「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

MEMORY FILM TEXTURE, MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME例文帳に追加

メモリ膜構造、メモリ素子及びその製造方法、並びに、半導体集積回路及びそれを用いた携帯電子機器 - 特許庁

Each of the first nonvolatile memory circuit and the second nonvolatile memory circuit has a transistor and a capacitor element.例文帳に追加

また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。 - 特許庁

A half-tone processing portion 29 has storing memory 102 for storing a matrix element number, a storing memory 103 for storing matrix element position, and storing memory 104 for storing a matrix-shift-vector for memorizing therein respectively the three parameters specifying a dither matrix which comprise the element number, element positions, and shift vectors of the dither matrix.例文帳に追加

中間調処理部２９は、ディザマトリックスを規定する３つのパラメータであるマトリックスシフトベクトル、マトリックス要素数およびマトリックス要素位置を記憶するマトリックス要素数格納メモリ１０２、マトリックス要素位置格納メモリ１０３およびマトリックスシフトベクトル格納メモリ１０４を有する。 - 特許庁

To promote large capacity, high performance and high reliability of a semiconductor memory device, by attaining high-performance of both a semiconductor device and a memory element, when the semiconductor memory device is manufactured by stacking a memory element, such as, ReRAM or a phase change memory and the semiconductor device.例文帳に追加

相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際に、半導体デバイスと記憶素子の両方を高性能化し、半導体記憶装置の大容量化、高性能化、高信頼化を促進する。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, MEMORY DEVICE, MEMORY ARRAY, MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

電子デバイス、磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、記録再生装置、メモリ素子、メモリアレイ、および電子デバイスの製造方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method of manufacturing the same wherein floating gates each is isolated in a semiconductor substrate by an element isolation film to shut off the interference among the floating gates in the flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートが半導体基板内で素子分離膜により分離されてフローティングゲート間の干渉を完璧に遮断するフラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To bring the insulation film of a storage element into a complete breakdown state at the time of program operation in an OTP memory using an anti-fuse element as a memory element.例文帳に追加

本発明は、ａｎｔｉ−ｆｕｓｅ素子を記憶素子として用いるＯＴＰメモリにおいて、プログラム動作時に記憶素子の絶縁膜を完全な破壊の状態に至らしめることができるようにする。 - 特許庁

The method for testing a semiconductor integrated circuit having a novolatile memory element and a peripheral circuit part other than the novolatile memory element comprises a first step for applying a high voltage to all memory cells in the novolatile memory element and a second step for imparting a test pattern to the peripheral circuit part other than the novolatile memory element while applying a high voltage wherein both steps are performed simultaneously.例文帳に追加

不揮発性記憶素子と不揮発性記憶素子以外の周辺回路部を備えた半導体集積回路の試験方法において、不揮発性記憶素子の全メモリセルに高々電圧を印加する第１のステップと、不揮発性記憶素子以外の周辺回路部に高電圧を印加しながら試験パターンを付与する第２のステップとを有し、上記両ステップを同時に実施する。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film of a flash memory element by which the reliability of an element is improved by increasing a coupling ratio of a flash memory and improving characteristics of a leakage current.例文帳に追加

フラッシュメモリのカップリング比を増加させ、漏洩電流特性を改善して素子の信頼性を改善し得るフラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法を開示する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell having a structural element for preventing the confusion of magnetization on a sense layer.例文帳に追加

センス層の磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリセルの提供。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element with low power consumption and high reliability.例文帳に追加

低消費電力であり、信頼性の高い不揮発性のメモリ素子を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, this can be used to conveniently upload the content of the memory element of a digital camera, whereby the memory element can be made vacant and utilized for further use.例文帳に追加

一実施例においては、デジタルカメラのメモリ素子の内容を都合よくアップロードするのに使用することができ、これにより、メモリ素子を空にして更なる使用に利用できる。 - 特許庁

A ferroelectric liquid crystal, etc., are used as the display element having the memory effect.例文帳に追加

また，メモリー効果のある表示素子として、強誘電液晶等が用いられる。 - 特許庁

LIGHT TRANSMISSIVE STAMPER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT例文帳に追加

光透過性スタンパ及びその製造方法並びに光メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide an electrical cooking apparatus provided with a mounting part of an external memory element in order to facilitate an operation for reading data from the external memory element to utilize it.例文帳に追加

外部記憶素子からデータを読み込み活用するための操作が容易なように、外部記憶素子の装着部が設けられた電気調理装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETIC THIN-FILM MEMORY ELEMENT AND ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD AS WELL AS IMAGE VIDEO-RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置 - 特許庁

