「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a phase change memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

JUNCTION REGION OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

半導体メモリ素子の接合領域及びその形成方法 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY ELEMENT CONTAINING DOPANT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ドーパントを含む抵抗性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FERROELECTRICS MEMORY CELL AND FeRAM ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加

リセスタイプの制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子 - 特許庁

MEMORY USING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いたメモリおよびその駆動方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CHANNEL BOOSTING VOLTAGE OF NAND FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ナンドフラッシュメモリ素子のチャネルブースティング電圧の測定方法 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, METHOD OF RECORDING TO RECORDING LAYER, AND RECORDING DEVICE例文帳に追加

メモリ素子、記録層に対する記録方法、及び記録装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, METHOD OF OPERATING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリ素子、その動作方法及びその製造方法 - 特許庁

FERRROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY SYSTEM例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気センサ及び磁気記憶システム - 特許庁

To provide a memory element for reducing a layout area, and to provide a display having the memory element.例文帳に追加

レイアウト面積を低減可能なメモリー素子、及び該メモリー素子を有する表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THE METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子 - 特許庁

The oxygen concentration contained in the second memory element film is higher than the oxygen concentration contained in the first memory element film.例文帳に追加

前記第２記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第１記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a storage node having improved characteristics, to provide a semiconductor memory element having the storage node, and to provide a manufacturing method of the semiconductor memory element for improving the characteristics of the storage node.例文帳に追加

特性が改善されたストレージノードおよびそのストレージノードを有する半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory transistor, a nonvolatile memory element, a stack structure of the same, an operation method of the same, a manufacturing method of the same, and a system using the nonvolatile memory element.例文帳に追加

メモリトランジスタ、不揮発性メモリ素子、そのスタック構造、その動作方法、その製造方法及び不揮発性メモリ素子を利用したシステムを提供する。 - 特許庁

To acquire a structure that enables a multi-value memory of a memory element of an MTJ element, without impairing the degree of integration, in a semiconductor memory device.例文帳に追加

ＭＴＪ素子相当の記憶素子を有する半導体記憶装置において集積度を損ねることなく多値記憶可能にした構造を得る。 - 特許庁

UNIT CELL OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, OPERATING METHOD OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT USING IT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND NAND CELL ARRAY OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

マルチビット不揮発性メモリ素子の単位セル、これを用いたマルチビット不揮発性メモリ素子の動作方法、及びその製造方法、並びにマルチビット不揮発性メモリ素子のＮＡＮＤセルアレイ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN MAGNETIC FILM HEAD, MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、メモリ素子ならびにこれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 - 特許庁

ELECTRONIC ELEMENT AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT USING PHASE CHANGE SUBSTANCE, AND MANUFACTURING METHOD OF THEREOF例文帳に追加

相変化物質を用いた電子素子及び相変化メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁

DIELECTRIC LAMINATED FILM AND LUMINOUS ELEMENT USING IT OR SIMPLE MATRIX TYPE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

誘電体積層膜、及びこれを用いた発光素子、もしくは単純マトリックス型メモリ素子 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリ、及び強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁

A memory element or a piezoelectric element is produced by using the method for the production of the oxide thin film.例文帳に追加

前記酸化物薄膜の製造方法を用いて圧電体素子の形成を行う。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY USING THE SAME ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ - 特許庁

To read stored content from a nonvolatile memory element, such as a fuse element, with less current consumption.例文帳に追加

ヒューズ素子などの不揮発性記憶素子から記憶内容を低消費電流で読み出す。 - 特許庁

DIELECTRIC MATERIAL AND FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND PIEZOELECTRIC ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

誘電体材料並びにそれを用いた強誘電体メモリ素子及び圧電体素子 - 特許庁

Each memory cell 110 includes the storage element P and a selector S for selecting the storage element P.例文帳に追加

各メモリセル１１０は記憶素子Ｐと、記憶素子Ｐを選択するセレクタＳとを有する。 - 特許庁

MAGNETIC THIN-FILM/SEMICONDUCTOR HYBRID ELEMENT, MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT, AND INFORMATION READOUT METHOD例文帳に追加

