「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that has a high-performance non-volatile memory element and a minute logic element.例文帳に追加

高性能の不揮発性メモリ素子と微細化されたロジック素子とを備えた半導体装置を実現するための製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device 100 includes a first anti-fuse element (A_1) and a second anti-fuse element (A_3) which are each composed of a transistor.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、それぞれトランジスタにより構成される第１のアンチヒューズ素子（Ａ_１）および第２のアンチヒューズ素子（Ａ_３）を含む。 - 特許庁

The imaging device has an imaging element 101, a specific-section detecting section 106, a memory 107, a picture-element decision section 108 and a white-balance processing section 109.例文帳に追加

撮像装置は、撮像素子１０１、特定部分検出部１０６、メモリ１０７、画素判定部１０８、ホワイトバランス処理部１０９を備える。 - 特許庁

To shorten the access time of a nonvolatile semiconductor memory using a variable-resistance element as a storage element without increasing current consumption.例文帳に追加

可変抵抗素子を記憶素子として利用する不揮発性半導体記憶装置のアクセス時間を消費電流を増大することなく短縮する。 - 特許庁

A non-volatile memory device comprises selection element layers containing silicon and nanomaterial aggregate layers stacked on the selection element layers.例文帳に追加

実施形態に係る不揮発性記憶装置は、シリコンを含む選択素子層と、前記選択素子層に積層されたナノマテリアル集合層と、を備える。 - 特許庁

To realize a good element separation characteristic in a miniaturized NAND-type flash memory without lowering a processing yield of an element separation groove.例文帳に追加

微細化されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、素子分離溝の加工歩留まりを低下させることなく、良好な素子分離特性を実現する。 - 特許庁

To provide an element isolation film formation method for a semiconductor memory element for saving process costs, and for improving the reliability of elements.例文帳に追加

工程コストを節減し且つ素子の信頼性を向上させることができる、半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

The sensor element array data which is the easiest to reference is selected out of those sensor element array data and saved as referencing dictionary data in a memory.例文帳に追加

この各センサ素子列データの中から最も照合し易いセンサ素子列データを選定し照合用辞書データとしてメモリに保存する。 - 特許庁

To provide a memory element and a manufacturing method capable of easily realizing a manufacturing process and a large integration with a simple configuration, and to provide an electronic element.例文帳に追加

簡素な構成で、製造プロセスあるいは大規模集積化が容易なメモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal driving voltage applied to the liquid crystal 5 varies according to the resistance of the image memory element 1, and makes the liquid crystal element perform displaying.例文帳に追加

画像メモリ素子１の抵抗に応じてて液晶素子５に加わる液晶駆動電圧が変化し、液晶素子５に表示がなされる。 - 特許庁

A method for fusion a tunnel- junction device of the memory storage element without fusing a tunnel-junction device of an associated control element is disclosed.例文帳に追加

関連する制御素子のトンネル接合デバイスを溶解することなく、メモリ記憶素子のトンネル接合デバイスを溶解するための方法を開示する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal element having a high displaying contrast and a memory property, and a smectic liquid crystal composition useful for producing the liquid crystal element.例文帳に追加

表示コントラストが高くかつメモリ性を有する液晶素子、及び該液晶素子の作製に有用なスメクチック液晶組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method for stably forming a logic element, an EEPROM cell, and a flash memory cell in one chip.例文帳に追加

ロジック素子、ＥＥＰＲＯＭセル及びフラッシュメモリセルを１つのチップ内に安定して形成できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A system includes a step of storing, in a memory 26, values related to heating element 34 dimensions, heating element electrical characteristics, and ink characteristics.例文帳に追加

システムは、加熱要素３４の大きさ、加熱要素の電気的な特性及びインクの特性に関係する数値をメモリ２６に記憶することを含む。 - 特許庁

A potential of an input terminal of the memory circuit connected to a pixel switching element can be fixed to be higher than a prescribed potential by using a resistance element.例文帳に追加

画素スイッチング素子と接続されたメモリ回路の入力端子の電位を抵抗素子によって所定電位以上に固定することができる。 - 特許庁

The word line is connected to an inverting element, and this element is connected to a transistor for grounding the gate of a variable threshold value transistor 11b at a memory cell 11.例文帳に追加