AUTOMOBILE STRUCTURAL MEMBER FAILURE PROBABILITY COMPUTING METHOD, MEMORY ELEMENT AND CONTROL DEVICE例文帳に追加

自動車の構成要素の故障確率算出方法，メモリ素子，及び制御装置 - 特許庁

To enable reproducing surely information (data) recoded in an optical memory element.例文帳に追加

光メモリ素子に記録されている情報（データ）を確実に再生できるようにする。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSISTOR OF NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING STEP STI PROFILE例文帳に追加

ステップＳＴＩプロファイルを用いたＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法 - 特許庁

The nonvolatile memory element has one or more oxide based compound semiconductor layers.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子は、１つ以上の酸化物系化合物半導体層を備える。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子とその製造方法および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁

To provide a full-color electrochromic display element which has greatly improved memory characteristics and a full-color electrochromic display element which is easily made full-color and has greatly improved memory characteristics.例文帳に追加

メモリー性が大幅に向上したエレクトロクロミック表示素子及びフルカラー化が容易でメモリー性が大幅に向上したフルカラーエレクトロクロミック表示素子を提供することである。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁

Since the ONO film is separated completely in units of memory element cell, erroneous operation of the element due to interference between adjacent memory cells can be avoided at the time of isolation operation.例文帳に追加

ＯＮＯ膜がメモリ素子セル単位で完全に分離され、これにより、素子分離動作時隣接したメモリセルの間の干渉による素子誤動作を避けることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing the diffusion of impurities, such as fluorine and hydrogen, into a memory element without degrading rectification characteristics in a rectifying element.例文帳に追加

整流素子における整流特性を劣化させることなく、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data memory element holding label, with which an article to become a sticking target or data memory element to be held is easily recycled and a release paper is unnecessitated as well.例文帳に追加

貼付対象となる商品等のリサイクルや、保持するデータ記憶素子のリサイクルが容易であって、剥離紙も不要とするデータ記憶素子保持ラベルを提供する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, RESISTANCE CHANGE MEMORY EMPLOYING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory element with low electric power and high reliability.例文帳に追加

低電力、高信頼性の非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the flash memory element, a gate dielectric film to be formed between the floating gate 12 of the flash memory element and the control gate 16 thereof is formed by laminating an oxide film and a ZrO_2film.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート１２とコントロールゲート１６との間に形成されるゲート誘電膜を酸化膜とZrO_2膜を積層して形成することを特徴とする。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CALCULATING UTILIZATION RATE OF COMPUTING EQUIPMENT, MEMORY ELEMENT AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

計算装置の利用度の算出方法，その算出装置，メモリ素子，コンピュータプログラム - 特許庁

In the semiconductor memory 100, a nonvolatile element part 4 stores information required for relieving a main memory cell in a nonvolatile element as stored information.例文帳に追加

半導体記憶装置１００において、不揮発性素子部４は、メインメモリセルを救済するために必要な情報を格納情報として不揮発性素子に記憶する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING SIDEWALL GATES AND SONOS CELL STRUCTURE例文帳に追加

側壁ゲートとＳＯＮＯＳセル構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FLUSH MEMORY ELEMENT UTILIZING SELF-ALIGNMENT NON-EXPOSURE PATTERN FORMATION PROCESS例文帳に追加

自己整列無露光パターン形成プロセスを利用したフラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT DOPED WITH Sb, Ga, OR Bi AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of stable operation even if an element is miniaturized.例文帳に追加

素子を微細化しても安定動作可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the arranging area of a capacitor element.例文帳に追加

キャパシタ素子の配置面積低減が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EXCELLENT IN CHARGE RETENTION PROPERTY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ - 特許庁

A semiconductor memory comprises a memory cell that is disposed between first wiring and second wiring, and includes a variable resistive element and a switching element connected in series.例文帳に追加

実施の形態の半導体記憶装置は、第１配線と第２配線との間に配置され且つ可変抵抗素子とスイッチング素子を直列接続してなるメモリセルを備える。 - 特許庁

SELF ALIGNED SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

自己整列スプリットゲート型の不揮発性半導体メモリ素子、及びその製造方法 - 特許庁

Each battery 12 is provided with a memory element where the use state is stored, and information recorded in this memory element is read in by a battery information reader/writer 110.例文帳に追加

なお、バッテリ１２には、使用状態を記憶するメモリ素子が設けられ、このメモリ素子に記録された情報がバッテリ情報リードライタ１１０によって読み込まれる。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor element, and to provide a method of manufacturing a memory system.例文帳に追加

半導体素子の形成方法、及びメモリシステムの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the main body case 1 of a cartridge incorporating the memory element and the main body case of a standard-specification cartridge incorporating no memory element are used in common.例文帳に追加

これによりメモリ素子を内蔵するカートリッジの本体ケース１と、メモリ素子２５を内蔵しない標準仕様のカートリッジの本体ケース１とを共通して使用できる。 - 特許庁