sensor, the angle θ is calculated from the output (x', y') of an acceleration sensor 50 when the known acceleration (x, y) is given, and stored in a memory element 52.例文帳に追加

２軸センサの場合、既知の加速度（ｘ，ｙ）を与えたときの加速度センサ５０の出力（ｘ′，ｙ′）から角度θを算出して記憶素子５２へ格納する。 - 特許庁

The frame memory 7 stores image data by a plurality of division image photographed by the image pickup element 24 in a way that each part of the object is in duplicate with each other.例文帳に追加

被写体の一部分ずつを互いに一部が重複しあうように撮像素子２４により撮影した複数枚の分割画像の画像データはフレームメモリ７に記憶する。 - 特許庁

A document element analysis section 16 reads the respective document elements received by the document reception section 10 from the document memory section 12, analyzes them, and determines types of the respective document elements.例文帳に追加

文書受付部１０が受け付けた各文書要素は、文書要素解析部１６が文書記憶部１２から読み出して解析し、各文書要素の種類を判別する。 - 特許庁

To provide a control circuit and a control method which protect a memory element having been mounted on a substrate and reset the protection.例文帳に追加

基板実装後のメモリ素子に対してプロテクトおよびプロテクト一時解除の設定を可能にするメモリ素子の制御回路およびメモリ素子の制御方法を提供する。 - 特許庁

To achieve high rising speed of a word line during reading and to reduce the size of the element of a word line voltage supply circuit by suppressing the deterioration of reading characteristics of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの読出特性の劣化を抑制しつつ、読出時のワード線立ち上がり速度を高速にし且つワード線電圧供給回路の素子サイズを縮小する。 - 特許庁

In a memory element 403 of (j) row and (k) column, a write-in line of the (j+1)th row and a write-in line of the (k+1)th column are arranged so as to overlap at intersection.例文帳に追加

ｊ行ｋ列のメモリ素子４０３は、（ｊ＋１）行の書き込み線と（ｋ＋１）列目の書き込み線とが交差する位置に重なるように配設されている。 - 特許庁

A part of an image data sequence read out of an image pickup element 16 is temporarily stored in a memory 18 including line memories, and a plurality of image data sequences are sent to a data processing part 19.例文帳に追加

撮像素子１６から読み出された画像データ列の一部をラインメモリを含むメモリ１８に一時的に保存し、複数の画像データ列をデータ処理部１９に送る。 - 特許庁

An information disclosure system is provided with display apparatuses 11 to 15 each of which is installed in a prescribed bulletin field and constituted of a display element having a memory property, and an information distribution server 40 connected to the Internet.例文帳に追加

所定の掲示場に設置されかつメモリ性の表示素子で構成された表示装置１１〜１５と、インターネット接続された情報配信サーバ４０とを備える。 - 特許庁

To provide an image formation acquisition system that has a reproducing unit with a memory of small capacity as a constituent element and can always acquire high-quality image information on manuscript material.例文帳に追加

小容量のメモリを備えた複写装置を構成素子とし、常に原稿資料の高品質の画像情報の取得が可能な画像形成取得システムを提供する。 - 特許庁

Then, in response to the reception of a fixed address designation display command, the image element data read out of a reading address of the fixed address area are written into a frame buffer memory to be stored.例文帳に追加

そして、固定アドレス指定表示コマンドの受信に応答して固定アドレスエリアの読出アドレスから読み出した画像要素データをフレームバッファメモリに書き込んで記憶させる。 - 特許庁

To improve throughput of a system by increasing data access speed when reading pixel data of the same position in each element texture of a multi-texture from a graphics memory.例文帳に追加

マルチテクスチャの各要素テクスチャにおける同一位置の画素データをグラフィックスメモリから読み出す場合に、データアクセスを高速化し、システムの処理性能を向上させる。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) including a ferromagnetic free layer, and exhibits a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、強磁性自由層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を備え、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態を示す。 - 特許庁

An image of an object 1A is picked up by a CCD element 20 through an imaging lens 10, and color image data showing the object 1A is stored in an image memory 30.例文帳に追加

撮像レンズ１０を通して被写体１Ａの像をＣＣＤ素子２０で撮像してこの被写体１Ａを示すカラー画像データを画像メモリ３０に記憶させる。 - 特許庁

To provide a new electrochemical display element capable of achieving full color display having bright white display, a high rewriting speed and a high memory property by a simple member configuration.例文帳に追加

明るい白表示、高い書換速度、かつ高いメモリー性を有するフルカラー表示を簡便な部材構成で実現する新規な電気化学的な表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a multiport memory element capable of preventing the failure phonomenon of first high data during an initial operation in the global data bus transmission/reception structure of a current sensing system.例文帳に追加

電流センシング方式のグローバルデータバスの送受信構造において初期動作時に最初のハイデータのフェイル現象を防止できるマルチポートメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide the code storage cell of a flash memory element required for operating a CAM cell stably even at a low voltage by increasing the coupling ratio of the CAM cell.例文帳に追加

ＣＡＭセルのカップリング比を増加させて低電圧においてもＣＡＭセルが安定的に動作できるようにするフラッシュメモリ素子のコード貯蔵セルを提供する。 - 特許庁

To provide a memory element that ensures correct recording and enables information to be recorded and read easily and stably, even when a short pulse voltage is applied.例文帳に追加

短いパルス電圧を印加した場合でも正しく記録を行うことができ、情報の記録及び読み出しを容易に安定して行うことができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor storage element 200 is prepared under the light deflecting device 100, and complimentary outputs 201, 202 of the memory device are connected to the control electrodes 103e, 103f, respectively.例文帳に追加

光偏向装置１００の下に半導体記憶素子２００を設け、該記憶素子の相補の出力２０１、２０２を制御電極１０３ｅ、１０３ｆにそれぞれ接続する。 - 特許庁

By a slit 13 on the element isolating insulation film 4, between adjacent memory cells; the second gate insulating film 7 on the floating gate 6 is separated together with the floating gate 6.例文帳に追加

浮遊ゲート６上の第２のゲート絶縁膜７は、浮遊ゲート６と共に、素子分離絶縁膜４上でスリット１３により隣接するメモリセル間で分離される。 - 特許庁

In the conductive polymer, a conductive line can be formed on any surface of the ferroelectric layer, thereby a memory element can be formed.例文帳に追加

上記導電性高分子は強誘電体層の何れの面上にも導電性線路を形成することが可能であり、これによりメモリ素子を形成することができる。 - 特許庁

The change part of the node-like data inside the memory defines the set of the element assumed to be scanned by the next repetition including the automatic scanning with a higher probability.例文帳に追加

メモリ内のノード−リンクデータの変更された部分は、自動的な走査を含む次の反復により走査されるであろう要素のセットをより高い確率で定義する。 - 特許庁

The shape memory element net 1 is arranged between a skeleton 5 and the skin 9 such that the plurality of binding node elements 15 can be moved relative to the skin of the skeleton 5.例文帳に追加

形状記憶素子ネット１を骨格５と表皮９との間に、複数の結合用ノード素子１５を骨格５の表面に対して移動し得るように配置する。 - 特許庁

A cascade-connected N type electric field-effect transistor 526 is arranged in the drain terminal of the transistor 525, and a drain bias is applied to the side wall memory element 522.例文帳に追加

トランジスタ５２５のドレイン端子には、カスケード接続されたＮ型電界効果トランジスタ５２６が配置され、サイドウォールメモリ素子５２２に対してドレインバイアスを供給する。 - 特許庁