磁気薄膜／半導体ハイブリッド素子、該素子を用いたメモリ装置、及び情報読み出し方法 - 特許庁

To provide a memory element that utilizes a state change such as softening or melting, differently from a conventional memory element, and to provide a memory device having an increased memory capacity.例文帳に追加

従来のメモリ素子とは異なり、軟化又は溶融といった状態変化を利用したメモリ素子を提供し、メモリ容量が増大されたメモリ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

After setting the settable memory elements, a voting structure having inputs from the second settable memory element and the third settable memory element, for controlling the settable memory elements determine the logical value held on the first settable memory element.例文帳に追加

設定可能メモリ要素を設定した後、第２の設定可能メモリ要素および第３の設定可能メモリ要素からの入力を有し、設定可能メモリ要素を制御する投票構造は、第１の設定可能メモリ要素に保持される論理値を決定する。 - 特許庁

The memory device is equipped with a reference circuit 1 in which a reference memory element 50 having the same property as that of a memory element 51 is used and a memory energizing circuit 2 which sets the read current of the memory element referring to the amount of a current which is made to flow in the reference circuit 1.例文帳に追加

メモリ素子５１と同じ特性の参照メモリ素子５０を用いた参照回路１と、この参照回路１に流れる電流量を参照してメモリ素子の読み出し電流を設定するメモリ通電回路２とを備えた。 - 特許庁

THIN FILM LAMINATE, ACTUATOR ELEMENT USING THE SAME, FILTER ELEMENT, FERROELECTRIC MEMORY AND OPTICAL DEFLECTION ELEMENT例文帳に追加

薄膜積層体、その薄膜積層体を用いたアクチュエータ素子、フィルター素子、強誘電体メモリ、および光偏向素子 - 特許庁

There is provided the power generation device which uses a magnetic memory element such as an MTJ element (magnetic tunnel junction element).例文帳に追加

例えばＭＴＪ素子（磁気トンネル接合素子）などの磁気メモリ素子を利用した動力発生装置とする。 - 特許庁

MEMORY ELEMENT AND ITS OPERATING METHOD, ARITHMETIC ELEMENT AND ITS OPERATING METHOD, AND ARITHMETIC ELEMENT INTEGRATED DEVICE例文帳に追加

記憶素子およびその動作方法ならびに演算素子およびその動作方法ならびに演算素子集積装置 - 特許庁

To provide a phase change memory that is mentioned as a kind of a resistive memory and uses a phase change material for a resistive memory element.例文帳に追加

抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element comprises memory cell units comprising a pair of memory transistors and one selective transistor.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、一対のメモリトランジスタと一つの選択トランジスタで構成されたメモリセルユニットで構成される。 - 特許庁

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部１０は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域２０及びメモリセル素子分離領域１８を有する。 - 特許庁

A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁

The memory bus system is constituted by serially connecting a memory control element 1 and memory cells 2a, 2b and 2c through signal lines.例文帳に追加

メモリバスシステムはメモリ制御素子１と記憶素子２ａ、２ｂ、２ｃが信号線により直列に接続されて構成される。 - 特許庁

MEMORY FILM AND ITS FABRICATION METHOD, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND PORTABLE ELECTRONIC INSTRUMENT.例文帳に追加

メモリ膜およびその製造方法、並びにメモリ素子、半導体記憶装置、半導体集積回路および携帯電子機器 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is capable of enhancing data storage capability, without increasing the element area, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

素子の面積を増加させることなしにデータの貯蔵能力を向上させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The non-volatile memory cell has a variable magneto-resistance element as a memory element to store information with the non-volatile mode according to a resistance value of the variable magneto-resistance element.例文帳に追加

この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁

The memory element has a memory cell (202) electrically-communicating with a node (A), when first voltage is applied to the memory cell, the memory element is operated so as to indicate a binary value concerning data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリ素子は、ノード（Ａ）と電気通信するメモリセル（２０２）を有し、第１の電圧がメモリセルに印加されたとき、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すように動作する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