ワード線は反転素子に接続されこれはメモリセル１１の可変しきい値トランジスタ１１ｂのゲートを接地するトランジスタに接続される。 - 特許庁

To achieve thin layers of an element without sharply deteriorating magnetic characteristics in a ferromagnetic tunnel junction element, a magnetic memory cell, and a magnetic head.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッドに関し、素子の薄層化を磁気特性を大幅に低下させることなく実現する。 - 特許庁

The liquid crystal display device provided with display surface of the element illuminated from an observer's side to the liquid crystal display element with memory property.例文帳に追加

メモリ性を有する液晶表示素子に対して該素子の観察者側から表示面上を照射する照明を備えた液晶表示装置。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: a semiconductor substrate; an element region of a memory cell provided on the semiconductor substrate; and an active region and an element isolation region formed in a line-and-space pattern in the element region of the memory cell.例文帳に追加

本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。 - 特許庁

This semiconductor storage device 1 is provided with: a memory IC chip 10 having a spare memory cell; a logic IC chip 20 to which the memory IC chip 10 is connected through an electrical bonding section 2; and a switching element section for switching the selecting operation of the spare memory cell from a defective memory cell.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置１は、スペアメモリセルを有するメモリＩＣチップ１０と、このメモリＩＣチップ１０が電気的接合部２を介して接続されているロジックＩＣチップ２０と、不良メモリセルからスペアメモリセルの選択動作を切り替える切替用素子部とを備えている。 - 特許庁

An intermesh memory element (500) comprises a plurality of memory components (204) having decidable resistance values, and a plurality of electronic switches (206) which control currents flowing in the memory components and each of which gives potential to one memory component or a plurality of the memory components.例文帳に追加

インターメッシュ・メモリ素子（５００）は、決定可能な抵抗値を有するようにそれぞれ構成された複数のメモリ・コンポーネント（２０４）と、メモリ・コンポーネント内を流れる電流を制御して１つまたは複数のメモリ・コンポーネントに電位がかけられるようにそれぞれ構成された複数の電子スイッチ（２０６）とを含む。 - 特許庁

To write, with higher accuracy, data to a non-volatile storage element including a memory domain of 4 or more bits to a memory cell held between a source and a drain.例文帳に追加

ソース・ドレインに挟まれた１つのメモリセルに４ビット以上のメモリ領域を有する不揮発性記憶素子へのデータ書込を精度よく行う。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a charge trap layer is used for a memory element by preventing the influence of ultraviolet rays to be generated in a manufacturing process.例文帳に追加

電荷トラップ層を記憶素子に用いる不揮発性半導体記憶装置において、製造工程中に発生する紫外線の影響を防止する。 - 特許庁

To provide a memory card achieving high speed data transmission while compatibility with conventional memory cards is secured and having an element for data storage inside.例文帳に追加

従来のメモリカードとの互換性を確保しつつデータ伝送の高速化を可能とする、内部にデータ格納用の素子を備えたメモリカードを提供する。 - 特許庁

A circuit element 10 has a memory circuit and a main control circuit for controlling the operation of the game machine based on the information stored in the memory circuit.例文帳に追加

回路素子１０には、記憶回路と記憶回路に記憶されている情報に基づいて遊技機の動作を制御する主制御回路が設けられている。 - 特許庁

A terminal state memory 17 and a terminal likelihood memory 18 store a trellis terminal state and the likelihood of each state after one element decoding processing.例文帳に追加

終端状態メモリ１７及び終端尤度メモリ１８は１回の要素復号処理終了後のトレリス終端状態と各状態の尤度とを保存する。 - 特許庁

To unnecessitate a negative potential generating circuit, and to shorten a data read-out time, in a semiconductor memory device including a variable resistance type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

The memory transistor TR3 is provided on the memory transistor TR2, and a gate electrode 5c is formed on the C plane of the side face of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ３はメモリトランジスタＴＲ２の上部に設けられ、ゲート電極５ｃが素子形成領域１００の側面のＣ面に形成される。 - 特許庁

Then the element 103 computes Y=ΣY'*B by inputting the data Y' stored in the memory (A) 101 and data B stored in the memory (B) 102.例文帳に追加

