CSLとは 意味・読み方・使い方

A select gate electrode SL is disposed on the semiconductor substrate between the common source region CSL and the cell source region 218s.例文帳に追加

共通ソース領域ＣＳＬ及びセルソース領域２１８ｓの間の半導体基板上に選択ゲート電極ＳＬが配置される。 - 特許庁

In a semiconductor memory, a transfer gate Mi transmitting column selecting signals CSL[0]-CSL[n] outputted from a column decoder 100 to a memory cell block MCBi is made a conduction state in a non-activation state of a signal given from a WBI pad 40.例文帳に追加

半導体記憶装置１０００においては、列デコーダ１００から出力される列選択信号ＣＳＬ［０］〜ＣＳＬ［ｎ］をメモリセルブロックＭＣＢｉに伝達するトランスファーゲートＭ１は、ＷＢＩパッド４０から与えられる信号が非活性状態において導通状態となる。 - 特許庁

On the other hand, even numbered column selecting lines CSL0, CSL2 and the like are connected to an even numbered CSL pad 50 through a transfer gate M2, and odd numbered column selecting lines CSL1, CSL3 and the like are connected to an odd numbered CSL pad 52 through a transfer gate M2.例文帳に追加

一方、偶数番目の列選択線ＣＳＬ０、ＣＳＬ２等は、トランスファーゲートＭ２を介して、偶数ＣＳＬパッド５０と接続し、奇数番目の列選択線ＣＳＬ１、ＣＳＬ３等は、トランスファーゲートＭ２を介して、奇数ＣＳＬパッド５２と接続している。 - 特許庁

This SDRAM column decoder 20a, in multibit test, selects a plurality of column selection lines CSL or all column selection lines CSL out of 256 column selection lines conforming to column address signals CA0∼CA8 and test mode signals TM0∼TM8, and sets selected each column selection lines to be a test potential VTM=Vth.例文帳に追加

このＳＤＲＡＭの列デコーダ２０ａは、マルチビットテスト時には、列アドレス信号ＣＡ０〜ＣＡ８およびテストモード信号ＴＭ０〜ＴＭ８に従って２５６の列選択線ＣＳＬのうちのいずれか複数の列選択線ＣＳＬまたはすべての列選択線ＣＳＬを選択し、選択した各列選択線ＣＳＬをテスト電位ＶＴＭ＝Ｖｔｈにする。 - 特許庁

Furthermore, a storage capacitor line CSL to which an AC voltage is applied is disposed between each of the pixels 2 where the pixel electrode 6 does not exist, thus an alternately reversing AC electric field is applied between the storage capacitor line CSL and a counter electrode Com and the occurrence of the burning and the domains due to deterioration of the liquid crystal is suppressed.例文帳に追加

また、画素電極６が存在しない各画素２間には交流電圧が印加される保持容量線ＣＳＬが配置されていることから、保持容量線ＣＳＬと対向電極Ｃｏｍとの間には交互に反転する交流電界がかかり、液晶の劣化による焼きつきやドメインの発生が抑制される。 - 特許庁

The select gate electrode SL may be formed on the semiconductor substrate between the floating gate 204a and the common source region CSL while the control gate electrode WL is formed.例文帳に追加

選択ゲート電極ＳＬは制御ゲート電極ＷＬを形成する間、浮遊ゲート２０４ａ及び共通ソース領域ＣＳＬの間の半導体基板上に形成することができる。 - 特許庁

A node b between the anode of the diode 81 and the auxiliary capacity electrode driving signal line CsL is connected to the auxiliary capacity electrode driving circuit 700 through a capacitor 85.例文帳に追加

また、コンデンサ８５を介して、ダイオード８１のアノードと補助容量電極駆動信号線ＣｓＬとの接続点ｂと補助容量電極駆動回路７００とを接続する。 - 特許庁

In a CS potential setting circuit 800, the anode of a diode 81 is connected to an auxiliary capacity electrode driving signal line CsL and the cathode of the diode 81 is connected to a ground line 82.例文帳に追加

ＣＳ電位設定回路８００内で、ダイオード８１のアノードを補助容量電極駆動信号線ＣｓＬと接続し、ダイオード８１のカソードをグランド配線８２と接続する。 - 特許庁