「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cap for USB memory device, capable of ensuring the security of information stored in a memory element of a USB memory device even if the USB memory device is placed in a single state.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ装置が単体の状態で置かれていても、そのメモリ素子に記憶された情報のセキュリティを確保できるＵＳＢメモリ装置用キャップを提供する。 - 特許庁

A frame memory 105 is configured to store the image captured by the image capturing element.例文帳に追加

フレームメモリ１０５は、撮像素子により撮像した画像を記憶する。 - 特許庁

To provide an improved solid eletrolyte memory element which can increase the switching speed, and a method for manufacturing the solid electrolyte memory element.例文帳に追加

スイッチング速度を早くすることのできる改善された固体電解質メモリー素子および固体電解質メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element which is simple in structure and is easy to manufacture.例文帳に追加

構造が単純で製造が容易なメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT AND METHOD OF LAMINATING FILM-LIKE MEMBER例文帳に追加

光メモリ素子の製造方法及びフィルム状部材のラミネート方法 - 特許庁

Data is propagated through the buffer into the third settable memory element.例文帳に追加

データはバッファを通して第３の設定可能メモリ素子に伝送される。 - 特許庁

The data are propagated up to the second settable memory element through a buffer.例文帳に追加

データはバッファを介して第２の設定可能メモリ要素まで伝搬する。 - 特許庁

The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MEMORY ELEMENT HAVING RESISTANCE CHANGE LAYER AS STORAGE NODE例文帳に追加

抵抗変化層をストレージノードとして備えるメモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory element and its manufacturing method.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, it is possible to accurately measure the resistance of the resistive memory element immediately after recording the data into the cell of the resistive memory element.例文帳に追加

前記方法によると、抵抗メモリ素子のセルにデータを記録した直後の抵抗メモリ素子の抵抗を正確に測定することができる。 - 特許庁

The memory element is composed of organic molecular organisms having optical antenna function, and the arithmetic element is composed by arraying a plurality of memory elements.例文帳に追加

光アンテナ機能を有する有機分子組織体により記憶素子を構成し、この記憶素子を複数配列して演算素子を構成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and fine non-volatile memory element.例文帳に追加

高信頼性かつ微細な不揮発性メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING BACK METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリ素子及びその製造方法並びにエッチバック方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING CHARGE TRAP LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT THROUGH TWO-STAGE HEAT TREATMENT例文帳に追加

２段階熱処理による半導体メモリ素子のキャパシタ製造方法 - 特許庁

The resistance of the image memory element 1 varies according to the current value or pulse width flowing through the image memory element 1, and is stored as a resistance value.例文帳に追加

画像メモリ素子１を流れる電流値またはパルス幅に応じて当該画像メモリ素子１の抵抗が変化し、抵抗値として記憶される。 - 特許庁

A memory element is provided integrally in the optical source module, and the information on the optical source module is stored in this memory element.例文帳に追加

光源モジュールに記憶素子を一体的に設け、この記憶素子に光源モジュールの情報を記憶しておくことにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING MONOS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノスゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

A processor element is connected to the memory of the first level by a processor bus and a dispatcher is connected with the first or third memory and the processor element.例文帳に追加

プロセッサ・エレメントはプロセッサ・バスにより第１レベルのメモリに接続し、ディスパッチャは第１ないし３メモリおよびプロセッサ・エレメントと接続している。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT CONTAINING VARIABLE RESISTANCE SUBSTANCE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁性記憶素子を用いた半導体集積回路装置の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

A reading element QR of the memory cell MC1 and a reading element QR of the memory cell MC2 are installed in the active region L3.例文帳に追加

さらに、活性領域Ｌ３には、メモリセルＭＣ１の読出し用素子ＱＲおよびメモリセルＭＣ２の読出し用素子ＱＲを共に配置する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

To provide a memory element equipped with quantum dots and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

量子ドットを備えたメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

The resistance of the image memory element 1 changes, according to the current value or pulse width flowing through the image memory element 1 and is stored as the resistance value.例文帳に追加

画像メモリ素子１を流れる電流値またはパルス幅に応じて当該画像メモリ素子１の抵抗が変化し、抵抗値として記憶される。 - 特許庁

DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

In the matrix generating part 9, memory element lines are arranged in a plurality of stages.例文帳に追加

マトリクス生成部９は、メモリ要素ラインが複数段配列される。 - 特許庁

It accesses to a memory element B included in an RAM 3 through a code C from the output Q of a flip-flop FF 1, and the memory element B is shifted to a memory element A.例文帳に追加

ＲＡＭ３の記憶素子をビット単位で利用する論理回路を有する半導体集積回路１において、記憶素子Ａと、記憶素子Ｂとでは、データ入力ポートから各記憶素子までの遅延時間が異なる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置および磁気メモリ装置 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element which is capable of operating at a low voltage.例文帳に追加

低電圧で動作可能な強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化素子、抵抗変化素子の製造方法および半導体メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

To obtain a recording device which can be loaded with both of a tape cartridge incorporating a memory element and a tape cartridge of standard specification incorporating no memory element.例文帳に追加

メモリ素子を内蔵するテープカートリッジと、それを内蔵しない標準仕様のテープカートリッジの両方を装着する記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature information output device and its method of a semiconductor memory element for performing a temperature correction process inside a semiconductor memory element chip.例文帳に追加

半導体メモリ素子チップの内部で温度補正過程を行う半導体メモリ素子の温度情報出力装置及び方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY HAVING STRUCTURAL ELEMENT FOR PREVENTING CONFUSION OF MAGNETIZATION ON SENSE LAYER例文帳に追加

センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH TEMPERATURE SENSING DEVICE AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加

温度感知装置を備えた半導体メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT HAVING SELF-ALIGNED CONTACT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

自己整合コンタクトを有する半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT HAVING TEST MODE FOR MEASURING DATA-ACCESS TIME例文帳に追加

データアクセスタイムを測定するためのテストモードを有する半導体メモリ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF PHASE TRANSITION MEMORY ELEMENT HAVING SELF-ALIGNED ELECTRODE例文帳に追加

自己整列された電極を有する相転移メモリ素子の製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電体キャパシタ、その製造方法および強誘電体メモリ素子 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MONITORING FUNCTIONALITY OF SYSTEM, MEMORY ELEMENT, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

システムの機能性の監視方法，その監視装置，メモリ素子，コンピュータプログラム - 特許庁