演算器１０３は、メモリ（Ａ）１０１に格納されているデータＹ’とメモリ（Ｂ）１０２に格納されているデータＢを入力して、Ｙ＝ΣＹ’＊Ｂを演算する。 - 特許庁

To provide a memory element of a magnetic storage, whose memory cells can be easily manufactured and whose anti-magnetic field has a small impact on a datagram layer in magnetic tunnel junction.例文帳に追加

メモリセルの製造が簡便であり、さらに、磁気トンネル接合において反磁界がデータ層に与える影響を小さくした磁気メモリ記憶素子を提供する。 - 特許庁

To easily and inexpensively realize an optical memory element and to execute a lamination stage in constituting the multilayered optical memory with high accuracy.例文帳に追加

光メモリ素子を容易且つ安価に実現できるようにするとともに、多層光メモリを構成する際の積層工程を高精度に行なえるようにする。 - 特許庁

The camera signal processing part 22 generates a composite image obtained by adding a signal from the imaging element 6 to a signal from the memory 12, and stores the composite image in the memory 12.例文帳に追加

カメラ信号処理部２２は、撮像素子６からの信号と、メモリ１２からの信号を加算した合成画像を生成し、メモリ１２に記憶させる。 - 特許庁

To eliminate the use of a negative potential generating circuit and also to shorten a data readout time in a semiconductor memory device provided with a resistance variation type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

The title drive system is a drive system such as a digital camera 100' for a memory card 56 on which a liquid crystal display element 10 whose display screen is configured with a liquid crystal having a memory capability is adhered.例文帳に追加

メモリ性液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１０を貼着したメモリカード５６の駆動システム、例えば、デジタルカメラ１００’。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a magnetic memory element which is free from an adverse influence on a peripheral region other than a memory cell region, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

メモリセル領域以外の周辺領域に悪影響を与えることがない、磁気メモリ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory 10 can be ensured in its effective channel length even if an element is micronized, so that the stable and reliable semiconductor memory 10 can be obtained.例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリ１０では、素子が微細化されても、その実効的なチャネル長が確保されるので、安定で、高い信頼性を実現できる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes memory cells that are disposed between first wiring and second wiring and each have a variable resistance element changing its resistance.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１配線と第２配線との間に配置され、抵抗を変化させる可変抵抗素子を有するメモリセルを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that achieves suppression of deterioration in writing characteristics without deteriorating characteristics of peripheral circuits other than a memory-cell transistor element.例文帳に追加

モリセルトランジスタ素子以外の周辺回路の特性を低減させることなく、書込み特性の劣化を抑制した半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To allow a data processing apparatus to detect and cope with whether the absence of image data of a document element in a cache memory is due to low value of storing it in the cache memory.例文帳に追加

文書要素の画像データがキャッシュメモリにないことがキャッシュメモリに記憶する価値が低いためなのか否かを、データ処理装置が知って対処する。 - 特許庁

To manufacture a magnetic memory element by a self-aligned forming method without using the lithography in a nonvolatile magnetic memory manufacturing method.例文帳に追加

不揮発性磁気記憶装置の製造方法において、リソグラフィーを行わずに自己整合的な形成方法で磁気記憶素子を製造することを可能とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a flash memory element capable of improving reliability by accurately matching electric connection between a segment transistor and a memory cell area.例文帳に追加

セグメントトランジスタとメモリセル領域間の電気的接続を正確に整合させて、信頼性を向上し得るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The display device having the memory circuit that includes a memory element with a simple structure with which an organic compound layer is interposed between a pair of conductive layers is provided.例文帳に追加

一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた簡単な構造の記憶素子からなる記憶回路を有する表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which increment of element forming area can be suppressed, power consumption when bit-write disable can be reduced, and a memory design time can be shortened.例文帳に追加

素子形成面積の増加を抑制し、ビットライトディセーブル時の消費電力を低減し、メモリ設計時間を短縮できる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To perform rewriting control with a small number of circuits by storing the number of times of rewriting in a memory element analogically in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、書き換え回数をメモリセルと同様の記憶素子にアナログ的に記憶し、少ない回路数で書き換え制御を行う。 - 特許庁

To provide an element with which such a stable operation as memory device configuration for more stable memory retension is obtained by using a metal oxide.例文帳に追加

より安定に記憶保持が行えるメモリ装置が構成できるなど、金属酸化物を用いて安定した動作が得られる素子を提供できるようにする。 - 特許庁