「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL AND METHOD FOR STORING DIGITAL SIGNAL例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法 - 特許庁

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, THIN FILM MAGNETIC MEMORY AND THIN FILM MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁

A memory element 10 has a first electrode 13, a second electrode 16, and a third electrode 18.例文帳に追加

メモリ素子１０は、第１の電極１３、第２の電極１６、第３の電極１８を有する。 - 特許庁

ORGANIC BISTABLE ELEMENT, ORGANIC BISTABLE MEMORY USING IT, AND THEIR DRIVING METHODS例文帳に追加

有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 - 特許庁

To provide a filter assembly 124 which includes a filter element 128 and a memory device 402.例文帳に追加

本発明は、フィルタエレメント（１２８）及びメモリデバイス（４０２）を含むフィルタ組立体（１２４）を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING ONE SWITCHING ELEMENT AND ONE RESISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

The normal memory cell MC has a tunnel magnetoresistive element TMR and an access transistor ATR.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとを含む。 - 特許庁

DATA EXCHANGE METHOD BETWEEN MULTIPLE SUBSCRIBER SIDES, COMMUNICATION SYSTEM, BUS SYSTEM, MEMORY ELEMENT AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

複数の加入者間におけるデータ交換方法，通信システム，バスシステム，メモリ素子，コンピュータプログラム。 - 特許庁

To make high performance and low power consumption compatible by using a memory element of a DDR type.例文帳に追加

ＤＤＲタイプのメモリ素子を使用して、高いパフォーマンスと低消費電力化を両立する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, THIN-FILM MAGNETIC MEMORY, AND THIN-FILM MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法ならびに磁気メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a shape memory alloy which contains an element with a low-melting point and is excellent in cold workability.例文帳に追加

低融点の元素を含有する冷間加工性に優れた形状記憶合金を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING RESISTIVE ELEMENT SHOWING VARIOUS RESISTANCE STATES, AND METHOD OF DRIVING THE SAME例文帳に追加

多様な抵抗状態を呈する抵抗体を利用した不揮発性メモリ素子、及び、その駆動方法 - 特許庁

From this structure, a memory element being stable in voltage and resistance characteristics, and having high reliability is provided.例文帳に追加

これにより、電圧及び抵抗特性が安定化した信頼性のあるメモリ素子を具現できる。 - 特許庁

METHOD OF ISOLATING SELF ALIGN SHALLOW TRENCH ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE UTILIZING THIS例文帳に追加

セルフアライン−シャロートレンチ素子分離法及びこれを利用した不揮発性メモリ装置の製造方法 - 特許庁

A write-in mask information signal WRMSK- is applied to the central column selection circuit element 42 in a memory circuit.例文帳に追加

書込みマスク情報信号はメモリ回路内の中央カラム選択回路要素に与えられる。 - 特許庁

To reduce a memory cell size while preventing a contact plug at the lower layer of a capacitive element from oxidizing.例文帳に追加

容量素子下層のコンタクトプラグの酸化を防止しつつ、メモリセルサイズを縮小できるようにする。 - 特許庁

To improve information holding performance for a long period by a memory cell, using a non-volatile storage element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を用いたメモリセルによる長期の情報保持性能を向上させる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ - 特許庁

Furthermore, by providing an opening to the light-shielding object, a memory element with higher erasure controllability is available.例文帳に追加

また、遮光物に開口することで、より消去制御性のよりメモリ素子とすることができる。 - 特許庁

DIFFUSION PREVENTION FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

拡散防止膜およびその製造方法および半導体記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for making the thickness and the width of a bit line uniform.例文帳に追加

ビットラインの厚さおよび幅を均一にするためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法 - 特許庁

Each of the memory cells includes a programmable resistance element connected in series to a selection transistor.例文帳に追加

各メモリセルは選択トランジスタに直列結合したプログラム可能な抵抗要素を包含している。 - 特許庁

To elevate the heating efficiency of a nonvolatile memory element having a recording layer containing a phase-changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANODIC OXIDATION, FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

陽極酸化方法および陽極酸化装置および電界放射型電子源およびメモリ素子 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISC DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

The addresses of the security code and the security location are stored in the memory element of the printer (S6).例文帳に追加

このセキュリティコードおよびセキュリティロケーションのアドレスは、装置のメモリ素子に格納される（Ｓ６）。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH SELECTIVELY GROWN PHASE CHANGE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MULTI-PORT MEMORY ELEMENT HAVING SERIAL INPUT/OUTPUT INTERFACE AND ITS OPERATION MODE CONTROL METHOD例文帳に追加

直列入／出力インターフェースを有するマルチポートメモリ素子及びその動作モードの制御方法 - 特許庁

REWRITING METHOD FOR DATA OF THREE DIMENSIONAL OPTICAL MEMORY ELEMENT MADE IN GLASS BY SUPER-SHORT LIGHT PULSE例文帳に追加

超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法 - 特許庁

NONVOLATILE ORGANIC SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURE, AND NONCONTACT INFORMATION CONTROLLING AND DYSPLAYING DEVICE例文帳に追加

不揮発性有機半導体記憶素子、その製造方法、及び非接触情報管理表示装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT TO SUPPLY STABLE HIGH VOLTAGE DURING AUTO-REFRESH OPERATION AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

オートリフレッシュ動作時に安定した高電圧を提供する半導体メモリ素子及びその方法 - 特許庁

However, the transmissivity is maintained for prescribed time even after the energization is turned off by memory characteristics of the electrochromic element.例文帳に追加

但し、エレクトロクロミック素子のメモリー性より所定時間はその透過率をその後も維持される。 - 特許庁

To improve heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a resistance change preserving layer, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

抵抗変化保存層を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to write in the magnetic memory element, a current I_MTJ pulse (125) is fed through the MTJ (37).例文帳に追加

磁気メモリ素子に書き込むには、ＭＴＪ（３７）の中に電流Ｉ_ＭＴＪパルス（１２５）を流す。 - 特許庁

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

To make the management of a transmitting image easy in a communication apparatus only with a memory of small capacity element.例文帳に追加

小容量のメモリしか持たない通信装置における送信画像の管理を容易にする。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、ＷＯＲＭ(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, having an improved resistance distribution in a high resistance state and capable of increasing its capacity, and its operation method and a memory device.例文帳に追加

高抵抗状態の抵抗分布を改善し、大容量化が可能な記憶素子およびその動作方法、並びに記憶装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit 105 turns on a memory write transistor 143 to temporarily hold the output electric signal of a pixel 101 in a memory element 145.例文帳に追加

制御回路１０５は、メモリ書込Ｔｒ１４３をオンさせて画素１０１の出力電気信号をメモリ素子１４５に一時保持させる。 - 特許庁

To provide a trigger component constituted so that a unipolar memory element is selectively and electrically coupled to a bit line for the access to a memory cell.例文帳に追加

メモリセルへのアクセスのために、ユニポーラメモリ素子をビット線に選択的かつ電気的に結合するように構成されたトリガ部品を提供する。 - 特許庁

To facilitate data reading, writing, and erasure of a memory element array including switching elements having nanogaps as memory elements with simple configurations.例文帳に追加

ナノギャップを有するスイッチング素子をメモリ素子としたメモリ素子アレイにおいて、簡易な構成で、データの読み出し、書き込み、消去の容易化を達成する。 - 特許庁